氢键铁电体中的孤子电导性

袁德荣; 乔灵芝

doi:10.7498/aps.50.398

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

氢键铁电体中的孤子电导性

袁德荣 , 乔灵芝

引用本文:

Citation:

氢键铁电体中的孤子电导性

袁德荣, 乔灵芝

物理学报, 2001, 50(3): 398-401.

doi: 10.7498/aps.50.398

SOLITON CONDUCTIVITY IN HYDROGEN BONDED FERROELECTRICS

YUAN DE-RONG, QIAO LING-ZHI

Acta Phys. Sin., 2001, 50(3): 398-401.

doi: 10.7498/aps.50.398

摘要
Gordon首先采用带有非对称双阱势的氢键链模型研究了氢键铁电体的电导性,给出了扭结解和迁移率的表达式.但是对于电导有贡献的扭结孤子应该对应于质子在两个阱底之间的转移,基于这种考虑,修正了Gordon的结果,重新导出了低能态的扭结解,给出了迁移率的一个新的表达式.当非对称双阱势转化为对称双阱势时,这个表达式恰与以前的研究结果一致.这个表达式表明,相变临界指数是1.

关键词:
氢键铁电体 /

铁电相 /

孤子迁移率
Abstract
A.Gordon first studied solitonic coductivity in some hydrogen-bonded ferroelectric materials, using the hydrogen-bonded chain model with asymmetric double-well potential, and gave the kink solution and expression for its mobility. However, kink solitons making contribution to proton-solitonic conductivity should be the solitons corresponding to proton transfer between two wells. For this reason, we suggest revising Gordon’s result, giving a low-energy-state kink solution and a new expression for its mobility. With the asymmertic double-well potential transforming to the symmetric one, this expression is reduced exactly to the same form as previous research result. This expression shows that the phase-transision critical index is 1.

Keywords:
hydrogen-bonded ferroelectrics /

ferroelectric phase /

soliton mobility
作者及机构信息
袁德荣,

乔灵芝

1.
湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062
Authors and contacts
YUAN DE-RONG,

QIAO LING-ZHI

1.
湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062
参考文献

施引文献

[1]	安霞, 黄如, 李志强, 云全新, 林猛, 郭岳, 刘朋强, 黎明, 张兴. 高迁移率Ge沟道器件研究进展. 物理学报, 2015, 64(20): 208501. doi: 10.7498/aps.64.208501
[2]	谷文萍, 张林, 李清华, 邱彦章, 郝跃, 全思, 刘盼枝. 中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响. 物理学报, 2014, 63(4): 047202. doi: 10.7498/aps.63.047202
[3]	尚勋忠, 陈威, 曹万强. 弛豫铁电体介电可调性的研究. 物理学报, 2012, 61(21): 217701. doi: 10.7498/aps.61.217701
[4]	王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维. 增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究. 物理学报, 2010, 59(10): 7333-7337. doi: 10.7498/aps.59.7333
[5]	刘玉荣, 王智欣, 虞佳乐, 徐海红. 高迁移率聚合物薄膜晶体管. 物理学报, 2009, 58(12): 8566-8570. doi: 10.7498/aps.58.8566
[6]	林若兵, 王欣娟, 冯倩, 王冲, 张进城, 郝跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究. 物理学报, 2008, 57(7): 4487-4491. doi: 10.7498/aps.57.4487
[7]	李潇, 张海英, 尹军舰, 刘亮, 徐静波, 黎明, 叶甜春, 龚敏. 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究. 物理学报, 2007, 56(7): 4117-4121. doi: 10.7498/aps.56.4117
[8]	代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹, 胡媛. 纳米MOSFET迁移率解析模型. 物理学报, 2006, 55(11): 6090-6094. doi: 10.7498/aps.55.6090
[9]	施展, 南策文. 铁电/铁磁三相颗粒复合材料的磁电性能计算. 物理学报, 2004, 53(8): 2766-2770. doi: 10.7498/aps.53.2766
[10]	唐春红, 蔡孟秋, 尹　真, 张明生. 铁电体SrBi2Nb2O2电子能带结构的第一性原理研究. 物理学报, 2004, 53(9): 2931-2936. doi: 10.7498/aps.53.2931
[11]	袁德荣, 乔灵芝. 带有非对称双阱势的氢键链中的扭结孤子激发. 物理学报, 2001, 50(3): 394-397. doi: 10.7498/aps.50.394
[12]	刘平, 徐文兰, 李志锋, 缪中林, 陆卫. PbTiO3铁电相及顺电相的声子色散理论计算. 物理学报, 2001, 50(2): 239-243. doi: 10.7498/aps.50.239
[13]	成元发, 曹万强. 氢键分子系统中外场与阻尼作用下扭结孤子对的特性研究. 物理学报, 2000, 49(1): 1-4. doi: 10.7498/aps.49.1
[14]	李志锋, 陆卫, 叶红娟, 袁先璋, 沈学础, G.Li, S.J.Chua. GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究. 物理学报, 2000, 49(8): 1614-1619. doi: 10.7498/aps.49.1614
[15]	王春雷, 秦自楷, 林多樑. 氢键铁电体相变的格林函数理论(Ⅱ). 物理学报, 1990, 39(4): 547-554. doi: 10.7498/aps.39.547
[16]	李武；许煌寰；李仲荣；王虹. 钨青铜型结构铁电体的低温扩散相转变. 物理学报, 1989, 38(8): 1280-1289. doi: 10.7498/aps.38.1280
[17]	王春雷, 张晶波, 秦自楷, 林多樑. 氢键铁电体相变的格林函数理论(Ⅰ). 物理学报, 1989, 38(11): 1740-1747. doi: 10.7498/aps.38.1740
[18]	王虹, 许煜寰. 铁电-顺电扩散相转变的实验和统计模型. 物理学报, 1986, 35(5): 605-614. doi: 10.7498/aps.35.605
[19]	周炳林, 陈正秀. 关于GaAs的低迁移率问题. 物理学报, 1985, 34(4): 537-541. doi: 10.7498/aps.34.537
[20]	王永令, 袁万宗, 何国荣, 林盛卫, 凌荣华, 瞿翠凤. 铁电体爆-电换能的实验研究. 物理学报, 1983, 32(6): 780-785. doi: 10.7498/aps.32.780

计量

文章访问数: 6285
PDF下载量: 766
被引次数: 0

物理学报. 2001, 50(3): 398-401.

doi: 10.7498/aps.50.398.

氢键铁电体中的孤子电导性

1. 湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062

收稿日期: 2000-05-25
修回日期: 2000-09-08
刊出日期: 2001-03-20

摘要: Gordon首先采用带有非对称双阱势的氢键链模型研究了氢键铁电体的电导性,给出了扭结解和迁移率的表达式.但是对于电导有贡献的扭结孤子应该对应于质子在两个阱底之间的转移,基于这种考虑,修正了Gordon的结果,重新导出了低能态的扭结解,给出了迁移率的一个新的表达式.当非对称双阱势转化为对称双阱势时,这个表达式恰与以前的研究结果一致.这个表达式表明,相变临界指数是1.

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

氢键铁电体中的孤子电导性

SOLITON CONDUCTIVITY IN HYDROGEN BONDED FERROELECTRICS

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062

Authors and contacts

1.
湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062

参考文献

施引文献

目录

计量

氢键铁电体中的孤子电导性

English Abstract

SOLITON CONDUCTIVITY IN HYDROGEN BONDED FERROELECTRICS

1.
湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

氢键铁电体中的孤子电导性

SOLITON CONDUCTIVITY IN HYDROGEN BONDED FERROELECTRICS

摘要

Abstract

作者及机构信息

1. 湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062

Authors and contacts

1. 湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

氢键铁电体中的孤子电导性

English Abstract

SOLITON CONDUCTIVITY IN HYDROGEN BONDED FERROELECTRICS

1. 湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062

1.
湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062

1.
湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062