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												doi: 10.7498/aps.73.20231979 | 
							
									| [2] | 林洪斌, 林春, 陈越, 钟克华, 张健敏, 许桂贵, 黄志高. 第一性原理研究Mg掺杂对LiCoO2正极材料结构稳定性及其电子结构的影响. 物理学报,
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									| [3] | 丁超, 李卫, 刘菊燕, 王琳琳, 蔡云, 潘沛锋. Sb,S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理分析. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.67.20181228 | 
							
									| [4] | 程超, 王逊, 孙嘉兴, 曹超铭, 马云莉, 刘艳侠. Cr含量对Ti-Nb-Cr合金抗腐蚀性影响的电子结构计算. 物理学报,
												2018, 67(19): 197101.
												
												doi: 10.7498/aps.67.20180956 | 
							
									| [5] | 徐晶, 梁家青, 李红萍, 李长生, 刘孝娟, 孟健. Ti掺杂NbSe2电子结构的第一性原理研究. 物理学报,
												2015, 64(20): 207101.
												
												doi: 10.7498/aps.64.207101 | 
							
									| [6] | 吴木生, 徐波, 刘刚, 欧阳楚英. Cr和W掺杂的单层MoS2电子结构的第一性原理研究. 物理学报,
												2013, 62(3): 037103.
												
												doi: 10.7498/aps.62.037103 | 
							
									| [7] | 牛雪莲, 王立久, 孙丹. 铬和镍的添加对Fe3Al合金力学性能影响的DFT研究. 物理学报,
												2013, 62(3): 037104.
												
												doi: 10.7498/aps.62.037104 | 
							
									| [8] | 张国莲, 逯瑶, 蒋雷, 王喆, 张昌文, 王培吉. 第一原理研究Sn(O1-xNx)2材料的光电磁性质. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.61.117101 | 
							
									| [9] | 孙伟峰, 郑晓霞. 第一原理研究界面弛豫对InAs/GaSb超晶格界面结构、能带结构和光学性质的影响. 物理学报,
												2012, 61(11): 117301.
												
												doi: 10.7498/aps.61.117301 | 
							
									| [10] | 张振铎, 侯清玉, 李聪, 赵春旺. Nd高掺杂锐钛矿相TiO2电子结构和吸收光谱的第一原理研究. 物理学报,
												2012, 61(11): 117102.
												
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									| [11] | 余本海, 刘墨林, 陈东. 第一性原理研究Mg2 Si同质异相体的结构、电子结构和弹性性质. 物理学报,
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									| [12] | 刘建军. (Zn,Al)O电子结构第一性原理计算及电导率的分析. 物理学报,
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									| [15] | 陈秋云, 赖新春, 王小英, 张永彬, 谭世勇. UO2的电子结构及光学性质的第一性原理研究. 物理学报,
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									| [17] | 金胜哲, 黄祖飞, 明 星, 王春忠, 孟 醒, 陈 岗. 二价金属元素掺杂对LiCoO2体系电子输运性质的影响. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.56.6008 | 
							
									| [18] | 刘小良, 徐  慧, 马松山, 邓超生, 郭爱敏. DNA分子链的电子局域性质及电导的研究. 物理学报,
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									| [19] | 潘志军, 张澜庭, 吴建生. 掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究. 物理学报,
												2005, 54(11): 5308-5313.
												
												doi: 10.7498/aps.54.5308 | 
							
									| [20] | 徐晓光, 王春忠, 刘  伟, 孟  醒, 孙  源, 陈  岗. Mg掺杂对Li(Co,Al)O2电子结构影响的第一原理研究. 物理学报,
												2005, 54(1): 313-316.
												
												doi: 10.7498/aps.54.313 |