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GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性

刘炳灿 李华 严亮星 孙慧 田强

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GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性

刘炳灿, 李华, 严亮星, 孙慧, 田强

Effective length of quantum confinement and polaron effect in a GaAs film

Liu Bing-Can, Li Hua, Yan Liang-Xing, Sun Hui, Tian Qiang
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  • 本文用分数维方法研究AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性, 提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法, 解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难, 得到了AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能.
    The polaron confined in a GaAs film deposited on AlxGa1-xAs substrate are investigated in the framework of the fractional-dimensional space approach. We propose a new approach to define the effective length of quantum confinement. Limitations of the definition of original effective well width are discussed. The dimension and the binding energy of a polaron confined in a GaAs film deposited on Al0.3Ga0.7As substrate are obtained and investigated.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10574011,10974017)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 10574011, 10974017).
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-05-18
  • 修回日期:  2013-06-21
  • 刊出日期:  2013-10-05

GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性

  • 1. 装甲兵工程学院基础部, 北京 100072;
  • 2. 北京师范大学物理系, 北京 100875
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10574011,10974017)资助的课题.

摘要: 本文用分数维方法研究AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性, 提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法, 解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难, 得到了AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能.

English Abstract

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