高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

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高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

施卫 , 赵卫 , 张显斌 , 李恩玲

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高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

施卫, 赵卫, 张显斌, 李恩玲

物理学报, 2002, 51(4): 867-872.

doi: 10.7498/aps.51.867

Shi Wei, Zhao Wei, Zhang Xian-Bin, Li En-Ling

Acta Phys. Sin., 2002, 51(4): 867-872.

doi: 10.7498/aps.51.867

摘要
报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果.其中8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达28kV,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明,开关输出电磁脉冲无晃动,电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达560A,电磁脉冲重复率108Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lockon状态下的实验结果,测试了GaAs开关工作于lockon状态下的光能、电场阈值

关键词:
光电导开关 lockon效应高功率超快电脉冲
Abstract
Keywords:
作者及机构信息
施卫¹,

赵卫²,

张显斌¹,

李恩玲¹

(1)西安理工大学应用物理系,西安710048; (2)中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安710068

基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 770 17)
Authors and contacts
Shi Wei¹,

Zhao Wei²,

Zhang Xian-Bin¹,

Li En-Ling¹

(1)西安理工大学应用物理系,西安710048; (2)中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安710068
参考文献

施引文献

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第51卷，第4期 - 2002年02月20日

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