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MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究

张进城 郝跃 朱志炜

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MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究

张进城, 郝跃, 朱志炜

STUDY ON HIGH ELECTRIC FIELD ANNEALING EFFECT IN THIN GATE OXIDE OF MOS STRUCTURE

ZHANG JIN-CHENG, HAO YUE, ZHU ZHI-WEI
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-02-07
  • 修回日期:  2001-03-16
  • 刊出日期:  2001-04-05

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