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Vol. 36, No. 12 (1987)

1987年06月20日
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非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究
王万录, 廖克俊
1987, 36 (12): 1529-1537. doi: 10.7498/aps.36.1529
摘要 +
实验发现在一定Si—H键浓度下,相对于平坦的硅衬底而言,在其上沉积的a-Si:H薄膜具有压缩应力,a-SiNx:H薄膜具有伸张应力。当a-Si:H和a-SiNx:H层厚度比近似于1:2时,硅衬底上生长的a-Si:H/a-SiNx:H/c-Si样品,弯曲最小,并能保持很长时间。文中还给出了应力随退火变化的情况,并对实验结果进行了讨论。
LPCVD a—Si薄膜的缺陷补偿和掺杂
章佩娴, 姚杰, 彭少麒
1987, 36 (12): 1538-1544. doi: 10.7498/aps.36.1538
摘要 +
本文通过ESR,σD,σPh,SIMS和Eα等测量,对LPCVD方法生长的a-Si材料的掺杂、缺陷补偿和氢化作了研究,发现在这种材料中,虽然不存在可检测得出的氢含量,却仍然能够进行掺杂,特别是在重掺杂区,缺陷得到有效的补偿,EF向带边移动。文中基于Street最近提出的关于a-Si掺杂的新观点,用缺陷补偿和化学配位等观点解释了没有氢情况下的掺杂机理。
Co处理的γ-Fe2O3薄膜的界面研究
千静芳, 丁耀国, 林彰达, 齐上雪, 王荫君
1987, 36 (12): 1545-1550. doi: 10.7498/aps.36.1545
摘要 +
本文中对CoO与Fe2O3的界面进行了研究,结果表明,简单的CoO-γ-Fe2O3界面对于磁性能基本无影响。分析表明,“复杂的扩散界面”不大可能象以往认为的那样是矫顽力增长的主要原因。矫顽力的增长可能是由掺Co造成的一种体效应而不是界面效应。
天然和人工时效Cu55Zr45金属玻璃结构弛豫的EXAFS研究
黄胜涛, 唐承欢, 刘文, 徐国枢
1987, 36 (12): 1551-1556. doi: 10.7498/aps.36.1551
摘要 +
本文应用EXAFS结构分析法研究了Cu55Zr45金属玻璃经天然和人工时效后引起的结构变化。为了比较,也用EXAFS法测定了淬态样品的结构。与此同时还应用X射线小角散射技术和示差扫描量热仪等观测结构弛豫的手段测量了人工时效样品的相应现象。最后根据观测到的事实提出一个非晶相分离模型来解释这个样品在时效时产生的EXAFS及其傅里叶变换的变化,得到圆满结果。
AlF3-K2NbOF5系统非晶态材料离子导体的结构与电性能
崔华, 袁启华, 崔万秋
1987, 36 (12): 1557-1563. doi: 10.7498/aps.36.1557
摘要 +
本文研究了AlF3-K2NbOF5系列玻璃导电性。通过对AlF3-K2NbOF5系列玻璃的Raman光谱研究,初步确认了玻璃的结构。根据结构随组成的变化情况,进一步讨论了玻璃的电导率。AlF3-K2NbOF5二元系玻璃,当AlF3的含量在21—29mol%范围内时,Al3+
平面阻塞效应测量Ep=1565keV时27Al(p,α)24Mg共振反应寿命
金卫国, 赵国庆, 邵其鋆, 任月华, 吴向坚, 周筑颖
1987, 36 (12): 1564-1569. doi: 10.7498/aps.36.1564
摘要 +
采用(111)面阻塞效应测量了Ep=1565keV共振时27Al(p,α)24Mg核反应寿命。用解析方法分析实验数据。测到的核寿命τ=17.9-4.0+4.4as,与轴阻塞效应测量结果和文献给出的结果在误差范围内一致。测量了Ep=1183.4keV时(111)面的α粒子的阻塞分布,并与理论计算作了比较。
空间阵列的狭窄波束型引力辐射
唐孟希, 李芳昱
1987, 36 (12): 1570-1582. doi: 10.7498/aps.36.1570
摘要 +
本文讨论了质量四极振子空间矩形点阵阵列的引力辐射功率和辐射角分布,并给出了解析表达式。计算表明,这种阵列能产生方向性很强的狭窄引力辐射波束,关英男(Seki)等人提出的行波型引力辐射理论可作为本文的特殊情况而自然地导出。用本文方法对具体数例的计算表明,一百个30×30×0.03cm3的CdS晶体组成的空间阵列,在理想超高频声学共振和完全行波型同步加强的情况下,最优方向引力辐射能流密度可望达2.84×10-1erg/cm2·s,这个结果显示了
RLm子区拓扑熵等值性的证明
翁甲强, 孔令江, 陈光旨
1987, 36 (12): 1583-1589. doi: 10.7498/aps.36.1583
摘要 +
本文证明了RLm子区整个子区内拓扑熵等值,同时,揭示了高级混沌带对拓扑熵无贡献的性质。
CeCu2Si2和UBe13的超导理论(Ⅰ) ——模型,Tc及序参量
徐继海
1987, 36 (12): 1590-1597. doi: 10.7498/aps.36.1590
摘要 +
本文从周期性的Anderson晶格模型出发,考虑到局域电子与局域晶格形变的作用,对CeCu2Si2和UBe13的重费密子超导现象进行了理论研究。通过计算,得到了合理的超导转变温度Tc;给出了描述同位素效应大小的参数α<1/2,甚至等于零(在BCS理论中α=1/2),说明现在的理论给出的同位素效应比BCS理论小,甚至可以不存在同位素效应,这与重费密子超导的实验相符合;此外还给出了序参量随温度及态密度变化的关系曲线,由此可
非均匀磁场中的动力论漂移迴旋损失锥不稳定性
郭世宠, 沈解伍, 蔡诗东
1987, 36 (12): 1598-1609. doi: 10.7498/aps.36.1598
摘要 +
本文从解析和数值计算两种途径仔细研究了磁场非均匀性漂移共振的动力论效应对于漂移迴旋损失锥不稳定性(DCLC)的影响。发现在高β等离子体中,磁场非均匀效应是非常重要的,磁漂移共振对于负能的模起耗散作用,从而使原有的DCLC不稳定性加强,而且不稳定性的参数区域大大扩展了。有限β值效应并没有象流体近似理论所预言的那样使DCLC模稳定。
研究简报
掺钛的锰锌铁氧体的中子衍射
余梅, 周增均, 杨继廉, 张百生, 徐治江, 周蕙明, 金兰, 叶春堂
1987, 36 (12): 1610-1613. doi: 10.7498/aps.36.1610
摘要 +
锰锌铁氧体广泛用于各种有线通讯设备中,其使用的频率为几百kHz到几十MHz。但纯的锰锌铁氧体的磁导率(μ)的温度系数(在—40℃至80℃范围内)较大,在应用中使频率发生漂移,给使用造成了困难。为了改善μ(T)曲线,而添加了少量的各种元素进行试验,其中发现Ti对改善μ(T)曲线的效果较好。为了弄清Ti的作用,对含Ti的(Mn-Zn)Fe2O4的结构进行了中子衍射分析,得到的结果是:Ti择优占据B位,Mn及Zn择优占据A位,并测定了分子磁矩。最后对结果进行了初步的讨
TiSi2薄膜形成中扩散标记的研究
胡仁元
1987, 36 (12): 1614-1617. doi: 10.7498/aps.36.1614
摘要 +
用Xe离子注入作扩散标记,确定了TiSi2薄膜形成过程中主要扩散元素是Si。应用Kidson和Tu推导的方程根据试验结果计算了600℃退火TiSi2形成中Si和Ti的扩散系数。
赝标介子的唯象模型(Ⅱ)——电磁形状因子
章正刚, 吴自玉, 汪克林, 兰慧彬, 冼鼎昌
1987, 36 (12): 1618-1623. doi: 10.7498/aps.36.1618
摘要 +
本文直接以平底势计算得到的赝标介子波函数,在欧氏空间中计算出物理的0-介子的类空电磁形状因子。数值结果表明,在适当选择参数下,理论计算的结果能和实验相符合。
n维固体带间光学性质与振子模型 n/2次积分关系
何星飞, 莫党
1987, 36 (12): 1624-1629. doi: 10.7498/aps.36.1624
摘要 +
本文证明,n维固体临界点附近的带间介电函数及其微分谱可用n/2次积分分别从振子的介电函数及其微分谱求出。n维固体带间光谱中的振子物理特征通过n/2次积分算符的作用表现出来。文中讨论了带间跃迁与振子模型,光学性质与维度性之间的物理联系。在固体带间光谱的分数次积分表达式中,维度n可以推广到分数维数。
分数量子Hall效应的有限集团研究
熊小明, 周世勋
1987, 36 (12): 1630-1634. doi: 10.7498/aps.36.1630
摘要 +
本文在均匀正电背景下,利用哈密顿量数值对角化方法讨论了强磁场中二维有限电子体系。对库仑相互作用的三电子体系给出了详细的讨论。计算了1/3填充因子的基态能和波函数,并且与不可压缩流体模型的结果作了比较。
非理想平面散射中心的磁通钉扎
丁世英, 余正, 史可信
1987, 36 (12): 1635-1639. doi: 10.7498/aps.36.1635
摘要 +
本文提出了一个二类超导体中电子散射磁通钉扎的非理想平面模型。此模型比现有的理想化模型更接近实际情形。计算了此模型下的δK/K及一个刚性磁通线阵所受的钉扎力。在所得的结果中,散射平面厚度、散射几率及杂质含量对钉扎力的影响与实验结果符合较好。
多层PbBi-SiO膜的超导临界电流特性
丁世英, 余正, 史可信, 颜家烈
1987, 36 (12): 1640-1642. doi: 10.7498/aps.36.1640
摘要 +
用真空热蒸镀法制备了超导多层PbBi-SiO膜。测量了这些样品的超导临界参量。观测到同一样品上的临界电流在不同磁场和温度下有不同的特征。
用Re/Al2O3/Al隧道结的电子隧道测定重掺杂Re膜的超导能隙
王瑞兰, 李宏成, 管惟炎
1987, 36 (12): 1643-1644. doi: 10.7498/aps.36.1643
摘要 +
用Re/Al2O3/Al隧道结的电子隧道测定了重掺杂Re膜的超导能隙,△0=(1.04±0.02)meV,2△0/kTc=3.31±0.04。△0值是用电导极大值法确定的。结果表明,杂质使Re膜的Tc与能隙△0增加了许多倍,但是Re仍然属于弱耦合超导体。
级联型三能级原子受激辐射中的反聚束效应
刘正东
1987, 36 (12): 1645-1651. doi: 10.7498/aps.36.1645
摘要 +
本文讨论了级联型三能级原子与初始处于相干态或混沌态的辐射场相互作用中受激辐射的二阶关联函数的性质,指出存在着场的反聚束效应。
级联双光子过程中的压缩现象
刘正东, 李孝申, 龚昌德
1987, 36 (12): 1652-1657. doi: 10.7498/aps.36.1652
摘要 +
本文采用薛定谔方程方法,研究了能级结构为级联型的三能级原子同单模腔场相互作用下,电磁场的压缩现象。讨论了激发强度及耦合系数对压缩的影响,并揭示了饱和效应和双光子过程的作用以及场-阶相干性与压缩现象的联系。
横向Zeeman He—Ne激光器中非线性混频效应的理论
金浩然, 王庆吉, 郑乐民
1987, 36 (12): 1658-1666. doi: 10.7498/aps.36.1658
摘要 +
本文在文献[1]的基础上,考虑了原子速度的Maxwell分布,利用矢量场模型和Lamb半经典理论,研究了横向Zeeman He-Ne激光器中近简并四波混频效应,给出了高阶非线性项的计算公式,从理论上解释了拍频曲线畸变的物理原因。并利用计算机进行了数值求解,结果表明本文的理论预言与实验结果相符。