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流体静压力对锗隧道二极管伏安特性的影响

沈学礎 陈宁锵

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流体静压力对锗隧道二极管伏安特性的影响

沈学礎, 陈宁锵

PRESSURE DEPENDENCE OF THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF GERMANIUM ESAKI DIODES

SEN HSUEH-CHU, CHEN NING-CHIANG
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出版历程
  • 收稿日期:  1963-06-24
  • 修回日期:  1963-12-10
  • 刊出日期:  1964-05-05

流体静压力对锗隧道二极管伏安特性的影响

摘要: 本文报导了在流体静压力18000kg/cm2的范围内,锗隧道二极管伏安特性随压力变化的实验结果。测量了十六只锗隧道二极管的峯值电流IP、峯值电压VP、谷值电流IV、谷值电压VV、指数过剩电流IX和反向隧道电流等参数与流体静压力的关系。结果表明:峯值电流IP相对于压力的半对数作图为斜率不同的二段下降直线,在5000—9000kg/cm2范围内有转折点;峯值电压随压力改变较小;在误差范围内谷值电压不随压力而改变。对于大部分被测管子,谷值电流与压力的关系类似于峯值电流与压力的关系;随着压力的增加,指数过剩电流区向高偏压方向移动。讨论了峯值电流及指数过剩电流随压力变化的规律和其他结果。认为转折点的存在是表明隧道跃迁机构的改变;由指数过剩电流区固定电流值测偏压随压力改变,求得禁带宽度的压力系数与其他方法获得的结果很好符合。

English Abstract

参考文献 (1)

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