Vol. 37, No. 6 (1988)
1988年03月20日
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1988, 37 (6): 881-891.
doi: 10.7498/aps.37.881
摘要 +
本文仔细地讨论了量子多体关联动力学中的广义自洽平均场,证明无论动态还是定态自洽平均场都是存在的。多体关联通过两体关联c2及其相应的碰撞项I进入平均场。I的作用是双重的:对单粒子运动量子态的动力学效应和对单粒子态填充数的影响。多体关联还在多体系统的能量表达式中表现出来,使得该表达式不同于通常的HF-Brueckner理论中的表达式。
1988, 37 (6): 892-898.
doi: 10.7498/aps.37.892
摘要 +
本文根据介质的宏观极化理论,导出了中能量相对论电子穿越单一介质箔和介质箔组时产生的渡越辐射量子微分谱公式,并利用该公式对铍箔及铍箔组的情况进行了计算。计算结果与实验符合。
1988, 37 (6): 899-905.
doi: 10.7498/aps.37.899
摘要 +
本文给出了金属细丝的电磁场衍射公式。对金属缝和互补屏窄条或细丝的线偏光衍射作了实验和理论研究,定量给出衍射法测量细金属丝直径的偏振效应。理论计算与测量结果基本一致。
1988, 37 (6): 906-915.
doi: 10.7498/aps.37.906
摘要 +
利用光致荧光技术对GaAs/GaAlAs多量子阱质量进行了诊断。讨论了量子阱厚度涨落,铝成份涨落,各种缺陷和非故意掺杂等对量子阱光致荧光谱的影响,并反过来,又由光致荧光谱来推断引起量子阱质量退化的原因。在一定程度上为分子束外延工艺的改进提供了依据。
1988, 37 (6): 916-923.
doi: 10.7498/aps.37.916
摘要 +
本文提出了用红外光激励电流法研究非晶半导体带隙态的新方法。当一本征脉冲光照射样品时,大量非平衡载流子陷落到带隙态上;经过延迟时间td,用红外光激励残存的非平衡载流子,能引起红外光电导的过冲,过冲量与延迟时间td成幂次关系。基于多次陷落模型分析红外光电导过冲与温度及时间td的关系,可以得到带隙态分布的细节。
1988, 37 (6): 924-930.
doi: 10.7498/aps.37.924
摘要 +
本文在透射电子显微镜上观察了金属银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长。实验发现,当经过一定的热处理后,金属银在氧化钡中能形成很好的超微粒子。我们还比较了单层制备和多层制备得到的Ag+BaO薄膜的结构差别。同时,考查了含银量不同的Ag+BaO薄膜银超微粒子的生长特点,发现当银量较大时,在Ag+BaO薄膜中,Ag超微粒子并不彼此连接起来形成金属迷津通道,而仍形成孤立的大微粒,微粒之间隔有几个nm的BaO层。
1988, 37 (6): 931-940.
doi: 10.7498/aps.37.931
摘要 +
本文讨论表面不平整对半无限超晶格表面电磁耦子(polariton)的影响。文中推导了平整表面半无限超晶格情形,Maxwell方程的格林函数。由此导出表面电磁耦子的色散关系。主要结论是:在表面不平整情形,将出现新的模式——表面型TE模表面电磁耦子,可资实验检验。
1988, 37 (6): 941-949.
doi: 10.7498/aps.37.941
摘要 +
本文运用顶角的Post-CPA方法研究了无序层状系统的维数跨越效应,层间耦合t的强弱决定了系统的有效维数。对于耦合的临界值tc,Anderson转变发生。我们求出了系统的玻耳兹曼电导率、对应于最大交叉顶角的动力学电导率和直流电导率以及临界点附近的局域长度。
1988, 37 (6): 950-958.
doi: 10.7498/aps.37.950
摘要 +
本文研究了不同厚度Ag膜与2000?非晶Ge膜形成的迭层行为。发现随Ag膜厚度的减小,迭层的室温电阻率愈来愈小于相同厚度单层Ag膜的室温电阻率,实验在室温下得出明显的临近效应。当对这些迭层退火时,实验得到十分不同的电阻R300K与退火温度Ta的关系以及不同Ta下各种R(Ta)-T的关系。由X射线衍射结构分析电子显微镜观察和电子探针扫描成分分析的结果,本文给这些退火过程中的新现象以物理解释。
1988, 37 (6): 959-966.
doi: 10.7498/aps.37.959
摘要 +
本文给出了整体正规Schwarzschild黑洞在Kruskal坐标变换中的最大和完备的解析延拓,讨论了零超曲面上的连接条件,比较了奇性和非奇性Schwarzschild黑洞的渐近时空结构。结果表明,可以存在非奇性的稳定的黑洞。
1988, 37 (6): 967-973.
doi: 10.7498/aps.37.967
摘要 +
采用Anderson晶格哈密顿量,在超出平均场的理论框架下,讨论了重费密子超导电性问题。发现在Slave Boson场的长波长极限情况下,同类准粒子之间通过交换Slave Boson而产生的相互作用是吸引的,而只有第一类准粒子——准f电子对重费密子超导电性有贡献。
研究简报
1988, 37 (6): 974-977.
doi: 10.7498/aps.37.974
摘要 +
本文讨论了用熔态急冷法制备的非晶态Nd15Fe79B6合金中,掺杂Nb,V,Cr,Mn,Co,Ni和Cu等元素后,对磁矩、居里温度及晶化温度的影响。还用穆斯堡尔谱估计了掺杂后样品内场的变化,并作了合理的解释。
1988, 37 (6): 978-982.
doi: 10.7498/aps.37.978
摘要 +
采用高频熔炼后的真空单辊急冷技术制备了AgxCu50-xZr50金属玻璃,发现在xxCu50-xZr50金属玻璃的玻璃转变温度和晶化温度,并采用Kissinger方法测定了晶化激活能Ea。发现在金属玻璃AgxCu50-xZr50
1988, 37 (6): 983-988.
doi: 10.7498/aps.37.983
摘要 +
用ππ偏振光分步激发方法测量了Sr原子n=12和n=13附近里德堡态的Stark结构。Stark图显示Sr原子在低电场区Stark簇的线性特征。讨论了能级的交叉与抗交叉结构及其与量子亏损的关系。
1988, 37 (6): 989-995.
doi: 10.7498/aps.37.989
摘要 +
本文分析在软X射线区获得粒子数反转的几种实验后,提出激光加热微管靶方案。并从实验上观察到Mg的ls3p和ls4p能级与ls5p和ls5p能级间很高的粒子数反转,对其中物理机制作了分析。
1988, 37 (6): 996-1002.
doi: 10.7498/aps.37.996
摘要 +
对Molnar的理论作了某些修正并给出在存在多种亚稳态粒子情况下的Townsend放电瞬态波形的分析方法。
1988, 37 (6): 1003-1009.
doi: 10.7498/aps.37.1003
摘要 +
本文中提出合金振动格林函数的晶体理论,采用置换群约化理论使合金构型对称化,采用晶格平移群使合金哈密顿量变成方块对角阵。文末说明声子哈密顿量。
1988, 37 (6): 1010-1013.
doi: 10.7498/aps.37.1010
摘要 +
本文在质心坐标系中讨论了分数量子Hall效应的少粒子体系。推导了一个适用于任意电子数的对体系电子角动量的可能组合加以限制的关系式。利用这一约束条件,体系哈密顿量的本征方程阶数大大削减,从而减少了数值计算的工作量。进一步,我们在质心坐标系中计算了当前计入正电背景影响用得较多的均匀正电背景模型和局域电中性模型的能量本征值作了数值计算。
1988, 37 (6): 1014-1017.
doi: 10.7498/aps.37.1014
摘要 +
本文运用严格重整化群理论研究了两种Fractal空间上自迴避行走的吸收问题。计算所得的交跨指数φ和相关长度指数ν的严格解结果表明,de Gennes的推测公式φ=1—ν并不成立。相变流图与欧几里德空间中相应问题的流图定性相同。唯一而重要的差别在于Fractal空间中的吸收相变在无穷小吸收作用的硬壁影响下就可发生,而在欧几里德空间只是在一定大小的吸收作用下才会发生。
1988, 37 (6): 1018-1024.
doi: 10.7498/aps.37.1018
摘要 +
半整数四极核的中心跃迁对梳状脉冲序列的响应随四极常数ωq而变化。在梳伏脉冲的平均射频汤强度ωe(以弧度·秒-1为单位)满足ωq/ωee/2π处;而当ωq/ωe>2时,所得的谱线在2ωe/2π处,理论计算与实验结果是一致的。本文得到的结论表明,梳状脉冲序列将可能成为研究这
1988, 37 (6): 1025-1029.
doi: 10.7498/aps.37.1025
摘要 +
本文研究了以分子束外延硅为超薄n区的pn结的C-V特性,推导了当该结的耗尽区扩展到外延层边缘后的C-2-V关系。据此,由实验可求出非故意掺杂的硅分子束外延层的杂质浓度为8.0×1014cm-3。从而建立起一种测量超薄分子束外延层掺杂浓度的新方法。
1988, 37 (6): 1030-1035.
doi: 10.7498/aps.37.1030
摘要 +
本文应用平均场近似讨论了对角无序对局域电子配对系统的上临界磁场的影响。得到对角无序显著改变了上临界磁场的温度特性。我们把计算得到的上临界磁场和重费密子系统CeCu2Si2和UPt3的反常的H(c2)作了比较,发现所研究系统的H(c2)可以具有与之类似的温度特性。
1988, 37 (6): 1036-1041.
doi: 10.7498/aps.37.1036
摘要 +
在低于Tc较远的温度下,发现金属玻璃Zr78Co22带在纵向磁场中的I-V和H-V特性曲线上存在着两类电压跃变阶梯。与以往在准一维或准二维均匀超导体中发现的I-V曲线上出现阶梯结构的条件和特点作了系统的比较,综合应用超导相分离模型和由热涨落诱发的相位滑移中心的概念解释了所观察到的现象。
1988, 37 (6): 1042-1047.
doi: 10.7498/aps.37.1042
摘要 +
本文系统地研究了YBa2-xSrxCu3O7-δ中超导电性与物相以及结构变化之间的关系。发现当0c并不随Sr的含量而单调变化。在x=1.0处,Tc出现一峰值。同时,超导临界温度与样品的晶体结构之间呈现出强烈的相关性:随着正交性的增强(即a,b间差值的增大),Tc单调地上升。本文还就S
1988, 37 (6): 1048-1052.
doi: 10.7498/aps.37.1048
摘要 +
本文中研究了单相Ba2YCU3O7-δ样品的低温电阻与外磁场、温度以及测量电流之间的关系。结果表明,外磁场的大小、方向,以及测量电流的大小,显著地改变着样品的低温电阻行为。从样品的颗粒结构特征对结果进行了讨论。
