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带有n+深阱的三阱CMOS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响

刘必慰 陈建军 陈书明 池雅庆

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带有n+深阱的三阱CMOS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响

刘必慰, 陈建军, 陈书明, 池雅庆

NPN bipolar effect and its influence on charge sharing in a tripe well CMOS technology with n+ deep well

Liu Bi-Wei, Chen Jian-Jun, Chen Shu-Ming, Chi Ya-Qin
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-29
  • 修回日期:  2012-05-10
  • 刊出日期:  2012-05-05

带有n+深阱的三阱CMOS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响

  • 1. 国防科技大学计算机院微电子与微处理器研究所, 长沙 410073
    基金项目: 国家自然科学基金重点项目(批准号: 60836004), 国家自然科学基金(批准号: 61006070, 60906014)和教育部博士点基金(批准号: 20104307120006)资助的课题.

摘要: 基于三维TCAD器件模拟, 研究了带有n+深阱的90 nm三阱CMOS器件在重离子辐照下产生的电荷共享效应. 研究结果表明在重离子辐照时, n+深阱会导致寄生的NPN双极型晶体管触发, 显著增强NMOS间的电荷共享, 其放大因子达到双阱工艺中寄生PNP晶体管放大因子的24倍. 进而分别研究了n阱接触和p阱接触对寄生NPN双极放大的影响, 结果表明增大p阱接触的面积和减小n阱接触的距离将抑制NPN晶体管的放大作用, 而增大n阱接触的面积将增强NPN的放大作用.

English Abstract

参考文献 (15)

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