CeCu2Si2的超导临界温度随压力变化的理论解释

冯世平

doi:10.7498/aps.35.687

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CeCu2Si2的超导临界温度随压力变化的理论解释

冯世平

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研究简报

CeCu2Si2的超导临界温度随压力变化的理论解释

冯世平

物理学报, 1986, 35(5): 687-690.

doi: 10.7498/aps.35.687

THEORETICAL EXPLANTION OF SUPERCONDUCTIV CRITICAL TEMPERATUARE CHANGES OF CeCu2Si2 WITH PRESSURE

FENG SHI-PING

Acta Phys. Sin., 1986, 35(5): 687-690.

doi: 10.7498/aps.35.687

摘要

在BCS机制下,采用Anderson模型,在低压区域内,我们解释了CeCu2Si2的超导临界温度随压力变化的实验结果。
Abstract
Under the BCS mechanism, we use Anderson model to explain CeCu2Si2 supereon-ductiv critical temperature change with pressure in low pressure range.
作者及机构信息
冯世平

1.
北京师范大学物理系
Authors and contacts
FENG SHI-PING

1.
北京师范大学物理系
参考文献

施引文献

[1]	黄海, 陆艳艳, 王文杰. 超导材料NbS2上临界磁场的理论分析. 物理学报, 2012, 61(16): 167401. doi: 10.7498/aps.61.167401
[2]	赵勇, 诸葛向彬, 何业冶. 典型颗粒超导体YBa2Cu3O7/V2O5中临界电流随温度变化的特性. 物理学报, 1994, 43(10): 1693-1703. doi: 10.7498/aps.43.1693
[3]	徐继海. CeCu2Si2和UBe13的超导理论(Ⅱ)——热力学量的计算. 物理学报, 1988, 37(1): 111-118. doi: 10.7498/aps.37.111
[4]	冯世平, 马本堃. Ba-Y-Cu-O的超导临界温度随压力变化的理论解释. 物理学报, 1988, 37(7): 1177-1179. doi: 10.7498/aps.37.1177
[5]	冯世平. 重费密子系统CeAl3的低温比热随压力变化的理论解释. 物理学报, 1987, 36(6): 785-789. doi: 10.7498/aps.36.785
[6]	徐继海. CeCu2Si2和UBe13的超导理论(Ⅰ) ——模型,Tc及序参量. 物理学报, 1987, 36(12): 1590-1597. doi: 10.7498/aps.36.1590
[7]	翁征宇, 吴杭生. λ小的超导体临界温度理论(Ⅲ). 物理学报, 1986, 35(4): 549-552. doi: 10.7498/aps.35.549
[8]	王广厚. 离子注入超导体PdCu中的氢分布和超导临界温度. 物理学报, 1984, 33(10): 1434-1436. doi: 10.7498/aps.33.1434
[9]	翁征宇, 吴杭生. λ小的超导体临界温度理论(Ⅱ). 物理学报, 1984, 33(9): 1326-1331. doi: 10.7498/aps.33.1326
[10]	吴杭生, 翁征宇. λ小的超导体临界温度理论(Ⅰ). 物理学报, 1984, 33(7): 975-988. doi: 10.7498/aps.33.975
[11]	郭常新, 查长生. 用高压显微光谱系统研究非晶态As2S3的光学折射率随流体静压力变化的规律. 物理学报, 1982, 31(12): 44-54. doi: 10.7498/aps.31.44
[12]	李宏成. 超导临界温度级数公式系数的改进. 物理学报, 1982, 31(5): 693-698. doi: 10.7498/aps.31.693
[13]	雷啸霖. 奇点zph与超导临界温度级数. 物理学报, 1981, 30(10): 1376-1382. doi: 10.7498/aps.30.1376
[14]	雷啸霖. 关于超导临界温度级数收敛半径的一个注记. 物理学报, 1980, 29(10): 1333-1337. doi: 10.7498/aps.29.1333
[15]	李宏成. 有效声子谱对超导体临界温度的影响. 物理学报, 1979, 28(1): 104-116. doi: 10.7498/aps.28.104
[16]	吉光达, 蔡俊道. 超导临界温度级数公式的应用. 物理学报, 1979, 28(6): 853-864. doi: 10.7498/aps.28.853
[17]	蔡俊道, 吉光达, 吴杭生, 蔡建华, 龚昌德. 超导临界温度理论(Ⅲ). 物理学报, 1979, 28(3): 393-405. doi: 10.7498/aps.28.393
[18]	龚昌德, 吴杭生, 蔡建华, 蔡俊道, 吉光达. 超导临界温度理论(Ⅱ). 物理学报, 1978, 27(1): 85-93. doi: 10.7498/aps.27.85
[19]	蔡建华, 吴杭生. 超导临界温度严格公式的探讨. 物理学报, 1977, 26(6): 550-552. doi: 10.7498/aps.26.550
[20]	吴杭生, 蔡建华, 龚昌德, 吉光达, 蔡俊道. 超导临界温度理论(Ⅰ). 物理学报, 1977, 26(6): 509-520. doi: 10.7498/aps.26.509

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物理学报. 1986, 35(5): 687-690.

doi: 10.7498/aps.35.687.

研究简报

CeCu2Si2的超导临界温度随压力变化的理论解释

冯世平

1. 北京师范大学物理系

收稿日期: 1985-07-17
刊出日期: 2005-07-14

摘要: 在BCS机制下,采用Anderson模型,在低压区域内,我们解释了CeCu2Si2的超导临界温度随压力变化的实验结果。

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