Vol. 34, No. 9 (1985)
1985年05月05日
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1985, 34 (9): 1111-1118.
doi: 10.7498/aps.34.1111
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本文研究了球对称激光等离子体的快速膨胀过程,求得了快离子在偶极加速下密度和速度的解析表达式和能量定标律,阐明了形成离子动能多峰分布的各种可能的机制。
1985, 34 (9): 1119-1125.
doi: 10.7498/aps.34.1119
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本文分析了下述情况下的电子迴旋波的激射不稳定性:当相对性的单能高能电子斜向注入具有背景等离子体的磁场区域内,并且在电子等离子体频率与电子迴旋频率可以比拟时,考虑了背景等离子体密度远大于单能的高能电子的密度,以及与前者相反的两种情况。当单能的高能电子具有弱相对论性效应时,在电子迴旋频率的基频和二次谐波附近,分别有ο模和χ模的不稳定性存在。文中计算了这两种模的增长率,并作了讨论。
1985, 34 (9): 1126-1132.
doi: 10.7498/aps.34.1126
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x=0.42—0.55的Au1-xNix晶态合金是从液态直接淬火到室温,测量低温下这些合金的磁化曲线(2—70kOe),得到在温度1.5K下的自发磁矩值,并用Arrott-Noakes图线方法确定居里点。首先用Perrier等人提出的最近邻模型计算平均磁矩,和实验结果进行了比较。并提出最及次近邻模型,即考虑到次近邻的影响,假设一个Ni原子的最、次近邻18个原子有11个以上是Ni原子,它就具有和纯Ni一样的磁矩(0.606μB),否则磁矩为零,由此模型计算的平均磁矩值和实验结果比较符合。本文还对合金中自旋集团(spincluster)的存在和自旅集团之间的相互作用作了讨论,给出了表示自旋集团之间铁磁相互作用的平均内场μBH/kB的值。
1985, 34 (9): 1133-1139.
doi: 10.7498/aps.34.1133
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本文报道Li(0.5(1-x))ZnxFe(2.5-0.5x)O4体系在77K,195K和室温的条件下,加上与γ射线方向平行的磁场,可观察到六线磁分裂谱中2,5线的强度随x增加和温度降低变得明显,可确认LiZn铁氧体在B亚点阵的Fe3+磁矩存在倾角。以此计算得到的磁化强度与磁测量得到的数据符合较好。
1985, 34 (9): 1140-1148.
doi: 10.7498/aps.34.1140
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本文对射频电流驱动下的包含干涉项电流的Josephson结方程进行了大量的数值研究工作。我们发现,对应于不同的参数范围,分别出现混沌行为、倍周期分岔序列、混沌带的反序列以及阵发混沌现象。我们也计算了2nP序列的收敛因子δn和功率谱中2k与2k+1分频的平均峰高之比Φ(k)/Φ(k+1)。另外,还研究了周期解的对称性以及它与通向混沌途径的关系。
1985, 34 (9): 1149-1155.
doi: 10.7498/aps.34.1149
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本文对射频电流驱动下的包含干涉项电流的Josephson结系统的阵发混沌行为进行了研究,得到的标度关系与理论预言的相符。此外,我们计算了一些参数下的里亚普诺夫指数以及由此引入定义的吸引子的维数dL,并且还用盒子计数法计算了几组参数下奇异吸引子的柯尔莫哥洛夫容量dc,其值与dL相近。
1985, 34 (9): 1156-1165.
doi: 10.7498/aps.34.1156
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本文提出了一种用加权的高斯-柯西组合函数来拟合衍射线形,并借助傅里叶变换方法不需假定物理宽化函数f(x)的线形而直接得到f(x)积分宽度以测定晶粒大小的方法。这种方法比常用的近似函数方法精确又快速简便,且避免了由于假定物理宽化函数f(x)的线形而带有的人为性和任意性。
1985, 34 (9): 1166-1172.
doi: 10.7498/aps.34.1166
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固液界面处温度的精密测量是晶体生长动力学研究的一个重要实验数据。本实验设计了一种适合于偏光显微镜用的温度调节试样台,用直接动态观察法,借助于直径25微米的铜-康铜热电偶,测量了水杨酸苯酯晶体的固液界面附近的温度分布。在△T<3℃的低过冷度的生长条件下,铜制试样台的热量输运条件稳定。固液界面处的温度增加值约为熔液过冷度的1％。这种温度调节试样台适合于生长机理的高精度定量实验研究。
1985, 34 (9): 1173-1177.
doi: 10.7498/aps.34.1173
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在Li2O≥30mol％的Li2O-B2O3-SiO2系统玻璃中,以Li2O代B2O3或SiO2都导致玻璃网络中带非桥氧的硼酸盐和硅酸盐基团的量的增加;以B2O3代SiO2则使玻璃网络中带和不带非桥氧的硼酸盐基团以及带非桥氧的硅酸盐基团的量都增加。
1985, 34 (9): 1178-1184.
doi: 10.7498/aps.34.1178
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本文在提供Schl?gl一级相变化学反应模型中在反映非平衡相变过程的波前(wave front)波形和波速的基础上,提出用扰动匹配方法研究与该相变相联系的核化过程的临界核与临界泡内组分浓度分布和临界半径。
研究简报
1985, 34 (9): 1185-1190.
doi: 10.7498/aps.34.1185
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用穆斯堡尔谱学并配合宏观手段,研究不同工艺条件下的包钴型γ-Fe2O3磁粉以及扩样试验磁粉,将不同工艺下磁粉矫顽力的变化与微观结构联系起来。
1985, 34 (9): 1191-1193.
doi: 10.7498/aps.34.1191
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通过对L12超导体的研究,我们得出了这类超导体临界温度的表达式Tc=(15.9TBV(B)GA)/(M1/2V(L12)GB)。其中TB是B组元的超导转变温度,V(B)是B组元的原子体积,V(L12)为L12化合物的平均原子体积,M是L12化合物的平均原子量,GA,GB分别为A组元、B组元的Gordy电负性值。
1985, 34 (9): 1194-1198.
doi: 10.7498/aps.34.1194
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本文采用改进了的脉冲技术,测量了分子晶体萘中二次谐波分量与基频声波的关系以及二次谐波振幅随温度的相对变化,对实验结果作了定性解释,指出了今后有待深入研究的问题。
1985, 34 (9): 1199-1201.
doi: 10.7498/aps.34.1199
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本文采用几何和拓扑的方法,讨论弯曲时空中的纯引力共形反常,并得到了纯引力共形反常的新的表达式αεabcdΩabΛΩcd+βεabcd HabΛHcd,其中α,β是任意常数,Ωab与Hab分别是Riemann曲率2-形式与Thomas引入的共形不变曲率2-形式。这里,第一项正比于Euler类,第二项除了包含通常熟知的Wegl张量平方项以外,还含有其它共形不变的不变量。
1985, 34 (9): 1202-1207.
doi: 10.7498/aps.34.1202
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本文给出了Kerr-Newman-De Sitter时空中的Dirac方程的退耦和分离变量,并在Kerr-Newman-De Sitter时空的视界附近通过适当的变换找到了静止质量不为零的Dirac方程的有物理意义的解,导出了Hawking热谱公式,从而解决了Dirac粒子在Kerr-Newman-De Sitter黑洞背景下的Hawking蒸发问题。
1985, 34 (9): 1208-1211.
doi: 10.7498/aps.34.1208
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本文报告在钠蒸汽中,通过四波参量过程在327nm,328nm,330nm及333nm处得到紫外相干辐射及对它们光谱特性的研究结果。其中333nm信号的可调谐范围较宽,是一可能应用的紫外相干光源。
1985, 34 (9): 1212-1214.
doi: 10.7498/aps.34.1212
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本文报道了在12K情况下,对InSb的非线性透过及双稳态现象进行的测量,并用F-P腔双稳态理论作了分析。
1985, 34 (9): 1215-1219.
doi: 10.7498/aps.34.1215
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在高静水压下研究了吡啶的Raman散射谱,研究了液—固相变前后振动模的高压行为。在60kbar附近,观察到晶态—塑料态的相变。在全呼吸模992cm-1的高频边,观测到随压力移动较快的伴峰,它被认为是红宝石颗粒上吸附分子(界面分子)的全呼吸振动模。这一伴峰可能因Mie氏结构共振散射而受到极大的增强。
1985, 34 (9): 1220-1223.
doi: 10.7498/aps.34.1220
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用波长为5321埃、宽度为200微微秒光脉冲泵浦乙醇介质,同时获得了宽度为14微微秒的后向斯托克斯光脉冲和宽度为26微微秒的前向斯托克斯光脉冲。并进行了初步的理论分析。
1985, 34 (9): 1224-1228.
doi: 10.7498/aps.34.1224
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本文研究了含碳(1—10)wt％的Na-β(β″)-Al2O3,指出含碳6wt％以下仍是良好的快离子导体,而且由于混入了碳,离子电导率比纯的Na-β(β″)-Al2O3提高一到两个数量级。样品的体电阻,晶界电阻,双电层电容及其漏电阻等参量都随含碳量的不同而变化。文中详细地讨论了碳的影响。在-40℃到80℃温度范围测量了纯样品与含碳样品的电导温度特性,指出含碳的Na-β(β″)-Al2O3是做双电层电容器的良好材料。
1985, 34 (9): 1229-1232.
doi: 10.7498/aps.34.1229
摘要 +
用X射线衍射形貌法研究了AlPO4晶体中的微观缺陷。在所研究的晶体中,主要晶体缺陷是生长层,沉淀物和位错。位错密度在晶体表面附近最大,晶体中部较低。位错主要起源于热应力和由沉淀物或生长层所造成的晶格畸变。多数位错的柏氏矢量是b=(a+c)型,部分的是b=a[2110]。分析了晶体缺陷与生长条件之间的关系。控制生长过程中的温度波动,特别是晶体出炉时的冷却速度,对提高晶体完美性是重要的。
