1984年 33卷 第12期
1984, 33(12): 1629-1639.
doi: 10.7498/aps.33.1629
摘要:
本文计算了在磁场中,窄禁带半导体的能级和波函数、双光子跃迁的选择定则以及双光子磁吸收系数,并将计算结果与实验进行了比较。
本文计算了在磁场中,窄禁带半导体的能级和波函数、双光子跃迁的选择定则以及双光子磁吸收系数,并将计算结果与实验进行了比较。
1984, 33(12): 1640-1649.
doi: 10.7498/aps.33.1640
摘要:
本文讨论了在磁场中,窄禁带半导体在双光子吸收线附近的三阶非线性,并计算了在带边的几个非线性Faraday旋转峰和Voigt相移峰的位置和相对强度。
本文讨论了在磁场中,窄禁带半导体在双光子吸收线附近的三阶非线性,并计算了在带边的几个非线性Faraday旋转峰和Voigt相移峰的位置和相对强度。
1984, 33(12): 1650-1660.
doi: 10.7498/aps.33.1650
摘要:
本文仔细地分析了当无序体系被嵌放在一个无限有序体系之中时,边界条件对体系本征态的影响。结果表明,在离边界距离大于局域长度的区域内,这种本征态能够重现无序体系的性质。这就提出了研究无序体系本征态的一种方便的方法。
本文仔细地分析了当无序体系被嵌放在一个无限有序体系之中时,边界条件对体系本征态的影响。结果表明,在离边界距离大于局域长度的区域内,这种本征态能够重现无序体系的性质。这就提出了研究无序体系本征态的一种方便的方法。
1984, 33(12): 1661-1672.
doi: 10.7498/aps.33.1661
摘要:
本文采用Langevin量子理论处理光泵三能级激光体系。在激光场的光子数不太高时导出一个普适的激光场Van der Pol运动方程。它既包括了非相干和相干泵浦,又包括了强泵浦和弱泵浦情况。若对热库取平均,该方程将给出半经典理论的全部结果。本文的结果表明,激光增益来源于两个基本过程:两个光子过程和两步过程。当泵浦强度大于某阈值时,将出现动态斯塔克效应。激光线宽主要来源于热噪声、真空涨落、激光能级的自发辐射以及自发Raman散射。
本文采用Langevin量子理论处理光泵三能级激光体系。在激光场的光子数不太高时导出一个普适的激光场Van der Pol运动方程。它既包括了非相干和相干泵浦,又包括了强泵浦和弱泵浦情况。若对热库取平均,该方程将给出半经典理论的全部结果。本文的结果表明,激光增益来源于两个基本过程:两个光子过程和两步过程。当泵浦强度大于某阈值时,将出现动态斯塔克效应。激光线宽主要来源于热噪声、真空涨落、激光能级的自发辐射以及自发Raman散射。
1984, 33(12): 1673-1679.
doi: 10.7498/aps.33.1673
摘要:
我们用两个频率相近的微波同时作用在87Rb气泡中的原子上,在85Rb灯的抽运下,观察到了87Rb原子基态0—0跃迁共振谱线中的拍频现象,并给予了理论解释。
我们用两个频率相近的微波同时作用在87Rb气泡中的原子上,在85Rb灯的抽运下,观察到了87Rb原子基态0—0跃迁共振谱线中的拍频现象,并给予了理论解释。
1984, 33(12): 1680-1686.
doi: 10.7498/aps.33.1680
摘要:
慢旋转条件下,四极相互作用产生的FID分解为一系列旋转回波。当旋转轴向与外磁场方向夹角趋近于魔角时,观测到的回波数增加。由此,可在MAS-NMR实验中准确、迅速地确定魔角。本文分析了自旋为1的核的FID解析式,理论上解释了这一现象。以氘代HMB为例的实验证明确定魔角的准确度可达到±0.05°的数量级。
慢旋转条件下,四极相互作用产生的FID分解为一系列旋转回波。当旋转轴向与外磁场方向夹角趋近于魔角时,观测到的回波数增加。由此,可在MAS-NMR实验中准确、迅速地确定魔角。本文分析了自旋为1的核的FID解析式,理论上解释了这一现象。以氘代HMB为例的实验证明确定魔角的准确度可达到±0.05°的数量级。
1984, 33(12): 1687-1692.
doi: 10.7498/aps.33.1687
摘要:
本文用会聚束电子衍射方法测定了我们生长的新晶体LiZnTa3O9和LiCaTa3O9的对称性,得出LiZnTa3O9晶体属三方晶系,点阵参数a=0.557nm,a=56.12°,点群为3m,空间群为R3c。LiCaTa3O9晶体属四方晶系,点阵参数a=0.778nm,c=0.783nm,点群为4/mmm。
本文用会聚束电子衍射方法测定了我们生长的新晶体LiZnTa3O9和LiCaTa3O9的对称性,得出LiZnTa3O9晶体属三方晶系,点阵参数a=0.557nm,a=56.12°,点群为3m,空间群为R3c。LiCaTa3O9晶体属四方晶系,点阵参数a=0.778nm,c=0.783nm,点群为4/mmm。
1984, 33(12): 1693-1699.
doi: 10.7498/aps.33.1693
摘要:
本文讨论了晶体单色器高次衍射形成的谐波对EXAFS振幅的影响。给出了一般计算表达式和计算实例。这种影响是使EXAFS振幅减小,它与谐波和基波强度之比、样品厚度及吸收系数等因素有关。分别测量了不同厚度的铜箔样品有谐波与无谐波时的K吸收EXAFS谱,得出的单配位层EXAFS振幅的变化测量值与计算值相符。从而提供了对谐波影响进行修正的方法。
本文讨论了晶体单色器高次衍射形成的谐波对EXAFS振幅的影响。给出了一般计算表达式和计算实例。这种影响是使EXAFS振幅减小,它与谐波和基波强度之比、样品厚度及吸收系数等因素有关。分别测量了不同厚度的铜箔样品有谐波与无谐波时的K吸收EXAFS谱,得出的单配位层EXAFS振幅的变化测量值与计算值相符。从而提供了对谐波影响进行修正的方法。
1984, 33(12): 1700-1706.
doi: 10.7498/aps.33.1700
摘要:
本文用阻抗谱方法研究了Li3+xV1-xTxO4(T=Si,Ge)多晶的离子导电性,发现一些工艺条件如成型压强、烧结时间和烧结程序对电导率有很大影响。注意分析了这些影响的物理起因。最佳工艺条件是:在大约8t/cm2压强下成型样品。在1000℃连续烧结5至6天,烧结过程中,应尽量避免温度波动。在此条件下制备的Li3.5V0.5Ge0.5
本文用阻抗谱方法研究了Li3+xV1-xTxO4(T=Si,Ge)多晶的离子导电性,发现一些工艺条件如成型压强、烧结时间和烧结程序对电导率有很大影响。注意分析了这些影响的物理起因。最佳工艺条件是:在大约8t/cm2压强下成型样品。在1000℃连续烧结5至6天,烧结过程中,应尽量避免温度波动。在此条件下制备的Li3.5V0.5Ge0.5
1984, 33(12): 1707-1712.
doi: 10.7498/aps.33.1707
摘要:
本文研究了2KIO3·HCI单晶的水溶液生长条件、结晶形态及其极性。就该晶体的透过率、光性方位及折射率等光学性质作了测量和讨论。观察到了YAG激光1.064μm位相匹配倍频现象。对该晶体的热电、压电、介电及电导等电学性质也作了测量。该晶体的各向异性现象很值得注意。
本文研究了2KIO3·HCI单晶的水溶液生长条件、结晶形态及其极性。就该晶体的透过率、光性方位及折射率等光学性质作了测量和讨论。观察到了YAG激光1.064μm位相匹配倍频现象。对该晶体的热电、压电、介电及电导等电学性质也作了测量。该晶体的各向异性现象很值得注意。
1984, 33(12): 1713-1718.
doi: 10.7498/aps.33.1713
摘要:
用俄歇电子能谱观察清洁InP表面在电子束照射下与真空室中H2O和O2的相互作用,发现水蒸汽所引起的电子束感应吸附氧的作用比氧气要明显得多。在吸附氧的同时,In和P的俄歇信号也发生变化,分析其过程为一种氧化过程,氧一开始先同表面的In结合成为氧化铟,随后向表面以内透入,并不断同In和P结合,氧化层的厚度随时间几乎是线性地增加的。与InP的自体氧化层的俄歇深度分布相比较,二者极为相似,所不同的是,电子束感应吸附的氧不足以使表面层中的磷全部氧化,而ESO的氧化层中磷的
用俄歇电子能谱观察清洁InP表面在电子束照射下与真空室中H2O和O2的相互作用,发现水蒸汽所引起的电子束感应吸附氧的作用比氧气要明显得多。在吸附氧的同时,In和P的俄歇信号也发生变化,分析其过程为一种氧化过程,氧一开始先同表面的In结合成为氧化铟,随后向表面以内透入,并不断同In和P结合,氧化层的厚度随时间几乎是线性地增加的。与InP的自体氧化层的俄歇深度分布相比较,二者极为相似,所不同的是,电子束感应吸附的氧不足以使表面层中的磷全部氧化,而ESO的氧化层中磷的
1984, 33(12): 1719-1727.
doi: 10.7498/aps.33.1719
摘要:
本文在Hartree-Fock近似下,计算出金属表面的非均匀电子体系的电子关联函数g(r1,r2)。
本文在Hartree-Fock近似下,计算出金属表面的非均匀电子体系的电子关联函数g(r1,r2)。
1984, 33(12): 1728-1732.
doi: 10.7498/aps.33.1728
摘要:
本文给出了磁场中的Kerr-Newman-Kasuya黑洞(旋转双荷黑洞)的电磁场的严格表式。在Φ《Q=-2B0J的特殊情况下,给出了慢速转动的Kerr-Newman-Kasuya黑洞的引力场表式。
本文给出了磁场中的Kerr-Newman-Kasuya黑洞(旋转双荷黑洞)的电磁场的严格表式。在Φ《Q=-2B0J的特殊情况下,给出了慢速转动的Kerr-Newman-Kasuya黑洞的引力场表式。
1984, 33(12): 1733-1739.
doi: 10.7498/aps.33.1733
摘要:
用能量为MeV量级的α粒子背散射方法测定了大剂量N+ (5×1017 atom/cm2,100keV)注入铁膜(厚约4000?)及铁块(工业纯)的注入离子的浓度-深度分布。由于大剂量杂质的注入,使基体背散射谱出现“凹坑”,提出了一种利用“凹坑”计算杂质分布的方法。
用能量为MeV量级的α粒子背散射方法测定了大剂量N+ (5×1017 atom/cm2,100keV)注入铁膜(厚约4000?)及铁块(工业纯)的注入离子的浓度-深度分布。由于大剂量杂质的注入,使基体背散射谱出现“凹坑”,提出了一种利用“凹坑”计算杂质分布的方法。
1984, 33(12): 1740-1744.
doi: 10.7498/aps.33.1740
摘要:
使用能量为1MeV的He+离子沿〈110〉晶轴方向和随机方向穿透单晶金箔,对He+的4f→3d跃迁的4686?光的Stokes参数进行了精细的测量,为有争议的束箔离子的极化机制提供了实验依据。
使用能量为1MeV的He+离子沿〈110〉晶轴方向和随机方向穿透单晶金箔,对He+的4f→3d跃迁的4686?光的Stokes参数进行了精细的测量,为有争议的束箔离子的极化机制提供了实验依据。
1984, 33(12): 1745-1752.
doi: 10.7498/aps.33.1745
摘要:
本文提出了一种通过傅里叶变换在频域内进行正电子湮没寿命谱分析的方法。文中对正电子湮没寿命谱的傅里叶变换谱的基本特性和该方法的潜在优点进行了若干讨论。
本文提出了一种通过傅里叶变换在频域内进行正电子湮没寿命谱分析的方法。文中对正电子湮没寿命谱的傅里叶变换谱的基本特性和该方法的潜在优点进行了若干讨论。
1984, 33(12): 1753-1758.
doi: 10.7498/aps.33.1753
摘要:
本文研究了低温凝聚InSb膜相变过程中出现的时间效应和超导电性,获得了几个重要结果:(a)低温凝聚InSb膜从发生第一次电导跃变以后到第二次电导跃变之前,样品处于同一非晶金属态,并且具有相同的超导转变温度Tc;(b)Tc和退火温度Ta的关系十分类似于电导随Ta的变化关系;(c)随着第二次电导峰值后的电导下降,在某些特殊的相变区R(T)超导转变中,样品由完全的超导电性逐渐过渡到部分的超导电性;(d)相变过程中存在显著的时
本文研究了低温凝聚InSb膜相变过程中出现的时间效应和超导电性,获得了几个重要结果:(a)低温凝聚InSb膜从发生第一次电导跃变以后到第二次电导跃变之前,样品处于同一非晶金属态,并且具有相同的超导转变温度Tc;(b)Tc和退火温度Ta的关系十分类似于电导随Ta的变化关系;(c)随着第二次电导峰值后的电导下降,在某些特殊的相变区R(T)超导转变中,样品由完全的超导电性逐渐过渡到部分的超导电性;(d)相变过程中存在显著的时
1984, 33(12): 1759-1764.
doi: 10.7498/aps.33.1759
摘要:
利用Gilkey的结果,本文求得了标量场、旋量场和矢量场的格林函数的DeWitt-Schwinger展开中的α3系数,并由此求得了de Sitter时空中这些场的真空能量张量在大质量下的近似。
利用Gilkey的结果,本文求得了标量场、旋量场和矢量场的格林函数的DeWitt-Schwinger展开中的α3系数,并由此求得了de Sitter时空中这些场的真空能量张量在大质量下的近似。
1984, 33(12): 1765-1770.
doi: 10.7498/aps.33.1765
摘要:
室温下测量了LiKSO4单晶的旋光频散特性,用“晶体”旋光模型可以很好地拟合实验结果。在-180℃到680℃温度范围内,测量了LiKSO4的旋光度,观测到四个相交:低温相变具有显著的温度迴线,相变温度随样品而异。讨论了上述相变模式与目前已报道的LiKSO4相变资料之间的关系。
室温下测量了LiKSO4单晶的旋光频散特性,用“晶体”旋光模型可以很好地拟合实验结果。在-180℃到680℃温度范围内,测量了LiKSO4的旋光度,观测到四个相交:低温相变具有显著的温度迴线,相变温度随样品而异。讨论了上述相变模式与目前已报道的LiKSO4相变资料之间的关系。
1984, 33(12): 1771-1775.
doi: 10.7498/aps.33.1771
摘要:
用电化学方法制备了以BF4-,HSO4-和ClO4-掺杂的聚吡咯薄膜,其电导率和电导率的温度依赖性分别用标准四探针法和电压端短路法VSC(Voltage Shorted compaction)测试。实验结果表明:由标准四探针法所得到的电导率的温度依赖性呈现典型的半导体特性。由于掺杂聚吡咯薄膜的形态是块状物的堆砌,四探针法所得电导率及其温度依赖性由块与块之间的接触电阻所限制,并
用电化学方法制备了以BF4-,HSO4-和ClO4-掺杂的聚吡咯薄膜,其电导率和电导率的温度依赖性分别用标准四探针法和电压端短路法VSC(Voltage Shorted compaction)测试。实验结果表明:由标准四探针法所得到的电导率的温度依赖性呈现典型的半导体特性。由于掺杂聚吡咯薄膜的形态是块状物的堆砌,四探针法所得电导率及其温度依赖性由块与块之间的接触电阻所限制,并
