关于半导体硅表面处理的某些问题

宿昌厚

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关于半导体硅表面处理的某些问题

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物理学报, 1962, 18(5): 242-249.

doi: 10.7498/aps.18.242

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Acta Phys. Sin., 1962, 18(5): 242-249.

doi: 10.7498/aps.18.242

摘要

本文根据实验结果,叙述不同腐蚀剂对于硅的表面复合速度S的影响及其时间稳定性。简短地论述了利用稳定光电导测量S方法的实质,介绍了运算公式及实验设备。指出了在怎样的条件下进行表面处理才能正确测量硅的体寿命。同时也表明了硅的电阻率对表面复合速度的影响。由实验数据证明,在10％的KOH水溶液中进行腐蚀,能够在硅表面上得到较低的复合速度。
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[3]	张宁, 徐开凯, 陈彦旭, 朱坤峰, 赵建明, 于奇. 金属-氧化物-半导体硅发光器件在集成电路中的应用前景. 物理学报, 2019, 68(16): 167803. doi: 10.7498/aps.68.20191004
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[9]	张雯, 刘彩池, 王海云, 徐岳生, 石义情. 半导体硅熔体的有效(磁)黏度. 物理学报, 2008, 57(6): 3875-3879. doi: 10.7498/aps.57.3875
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[11]	叶红娟. 半导体表面狭通道的定域态密度. 物理学报, 1986, 35(7): 939-943. doi: 10.7498/aps.35.939
[12]	张开明, 叶令, 徐永年. 金属铝在半导体表面的吸附. 物理学报, 1982, 31(2): 220-225. doi: 10.7498/aps.31.220
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[15]	刘辽, 杨以鸿, 陈方培, 邵济群. 关于“典型时空”的问题讨论. 物理学报, 1976, 25(4): 362-366. doi: 10.7498/aps.25.362
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[17]	张培锟, 續竞存. 关于半导体光激射器工作电流范围的分析. 物理学报, 1966, 22(8): 930-944. doi: 10.7498/aps.22.930
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[19]	蒲富恪, 郑庆祺. 关于磁性物质的自旋位形的某些问题. 物理学报, 1962, 18(3): 135-142. doi: 10.7498/aps.18.135
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物理学报. 1962, 18(5): 242-249.

doi: 10.7498/aps.18.242.

关于半导体硅表面处理的某些问题

宿昌厚

收稿日期: 1961-10-23
刊出日期: 2005-08-05

摘要: 本文根据实验结果,叙述不同腐蚀剂对于硅的表面复合速度S的影响及其时间稳定性。简短地论述了利用稳定光电导测量S方法的实质,介绍了运算公式及实验设备。指出了在怎样的条件下进行表面处理才能正确测量硅的体寿命。同时也表明了硅的电阻率对表面复合速度的影响。由实验数据证明,在10％的KOH水溶液中进行腐蚀,能够在硅表面上得到较低的复合速度。

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