Vol. 45, No. 9 (1996)
1996年05月05日
总论
1996, 45 (9): 1425-1429.
doi: 10.7498/aps.45.1425
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利用带阻尼参数激励的一维双原子非线性耦合摆阵，实验上观察到局域孤子的摆幅随激励参数的变化，而呈现稳定的、准周期的、周期的或随机的现象，并在理论上用一个五次非线性Ｓｃｈｒ?ｄｉｎｇｅｒ方程来解释
1996, 45 (9): 1430-1437.
doi: 10.7498/aps.45.1430
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讨论了Hg1-xCdxTe外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献
核物理学
1996, 45 (9): 1438-1443.
doi: 10.7498/aps.45.1438
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利用符合的粒子粒子关联测量，研究了２５ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ＋１９７Ａｕ反应中不稳定轻核的在平面发射和出平面发射．对于中速的不稳定轻核，观测到在平面发射几率增大，这表明该反应系统中存在旋转效应．该现象随碰撞参数增大更为强烈，而随着不稳定核激发态能量的升高稍有变弱
原子和分子物理学
1996, 45 (9): 1444-1449.
doi: 10.7498/aps.45.1444
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用发射光谱法研究了同种元素氮的分子离子N+2和原子离子N+与Ｎｅ原子碰撞产生的激发态，获得了靶激发、入射分子离子的分解激发、入射原子离子的激发以及两种离子与靶之间的电荷转移激发等信息．计算了各发射谱线的发射截面．对两种离子引起的谱线发射截面的差异进行了分析，得出一些初步结论，并对此作了些定性解释
唯象论的经典领域
1996, 45 (9): 1450-1456.
doi: 10.7498/aps.45.1450
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研究光场频域干涉和谱相关引起的光谱密度变化，探讨通过对光谱调制来构造光谱的可能性．给出一个压窄谱宽的例子并进行了数值计算，发现频域干涉的方法能够在谱宽变窄的同时利用较多的光能量，其可利用的光能量的比例比滤波片要大得多
1996, 45 (9): 1457-1462.
doi: 10.7498/aps.45.1457
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从一个新的角度——微观结构对全息图进行认识和分析，用基元分析的观点，将物体信息的全息表现方式分解到物点，对实际制作时典型记录情况下物体信息的微观编码方式进行讨论
1996, 45 (9): 1463-1478.
doi: 10.7498/aps.45.1463
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揭示了共振Ｊａｙｎｅｓ-Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型中光场压缩与原子偶极压缩间的对称特性，并探讨了各种非线性作用包括非共振作用，虚光子过程，任意强度耦合及类Ｋｅｒ介质与腔作用对光场压缩与原子偶极压缩间的对称特性的影响，还讨论了（２ｍ＋１）量子共振下两种压缩间的内在关系
1996, 45 (9): 1479-1486.
doi: 10.7498/aps.45.1479
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通过测量无机光谱烧孔系列材料MyM′1-yFClxBr1-x:Sm2+（Ｍ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）中４ｆ５ｄ带的激发光谱随组分ｘ和ｙ的变化，5ＤJ—7Ｆ0（Ｊ＝２，１，０）跃迁的荧光衰减随组分与温度的变化，对其烧孔的电子跃迁过程及其对烧孔效率的影响进行了研究．得出结论：在此系列材料中，随着Ｂｒ含量和小半径的碱土离子的增加，Ｓｍ
流体、等离子体和放电
1996, 45 (9): 1487-1491.
doi: 10.7498/aps.45.1487
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对短脉冲强激光在非稠密均匀等离子体中传播时产生的相对论相干谐波辐射进行了一般性研究．在准稳态近似（ｑｕａｓｉｓｔａｔｉｃ ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ）下得出ｎ阶谐波包络的演化方程，并用此方程研究了ｎ阶谐波的增长与饱和及转化效率等问题
1996, 45 (9): 1492-1500.
doi: 10.7498/aps.45.1492
摘要 +
通过求解二维含时非线性Ｆｏｋｋｅｒ-Ｐｌａｎｃｋ方程，计算反应堆规模下氚的ＮＢＩ（平行注入）加热时等离子体各组分分布函数及反应率随时间的演化，讨论非麦氏分布对反应率的影响．结果表明：分析非麦氏分布对反应率的影响时，定义是比较方便而恰当的．加热初期，η从１增加到最大值，然后逐渐下降．加热功率较大或者束能较高都会使η下降得小于１．当η下降到１时，Ｔ∥Ｔ升至约１０ｋｅＶ．
凝聚物质：结构、热学和力学性质
1996, 45 (9): 1501-1505.
doi: 10.7498/aps.45.1501
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二氧化硅多孔介质气凝胶和干凝胶的结构用小角Ｘ射线散射进行了研究．实验表明，用一步法制备的各种气凝胶全部具有分形结构．而干凝胶和用两步法制备的气凝胶没有分形结构．实验还证明干凝胶由尺度较大的球形颗粒组成
1996, 45 (9): 1506-1512.
doi: 10.7498/aps.45.1506
摘要 +
对非晶Ｆｅ７３Ｎｉ５Ｓｉ８Ｂ１４合金分别进行了高密度脉冲电流及真空退火处理．用穆斯堡尔谱学与透射电子显微镜技术研究了处理后非晶的微观结构与晶化行为．实验结果表明，与退火处理相比，高密度脉冲电流产生的“电子风”促进了非晶合金的结构弛豫与晶化．随电流密度显著增加，这一促进效应进一步增强
1996, 45 (9): 1513-1520.
doi: 10.7498/aps.45.1513
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ＴｈＯ2的比热Ｃp是其它用作核反应堆燃料的锕系二氧化物例如ＵＯ2ＰｕＯ2等的Ｃp中的声子部分．它的精确确定有助于弄清其它因素对锕系二氧化物Ｃp的贡献．通过对ＴｈＯ2的Ｃp的研究发展了一个可用于研究其它固体Ｃp的普遍方法．在这种方法里，对一种固体的三种不同性质的实验测量——比热、热膨胀和Ｄｅｂｙｅ-Ｗａｌｅｒ因子
1996, 45 (9): 1521-1525.
doi: 10.7498/aps.45.1521
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实验发现了表面回波对衍射光的干涉现象，波矢量随位置变化及表面振动模式与表面相有关．考虑波矢量变化特性后，给出了表面波色散关系的修正公式及回波干涉规律．观察了表面波的光栅衍射效应，同时测量了表面张力、波矢量变化率及随温度的变化
凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
1996, 45 (9): 1526-1535.
doi: 10.7498/aps.45.1526
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利用Ｍｕｆｉｎ-Ｔｉｎ轨道线性组合（ＬＭＴＯ）法，采用ｓｌａｂ模型计算了半导体ＺｎＳ（１１１）表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，分析了两种ｓｌａｂ模型的表面稳定性和表面态．理论态密度曲线与ＺｎＳ（１１１）表面同步辐射光电子能谱相符合
1996, 45 (9): 1536-1542.
doi: 10.7498/aps.45.1536
摘要 +
在异质结能带排列的理论计算中，采用经验赝势能带计算方法，并将平均键能Ｅm作为参考能级，计算了GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge三种异质结的整体能带结构和排序（包括价带、导带和带隙），获得完整且较准确的理论计算结果，其价带偏移ΔＥｖ的计算值分别为０.５７，０.５０和１.０７ｅＶ．
1996, 45 (9): 1543-1550.
doi: 10.7498/aps.45.1543
摘要 +
对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了BaTiO3半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对BaTiO3半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为BaTiO3半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础
1996, 45 (9): 1551-1561.
doi: 10.7498/aps.45.1551
摘要 +
给出了对沉积于ＬａＡｌＯ3（００１）上ｃ轴取向的ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ７－δ薄膜介质谐振器的解析分析方法．在两流模型框架下，提出了负介电观点来表征超导材料电磁特征参量的概念．这使得对超导边值问题的讨论等价于经典电磁场理论中对一般媒质的处理．进一步构造的保角变换，不仅使原问题宜于由变分法求解，而且对诸如超导微带和共面波导结构传播特征的分析也是有益的
1996, 45 (9): 1562-1569.
doi: 10.7498/aps.45.1562
摘要 +
用Ｂｉ2Ｏ3作自助熔剂，对Ｂｉ-２２１２单晶的生长特点作了较为细致的实验研究．就助熔剂含量、热循环、坩锅的污染、熔体的非共熔性、各向异性生长速度以及Ｂｉ-２２０１相的共生等晶体生长中普遍存在的诸多问题进行了深入的探讨
1996, 45 (9): 1570-1577.
doi: 10.7498/aps.45.1570
摘要 +
在铁掺杂的Ｔｌ-１２２３相中，铁对超导电性有明显的破坏作用，霍尔系数测量、热重分析和穆斯堡尔谱表明占据铜晶位的铁杂质原子不仅直接破坏ＣｕＯ2面的完整性而使超导转变温度降低，更重要的是铁的掺入诱导了额外氧原子进入晶格，形成了对载流子的强局域束缚作用，致使载流子浓度随铁掺杂量呈线性下降．额外氧导致了与其近邻的铁和铜原子产生了偏离ＣｕＯ2平面的位移，从而形成新的铁氧配位．针对额外氧缺陷精细结构的讨论，对研究额外氧和阳离子在ＣｕＯ2平面上的无序排列
1996, 45 (9): 1578-1585.
doi: 10.7498/aps.45.1578
摘要 +
用Ｘ射线转靶衍射仪，详细地观察和分析了Bi2Sr2CaCu2Oy单晶的调制结构．指出布喇格反射的卫星峰是沿ｃ*拉长的，与Ｂ心正交对称结构不相符的宽化峰正是由于这种拉长的结果，且导致卫星峰强度的不对称性．Ｂｉ-Ｏ层和钙钛矿层晶格失配形成的超晶格为非正交而是单斜的，并可能存在超晶格孪晶
1996, 45 (9): 1586-1591.
doi: 10.7498/aps.45.1586
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对多孔硅进行“胺液浸泡＋快速热氧化”处理，光致发光谱显示，经处理样品的发光峰值波长短到５００ｎｍ，而且在干燥空气中存放１６０ｄ后，发光强度变化很小．红外吸收谱表明，处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧，胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹．电子自旋共振谱表明，这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度．这些结果揭示，量子限制效应和表面态在多孔硅蓝绿光发射中起着关键性的作用．这种制备发蓝绿光样品的方法简单易行，成功率可达７０％．
1996, 45 (9): 1592-1600.
doi: 10.7498/aps.45.1592
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在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ga0.5In0.5P合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用Γ-Ｌ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的Γ-Ｌ相互作用势分别为０.１９，０.１５和０.１０ｅＶ．表明在自发有序Ga0.5In0.5P合金中存在着的
