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YBa2Cu3O7-δ体系在B∥I∥c下磁场引起的电阻耗散

物理学报, 1995, 44(8): 1268-1273.
DOI: 10.7498/aps.44.1268
CSTR: 32037.14.aps.44.1268

Acta Phys. Sin., 1995, 44(8): 1268-1273.
DOI: 10.7498/aps.44.1268
CSTR: 32037.14.aps.44.1268
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  • 摘要

    基于最近提出的平面外电阻耗散模型,计算了YBa_2Cu_3O_(7-8),体系在平行于c轴的磁场下不同温度时的平面外磁阻率ρ-B和不同磁场时的平面外电阻转变ρ-T.该模型预言了文献上普遍报道的该体系在外加磁场下的Lorentz力无关的耗散行为.为确信这一点,作为例子,特别将由该模型预言的理论结果与在YBa_2Cu_5O(7-8)体系中在B//I//c下测得的电阻转变曲线进行了定量地比较.

     

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