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前近贴脉冲电压对三代微光像增强器halo效应的影响

任玲 石峰 郭晖 崔东旭 史继芳 钱芸生 王洪刚 常本康

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前近贴脉冲电压对三代微光像增强器halo效应的影响

任玲, 石峰, 郭晖, 崔东旭, 史继芳, 钱芸生, 王洪刚, 常本康

Effect of pro-proximity pulse voltage on the third-generation low light level image intensifiers halo effect

Ren Ling, Shi Feng, Guo Hui, Cui Dong-Xu, Shi Ji-Fang, Qian Yun-Sheng, Wang Hong-Gang, Chang Ben-Kang
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-07-02
  • 修回日期:  2012-07-26
  • 刊出日期:  2013-01-05

前近贴脉冲电压对三代微光像增强器halo效应的影响

  • 1. 微光夜视技术重点实验室, 西安 710065;
  • 2. 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094;
  • 3. 西安应用光学研究所, 西安 710065
    基金项目: 微光夜视技术重点实验室基金(批准号: J20110301)和江苏省高等学校研究生科研创新计划 (批准号: CXLX110236)资助的课题.

摘要: 为了探讨三代微光像增强器的合适工作电压, 研究了前近贴脉冲电压对微光像增强器halo效应的影响. 将脉冲电压信号加在光电阴极上,分别改变脉冲信号的高低电平电压幅值和占空比, 利用高分辨率CCD采集了微光像增强器的halo图像, 对比分析了halo图像中心线上各像素点对应的灰度值分布和光子计数. 研究结果表明, 随着高电平电压幅值和占空比的提高, 灰度值为255的像素点数目变多, halo图像中背景和信号的边界越来越清晰. 当前近贴电压增加到200 V以上和占空比大于60%左右时, 其对三代微光像增强器halo图像中心线上各像素点的灰度值分布影响不大. 当低电平电压增加到2 V以上时, 光电子在低电平阶段无法克服阻滞场到达微通道板. 此研究有利于探讨微光像增强器的最佳工作电压和光电子从阴极面出射时的能量分布, 为提高三代微光像增强器的性能提供了实验支撑.

English Abstract

参考文献 (13)

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