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栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究

彭里 卓青青 刘红侠 蔡惠民

引用本文:
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栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究

彭里, 卓青青, 刘红侠, 蔡惠民

Gate length dependence of SOI NMOS device response to total dose irradiation

Peng Li, Zhuo Qing-Qing, Liu Hong-Xia, Cai Hui-Min
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-06
  • 修回日期:  2012-07-10
  • 刊出日期:  2012-12-05

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