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GaAs(100)衬底上ZnSe薄膜的热壁束外延生长

王杰 吕宏强 刘咏 王迅 姚文华 沈孝良

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GaAs(100)衬底上ZnSe薄膜的热壁束外延生长

王杰, 吕宏强, 刘咏, 王迅, 姚文华, 沈孝良

HETEROEPITAXIAL GROWTH OF ZnSe ON GaAs(lOO) SUBSTRATE BY HOT WALL BEAM EPITAXY

WANG JIE, Lü HONG-QIANG, LIU YONG, WANG XUN, YAO WEN-HUA, SHEN XIAO-LIANG
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-11-11
  • 刊出日期:  2005-07-03

GaAs(100)衬底上ZnSe薄膜的热壁束外延生长

  • 1. (1)复旦大学分析测试中心,上海200433; (2)复旦大学物理系,上海200433

摘要: 介绍热壁束外延法生长ZnSe/GaAs异质结工作。低能电子衍射和俄歇电子能谱对样品的原位检测表明,用此方法可以在GaAs(100)衬底上外延得到单晶的ZnSe(100)薄膜。当外延生长速率大时,Znse薄膜质量下降,样品的Raman谱中出现TO模。X射线衍射实验结果表明,这种外延膜质量的退化主要是由于在ZnSe(100)薄膜体内存在〈111〉方向的晶核。

English Abstract

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