非理想第二类超导体局域磁弛豫的计算模拟：非均匀钉扎势和表面势垒影响

刘  峰; 阎守胜

doi:10.7498/aps.49.1829

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非理想第二类超导体局域磁弛豫的计算模拟：非均匀钉扎势和表面势垒影响

刘峰 , 阎守胜

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非理想第二类超导体局域磁弛豫的计算模拟：非均匀钉扎势和表面势垒影响

刘峰, 阎守胜

物理学报, 2000, 49(9): 1829-1837.

doi: 10.7498/aps.49.1829

SIMULATION ON LOCAL FLUX CREEP IN NON-IDEAL TYPE-Ⅱ SUPERCONDUCTORS:THE EFFECT O F NON-UNIFORM PINNING POTENTIAL AND SURFACE POTENTIAL

LIU FENG, YAN SHOU-SHENG

Acta Phys. Sin., 2000, 49(9): 1829-1837.

doi: 10.7498/aps.49.1829

摘要
从热激活模型出发，对非理想第二类超导的局域磁行为进行了计算模拟.讨论了超导体体内非均匀钉扎势和表面势垒对局域磁通运动的影响.计算结果表明，体内非均匀钉扎势对磁通线的运动产生大的阻碍,表面势垒明显抑制了磁通线的进入和离开样品.相对于样品的平均磁弛豫行为和平均磁滞回线，非均匀钉扎以及扫场速率的差异更强地显示在样品的局域磁行为.

关键词:
非理想第二类超导体 /

局域磁弛豫 /

非均匀钉扎 /

表面势叠
Abstract
Based on the thermally activated model,the flux creep process in the case of non-uniform pinning potential and surface pinning potential in nonideal type Ⅱ sup erconductors is studied through computer simulation.Global and local magnetizati on curves are calculated and the logarithmic time dependence of local magnetic i nduction under a constant external field is examined.The results show that the m otion of the flux is much restrained in the non-uniform case and the flux line i s easy to be captured by the strong pinning center.The surface potential has mar ked effect in preventing the flux from going into and leaving the sample.Compare d with the global behavior,the local magnetization is much more sensitive to the non-uniform pinning potential and the magnetic field sweep rate.

Keywords:
non-ideal type-Ⅱ superconductor /

local magnetic relaxation /

non-uniform flux pi nning /

surface potential barrier
作者及机构信息
刘峰,

阎守胜

1.
北京大学物理系和介观物理国家重点实验室，北京 100871

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：19734001)资助的课题.
Authors and contacts
LIU FENG,

YAN SHOU-SHENG

1.
北京大学物理系和介观物理国家重点实验室，北京 100871
参考文献

施引文献

[1]	陈书刚, 李学思, 韩宇. 第二类Weyl半金属的金属-超导-金属结中的Andreev反射. 物理学报, 2022, 71(12): 127201. doi: 10.7498/aps.71.20211962
[2]	闻海虎. 高温超导体磁通钉扎和磁通动力学研究简介. 物理学报, 2021, 70(1): 017405. doi: 10.7498/aps.70.20201881
[3]	武振伟, 汪卫华. 非晶态物质原子局域连接度与弛豫动力学. 物理学报, 2020, 69(6): 066101. doi: 10.7498/aps.69.20191870
[4]	梁超, 张洁, 赵可, 羊新胜, 赵勇. 拓扑超导体FeSe_xTe_1–_x单晶超导性能与磁通钉扎. 物理学报, 2020, 69(23): 237401. doi: 10.7498/aps.69.20201125
[5]	王银博, 薛驰, 冯庆荣. 钛离子辐照对MgB2超导薄膜的载流能力和磁通钉扎能力的影响. 物理学报, 2012, 61(19): 197401. doi: 10.7498/aps.61.197401
[6]	孙辉辉, 杨烨, 王磊, Cheng C. H., 冯勇, 赵勇. 柠檬酸掺杂的MgB2超导体钉扎机理的研究. 物理学报, 2010, 59(5): 3488-3493. doi: 10.7498/aps.59.3488
[7]	何国良, 贺延文, 赵志刚, 刘楣. 无序超导体磁通运动的两次退钉扎效应和重新进入超导相. 物理学报, 2006, 55(2): 839-843. doi: 10.7498/aps.55.839
[8]	张民仓, 王振邦. 第二类P?schl-Teller势场中相对论粒子的束缚态. 物理学报, 2006, 55(2): 525-528. doi: 10.7498/aps.55.525
[9]	徐克西. 非平衡辐射响应与准二维高温超导体系的磁通涡旋激发. 物理学报, 2000, 49(5): 989-996. doi: 10.7498/aps.49.989
[10]	冯　勇, 周　廉, 杨万民, 张翠萍, 汪京荣, 于泽铭, 吴晓祖. PMP法YGdBaCuO超导体的磁通钉扎研究. 物理学报, 2000, 49(1): 146-152. doi: 10.7498/aps.49.146
[11]	王恩哥. Zn/GaAs(110)系统的表面弛豫及其对费密能级钉扎的影响. 物理学报, 1997, 46(1): 117-122. doi: 10.7498/aps.46.117
[12]	覃孟军, 吉和林, 施智祥, 金新, 姚希贤, 樊占国, 单玉桥. 区域熔炼法制备YBa_2Cu_3O_(6+x)的非对数磁弛豫. 物理学报, 1995, 44(2): 328-336. doi: 10.7498/aps.44.328
[13]	丁世英, 史可信, 曾朝阳, 余正, 施智祥, 邱里. Tl2Ba2Ca2Cu3Oy超导体磁通钉扎能的分布. 物理学报, 1991, 40(6): 985-989. doi: 10.7498/aps.40.985
[14]	金新, 张贻瞳, 鹿牧, 张长贵, 颜涌, 于杨, 沈剑沧, 姚希贤. (BiPb)-Sr-Ca-Cu-O2223相高Tc超导体磁通钉扎与蠕动. 物理学报, 1991, 40(4): 630-633. doi: 10.7498/aps.40.630
[15]	丁世英, 颜家烈, 余正, 童红武, 史可信, 邱里. YBaCuO超导陶瓷的有效钉扎力. 物理学报, 1990, 39(6): 157-162. doi: 10.7498/aps.39.157
[16]	丁世英, 余正, 史可信. 非理想平面散射中心的磁通钉扎. 物理学报, 1987, 36(12): 1635-1639. doi: 10.7498/aps.36.1635
[17]	蔡学榆, 尹道乐, 李传义. A-15超导材料的高场钉扎机制. 物理学报, 1983, 32(9): 1183-1186. doi: 10.7498/aps.32.1183
[18]	吴杭生, 顾一鸣. 理想第二类超导薄膜的纵场临界电流. 物理学报, 1983, 32(5): 607-617. doi: 10.7498/aps.32.607
[19]	冯克安, 蔡俊道, 蒲富恪. 天线理论中的第二类积分方程. 物理学报, 1978, 27(2): 187-202. doi: 10.7498/aps.27.187
[20]	李宏成. 第二类超导体的临界磁场. 物理学报, 1965, 21(3): 560-568. doi: 10.7498/aps.21.560

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物理学报. 2000, 49(9): 1829-1837.

doi: 10.7498/aps.49.1829.

非理想第二类超导体局域磁弛豫的计算模拟：非均匀钉扎势和表面势垒影响

刘峰
阎守胜

1. 北京大学物理系和介观物理国家重点实验室，北京 100871

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：19734001)资助的课题.

收稿日期: 2000-04-02
刊出日期: 2000-09-20

摘要: 从热激活模型出发，对非理想第二类超导的局域磁行为进行了计算模拟.讨论了超导体体内非均匀钉扎势和表面势垒对局域磁通运动的影响.计算结果表明，体内非均匀钉扎势对磁通线的运动产生大的阻碍,表面势垒明显抑制了磁通线的进入和离开样品.相对于样品的平均磁弛豫行为和平均磁滞回线，非均匀钉扎以及扫场速率的差异更强地显示在样品的局域磁行为.

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