搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

赝配GaAs/In0.2Ga0.8As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量

卢励吾 张砚华 杨国文 王占国 J.WANG Y.WANG WEIKUN GE

引用本文:
Citation:

赝配GaAs/In0.2Ga0.8As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量

卢励吾, 张砚华, 杨国文, 王占国, J.WANG, Y.WANG, WEIKUN GE

CONDUCTION-BAND OFFSET IN PSEUDOMORPHIC GaAs/In0.2Ga0.8As QUANTUM WELL DETERMINED BY C-V PROFILING AND DLTS TECHNIQUES

LU LI-WU, ZHANG YAN-HUA, YANG GUO-WEN, WANG ZHAN-GUO, J.WANG, Y.WANG, WEIKUN GE
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  6262
  • PDF下载量:  633
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1997-08-20
  • 修回日期:  1998-03-06
  • 刊出日期:  1998-04-05

/

返回文章
返回