Vol. 32, No. 2 (1983)
1983年01月20日
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1983, 32 (2): 145-155.
doi: 10.7498/aps.32.145
摘要 +
本文将电偏转三级象差的工作推广,使适合于入射处就有电场的情况,导出一个能在任意平面上求三级偏转象差的公式,对分离式电偏转系统及叠合式偏转系统(Deflection Yoke)均适用。并经过数学处理,使公式简洁,换算方便,还将象差系数积分公式中的轴上场E0(z)的一、二级微商全部消除,以提高计算精度。为了和我们的前一工作相对应,符号的命名和计算格式也与文献[1]相同,最后还描述了顶点在屏上的圆锥形细束在偏转后产生的光栅畸变、场曲、象散、彗差等图形与这套系数的对应关系。这种关系也完全适合于磁偏转三级象差的情况。
1983, 32 (2): 156-167.
doi: 10.7498/aps.32.156
摘要 +
本工作揭示了声表面波在声栅上的Bragg型衍射效应。应用简正波理论近似处理了在强Bragg条件下,声表面波在声栅上衍射的一些规律:栅阵内简正模式,偏转角和偏转效率与入射声波工作频率和声栅参数的关系。实验上,我们在y切割LiNbO3压电晶体表面,用金属栅阵构成声栅,用光学法观察了声表面波(Rayleigh波)在上述声栅上的Bragg型衍射现象,并测量了偏转角和偏转效率随工作频率的关系。实验与理论结果比较表明,二者基本上是符合的。
1983, 32 (2): 176-181.
doi: 10.7498/aps.32.176
摘要 +
在不同的直流偏场下,对脉冲偏场作用后的磁泡膜中的磁畴观测结果表明:磁泡膨胀时的分枝生长往往伴随有大量垂直布洛赫线(以下称VBL)产生;它的正负与反向畴膨胀时所施加的直流偏场大小有确定关系;在幅度不太高的系列脉冲作用下畴端运动可使畴壁中形成大量VBL;足够强的脉冲偏场可使VBL消失。
1983, 32 (2): 182-190.
doi: 10.7498/aps.32.182
摘要 +
片状切变型夹杂可以表现一些重要物理过程的力学特征,例如在晶体材料中形成的滑移带、形变孪晶带以及片状马氏体等。这些过程与材料的断裂密切相关。本文采用位错连续分布方法,导出了位于片状夹杂端部的裂纹的应力强度因子的解析表达式。根据本文的结果,我们讨论了片状夹杂所导致的微裂纹扩展的特征。由夹杂理论可以得到多晶体孪晶脆断应力的Hall-Petch关系,理论计算与实验结果符合得好。
1983, 32 (2): 191-197.
doi: 10.7498/aps.32.191
摘要 +
本文假设导致托卡马克反常电子输运的主要机制为由温度梯度所驱动的重整化电子磁漂移波。通过求解动力学过程自洽地导出了反常电子输运系数的定标律:D(T)=(c/ωpe)2{((ve/qR)2/2π+(vc/2)2)1/2-vc/2}。它在数值上与现有实验给出的AIcator定标律符合。在无碰撞(vc→0)情况下与Ohkawa定标津一致。同时分析了该定标律与Alcator定标律的偏离,并由此讨论了强磁场欧姆加热托卡马克达到热核点火的可能性。
1983, 32 (2): 198-208.
doi: 10.7498/aps.32.198
摘要 +
采用分频采样方法对于在周期外力作用下的非线性振子进行数值研究,达到可与离散映象相比拟的高分辨力。首次为常微分方程组描述的系统确定了高达8192分频的倍周期分岔序列和相应的“混乱”带的序列,并证实存在着嵌在混乱带中的二阶和三阶分岔序列。讨论了分频采样方法的优点和局限性,以及使用这一方法时应注意的问题。
1983, 32 (2): 209-215.
doi: 10.7498/aps.32.209
摘要 +
用数值方法对Rayleigh-Bénard流中的波长增长现象作了分析,得到了与实验一致的结果。稳定性和熵产生的计算表明,关于定态相对稳定性的最大熵产生判据是正确的。
1983, 32 (2): 216-224.
doi: 10.7498/aps.32.216
摘要 +
在脉冲射线束测量中,射线以束流形式作用在探测器上,输出电流是许多射线粒子同时作用的叠加效果。当射线源比较弱、探测器探测效率低时,常常显示出统计起伏的现象。本文讨论这种起伏现象,给出了起伏的数学表达形式,讨论了脉冲射线波形测量中统计起伏给各种参数测定所带来的误差。
1983, 32 (2): 225-238.
doi: 10.7498/aps.32.225
摘要 +
本文研究任意Kerr-Newman黑洞视界曲面上荷电Dirac粒子的Hawking辐射,首先构造了一套“对称零标架”,用这套零标架计算了旋系数,导出了Dirac方程,在视界曲面附近解Dirac方程。得到荷电Dirac粒子四分量波函数的显示表式。利用解析延拓技巧,最后得到荷电Dirac粒子Hawking辐射的热谱公式。
研究简报
1983, 32 (2): 239-246.
doi: 10.7498/aps.32.239
摘要 +
在分析MOS电容对耗尽的阶跃电压瞬态响应的基础上,本文提出了一种同时确定产生寿命和表面产生速度的方法。用该方法对一些样品进行了测试分析,结果表明该方法是合理的。并且指出,在表面产生与体产生相比较实际上不能忽略时,忽略表面产生的方法将导致测得的产生寿命低于它的真实值。
1983, 32 (2): 247-250.
doi: 10.7498/aps.32.247
摘要 +
本文用有限集团的EHT方法研究了GaAs1-xPx(110)清洁表面的弛豫和电子态。出现三元合金的表面旋转弛豫角约为26°左右;当X≥0.25时,在禁带中靠近导带底处有空的本征表面态存在。
1983, 32 (2): 251-255.
doi: 10.7498/aps.32.251
摘要 +
本文用X射线荧光光谱法,不破坏样品,测定三元合金薄膜的组份。此法无需制备任何相似的固体标样或纯元素的块状标样,而是利用含已知组份的滤纸片作为标样。滤纸片标样制作简便、快速,并且能长期稳定。由薄膜中元素所发出的特征X射线强度与其面密度之间的一组联立方程解出薄膜成份,利用衬底中元素的特征X射线强度随膜厚增大而衰减的定量关系确定膜厚。利用本文的方法可以同时测定薄膜的成分和厚度。
1983, 32 (2): 256-258.
doi: 10.7498/aps.32.256
摘要 +
本文研究了急冷Al-1at%Ge过饱和固溶体合金的结构和正常-超导转变特性。X射线结构分析表明,样品为单一的过饱和α-Al(Ge)固溶体。电阻-温度测量指出,急冷过饱和α-Al(Ge)合金的Tc≈1.44K,高于纯Al的Tc。
1983, 32 (2): 259-266.
doi: 10.7498/aps.32.259
摘要 +
本文定量地计算了奇宇称晶场所导致的5d-4f混合对CaF2,SrF2中Ce3+离子能级劈裂的影响,结果指出这种影响是相当严重的,低能级排列的次序甚至可以颠倒。并指出组态混合是晶体中离子径向波函数延伸效应的一种可能原因。
1983, 32 (2): 267-272.
doi: 10.7498/aps.32.267
摘要 +
本文用统计光学理论,推导出相干成象中斑纹噪声相乘模型的均方误差,并由此得出相乘模型成立的条件:只有当成象系统的相干分辨本领能够很好地分辨物体的空间细节时,相乘模型才成立。
1983, 32 (2): 273-279.
doi: 10.7498/aps.32.273
摘要 +
胺草磷是一种合成除草剂,其晶体为无色片状,在无水乙醇和甲苯中能得到重新结晶。胺草磷晶Ⅰ和晶Ⅱ是胺草磷系列中的两个样品,均属于单斜晶系,空间群均为P21/c,晶胞参数基本一样,aⅠ=8.575?,bⅠ=26.541?,cⅠ=7.063?,βⅠ=94.744°;aⅡ=8.575?,bⅡ=26.538?,cⅡ=7.073?,βⅡ=93.819°。分子粗结构模型均用直接法获得,并用全矩阵最小二乘法进行修正,最后RⅠ=0.10;RⅡ=0.11。结构中的苯环平面和硝基平面成垂直关系。晶Ⅱ比晶Ⅰ除草效果好。
1983, 32 (2): 280-284.
doi: 10.7498/aps.32.280
摘要 +
α-氯代桂皮酰另丁胺(反式异构体)的分子式为C13H15ONCl,属正交晶系,空间群为Pbca,a=18.842(0.006)?,b=14.076(0.006)?,c=10.077(0.003)?,晶胞内分子数z=8。用RASA-IIS四圆衍射仪收集衍射强度数据,独立的可观察衍射点929个。用直接法(MULTAN-80)测定其结构。以全部可观察点强度数据用准对角矩阵最小二乘法修正结构参数,R=0.088.
