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Bi
2
Te
3
的杂质微分凝对温差电性质的影响
罗赞继
,
殷士端
,
唐代维
,
阮圣央
物理学报, 1966,
22(5)
: 515-524.
DOI:
10.7498/aps.22.515
CSTR:
32037.14.aps.22.515
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2
Te
3
Acta Phys. Sin.
, 1966,
22(5)
: 515-524.
DOI:
10.7498/aps.22.515
CSTR:
32037.14.aps.22.515
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在Bridgman法生长的P型和N型Bi2Te3等取向晶体中发现杂质微分凝次结构,对不同微分凝程度的Bi2Te3晶体的电导率、温差电动势率、热导率和霍尔系数在80—330°K温度范围内进行了测量,并分析了在有外场和温度梯度存在时载流子的输运性质,着重研究了杂质微分凝对温差电参数的影响,证实了增加晶体表观热导率的一种机构。
Abstract
作者及机构信息
罗赞继
,
殷士端
,
唐代维
,
阮圣央
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