外类杂质在氧化亚铜中的扩散

何宇亮

doi:10.7498/aps.14.442

摘要

在640—960℃温度范围内研究了放射性铊和钽在结晶粒结构的氧化亚铜晶体中的扩散。结果指出,它们分别满足下列关系式:DTl=2.29×10-2e-37000/(RT)+7.73×10-9e-6100/(RT)厘米2/秒;DTa=8.95e-49500/(RT)+1.85×10-8e-7200/(RT)厘米2/秒。logD～1/T图线在760±10℃有一转折点,在这个温度以上和以下由曲线斜率求出的激活能是不同的。根据实验结果可以认为,在760℃以下,杂质原子主要是沿着晶粒间界发生扩散的,而在760℃以上是沿着单晶体的空位式扩散机构。并且认为空位式的扩散机构是舆空格点本身的位移相伴随着。放射性钽在氧化过程中的浓度分布指出:在760℃以下,在氧化过程中,氧和铜的相对扩散佔同等重要地位;而在760℃以上,随着温度的升高,铜的扩散逐渐佔优势,在继续氧化过程中,由於氧的扩散生成的氧化层逐渐减少。
Abstract
作者及机构信息
何宇亮

1.
南京大学
Authors and contacts
1.
南京大学
参考文献

[1]

施引文献
[1]

[1]	万法琦, 马艳平, 董丹丹, 丁万昱, 姜宏, 董闯, 贺建雄. 氧化物玻璃中的类分子结构单元. 物理学报, 2020, 69(13): 136101. doi: 10.7498/aps.69.20191892
[2]	吕子峰, 郝吉明, 李俊华, 武山. 团簇状碳黑颗粒在丙烯臭氧氧化和光氧化体系中的重构. 物理学报, 2009, 58(1): 662-668. doi: 10.7498/aps.58.662
[3]	宋晓书, 程新路, 杨向东, 令狐荣锋. 氧化亚氮3000—0200和1001—0110跃迁带在高温下的线强度. 物理学报, 2007, 56(8): 4428-4434. doi: 10.7498/aps.56.4428
[4]	刘存业, 李建, 梁一平. 氧化亚银(Ag2O)超细微粒结构演化分析. 物理学报, 1997, 46(2): 306-313. doi: 10.7498/aps.46.306
[5]	龙德顺, 王炎森, 方渡飞, 汤家镛. 氧在金属及其氧化物中的表面及扩散势垒的计算. 物理学报, 1997, 46(10): 1894-1900. doi: 10.7498/aps.46.1894
[6]	曾庆城. 硅中电离杂质扩散分布的显微观测. 物理学报, 1981, 30(2): 249-253. doi: 10.7498/aps.30.249
[7]	夏日源. 高剂量离子注入形成的非晶层重新结晶过程中杂质外扩散的物理模型. 物理学报, 1980, 29(5): 566-576. doi: 10.7498/aps.29.566
[8]	张绮香, 霍裕平. 半导体中的杂质能级. 物理学报, 1966, 22(1): 29-46. doi: 10.7498/aps.22.29
[9]	王国文, 包燕鹏, 曹金瑞, 张光勇. 平面应力对氧化亚铜晶体四个激子线系的影响. 物理学报, 1966, 22(7): 743-748. doi: 10.7498/aps.22.743
[10]	李克诚, 薛士蓥, 祝忠德, 黄詠. 磷在SiO₂-Si系统中的扩散. 物理学报, 1965, 21(4): 707-713. doi: 10.7498/aps.21.707
[11]	李克诚, 薛士蓥, 祝忠德, 黄詠. 磷在硅表面氧化层中的扩散. 物理学报, 1965, 21(3): 496-502. doi: 10.7498/aps.21.496
[12]	陈辰嘉, 杨澄清, 黄亨吉. 磷通过热生长二氧化硅层在硅中的扩散. 物理学报, 1964, 20(7): 662-669. doi: 10.7498/aps.20.662
[13]	林绪伦, 黄敞, 徐炳华. 用四探针及阳极氧化方法测量硅中扩散层杂质分布. 物理学报, 1964, 20(7): 643-653. doi: 10.7498/aps.20.643
[14]	王国文, 王裕民, 史殿成. 氧化亚铜黄系和绿系激子吸收线的应力位移. 物理学报, 1964, 20(11): 1176-1177. doi: 10.7498/aps.20.1176
[15]	王国文, 汤沂, 龙纯玮. 氧化亚铜青系和蓝系激子反射带的应力分裂. 物理学报, 1964, 20(11): 1178-1179. doi: 10.7498/aps.20.1178
[16]	霍裕平. 半导体中的杂质能级. 物理学报, 1963, 19(5): 273-284. doi: 10.7498/aps.19.273
[17]	吴自良, 王其闵. 碳在面心铁-镍合金中扩散峰的机构. 物理学报, 1958, 14(4): 354-368. doi: 10.7498/aps.14.354
[18]	唐璞山. 银对氧化亚铜电学性质的影响. 物理学报, 1958, 14(5): 423-427. doi: 10.7498/aps.14.423
[19]	葛庭燧, 马应良. 碳在低碳合金马氏体中微扩散所引起的内耗峰. 物理学报, 1957, 13(1): 69-77. doi: 10.7498/aps.13.69
[20]	葛庭燧, 杨本炜. 用内耗方法研究碳在γ-铁中的扩散. 物理学报, 1957, 13(5): 409-416. doi: 10.7498/aps.13.409

计量

文章访问数: 6611
PDF下载量: 391
被引次数: 0

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

搜索

留言板

外类杂质在氧化亚铜中的扩散

ДИФФУЗИЯ ЧУЖЕРОДНЫХ ПРИМЕСЕЙ В Cu₂O

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
南京大学

Authors and contacts

1.
南京大学

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

外类杂质在氧化亚铜中的扩散

ДИФФУЗИЯ ЧУЖЕРОДНЫХ ПРИМЕСЕЙ В Cu2O

摘要

Abstract

作者及机构信息

1. 南京大学

Authors and contacts

1. 南京大学

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

ДИФФУЗИЯ ЧУЖЕРОДНЫХ ПРИМЕСЕЙ В Cu₂O

1.
南京大学

1.
南京大学