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辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析

周昕杰 李蕾蕾 周毅 罗静 于宗光

引用本文:
Citation:

辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析

周昕杰, 李蕾蕾, 周毅, 罗静, 于宗光

Back-gate bias effect on partially depleted SOI/MOS back-gate performances under radiation condition

Zhou Xin-Jie, Li Lei-Lei, Zhou Yi, Luo Jing, Yu Zong-Guang
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-07
  • 修回日期:  2012-04-05
  • 刊出日期:  2012-10-05

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