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1990年  39卷  第10期

原子和分子物理学
Ru原子Rydberg态的能级结构
唐建志, 许祥源, 黄雯, 赵文正
1990, 39(10): 1531-1535. doi: 10.7498/aps.39.1531
摘要:
本文描述用激光共振激发-场电离方法测量Ru原子的4d7(4F)ns系列和4d7(4F)nd系列Rydberg态的能级结构,对可能的多重态的相对谱线强度进行了计算。理论计算与实验结果符合得很好,由此可以确定出观测到的各谱线的光谱项。
SrI 4dnp和4dnf奇宇称J=1系列自电离态光谱
张森, 梅式民, 邱济真, 徐云飞
1990, 39(10): 1536-1541. doi: 10.7498/aps.39.1536
摘要:
用激光三步激发方法,以4d2 3P0价态为中间态,观察了Sr原子4dnp和4dnf奇宇称J=1系列自电离态光谱,在59570—60300cm-1范围内,测定了60个自电离能级,其中大多数可归属于分别收敛于4d2D3/2和4d2D5/2电离限的6个自电离系列,讨论了光谱线的线型和组态相互作用。
强红外激光场中氟里昂123分子内的V-V能量转移
杨立书, 刘宗才, 鲁士平, 荀克用, 汪正民
1990, 39(10): 1542-1546. doi: 10.7498/aps.39.1542
摘要:
用无明显拖尾的TEACO2激光强脉冲“超激发”氟里昂123分子(CF3CHCl2和CF3CDCl2),使其形成很高激发态。在一定条件下,在离解过程中,这种分子主要表现为具有较高键能的C—C键被打断,其主要产物是C2F6和丙二烯及其取代物,而具有最低键能的C—Cl键的开裂却很少,离解产物的相对产量与激光能流密度的关系曲线指出,氟里昂<
态—态振动能量跃迁的时间分辨研究(Ⅰ)——碘分子的自碰撞过程
向天翔, 孙胜, 龚顺生, 王嘉铭
1990, 39(10): 1547-1554. doi: 10.7498/aps.39.1547
摘要:
本文介绍了采用可调脉冲激光技术和时间分辨色散荧光方法研究态-态碰撞动力学的实验过程。在实验中直接观测了处于电子振动激发态B3Πou+(v'=19)的碘分子在自碰撞事件中朝相邻振动态跃迁的衰变过程,得到态—态振动跃迁速率常数,kv(19→18)=(2.21±0.33)×10-11cm3s-1mol-1和kv(19
唯象论的经典领域
通过注入激光提高腔内参量放大光的压缩
谭维翰, 张卫平, 谭微思
1990, 39(10): 1555-1562. doi: 10.7498/aps.39.1555
摘要:
本文将证明采用注入激光以弥补腔内损耗,减少无规力的作用,可以获得很高的腔内参量放大光的压缩。
玻璃板条激光器的热效应
黄国松, 张国轩, 顾绍庭, 顾根才, 朱从善
1990, 39(10): 1563-1569. doi: 10.7498/aps.39.1563
摘要:
本文报道了矩形玻璃板条激光器泵浦感应热效应引起的激光材料热破坏和光学畸变的实验结果,给出了与实验结果相符的计算公式。
β-BaB2O4晶体中367.3—379.4nm的和频产生
鲁士平, 袁怿谦, 杨立书
1990, 39(10): 1570-1572. doi: 10.7498/aps.39.1570
摘要:
用调谐的Rh·6G染料激光与Q-YAG激光在β-BaB2O4(BBO)晶体中和频,已获得367.3—379.4nm范围内连续可调谐输出,和频输出能量为2mJ,转换效率为12%,还讨论了非共线传播对和频输出能量及转换效率的影响。
流体、等离子体和放电
输运与撕裂模相互作用下等离子体的时空结构
张澄, 邓晓华, 霍裕平
1990, 39(10): 1573-1582. doi: 10.7498/aps.39.1573
摘要:
本文应用等离子体一维输运模型与撕裂模理论,对于不同的输运模型和托卡马克放电参数下撕裂模的演变进行了数值研究。结果表明,能量过程是影响等离子体宏观稳定性行为的一个不可低估的重要因素,它们与磁流体稳定性的相互影响,会使其磁流体形态构成多种时间或空间结构,等离子体温度、密度等宏观参量也将表现出不同的时空特征。
高气压钠电弧的温度分布
吴美萍, 周太明, 蔡祖泉
1990, 39(10): 1583-1590. doi: 10.7498/aps.39.1583
摘要:
本文介绍一种计算高气压钠电弧温度分布的方法,在电弧处于局部热平衡状态的假定下,采用扩散近似来得到辐射通量密度,计算中考虑了由于热导、辐射的发射和吸收等因素所引起的能量转移。用这一方法计算了250Torr压强下钠放电的特性,并用Bartels方法对该电弧进行了实验诊断,将计算得到的温度与实验测量进行了比较。
凝聚物质:结构、热学和力学性质
晶体缺陷规范场中的刃位错
高飞
1990, 39(10): 1591-1598. doi: 10.7498/aps.39.1591
摘要:
本文用位错连续分布方法表出了刃位错所产生的应变和应力场,得到了刃位错芯区内、外的应力场,位错芯区的无限小位错分布用缺陷规范场表出,并在一定规范条件下求解了位错规范场,在刃位错芯区外,其应力场与Volterra位错的应力场完全一样,而在芯区内,当r趋于零,刃位错的应力场为有限,消除了应力的奇异性。
由Tb4O7晶体清洁(111)表面生成60°混合位错的直接原子成象
宁小光, 叶恒强
1990, 39(10): 1599-1601. doi: 10.7498/aps.39.1599
摘要:
本文通过对Tb4O7晶体清洁(111)表面的侧面象原位观察,获得了从(111)表面生成60°混合位错的动态过程的原子象。
延时断裂统计理论
邢修三
1990, 39(10): 1602-1613. doi: 10.7498/aps.39.1602
摘要:
本文研究了广泛应力范围内(1》(ασ)/(Kt)》1)热激活延时断裂统计理论,文中从微裂纹按原子键机理随机演化导致断裂的思路出发,导出了微裂纹分布函数、断裂几率、可靠性、强度和寿命的统计分布函数及其统计平均值。
铌酸钡钠晶体中铁弹相变的实时观察
徐秀英, 张杏奎, 许自然
1990, 39(10): 1614-1618. doi: 10.7498/aps.39.1614
摘要:
用锥光干涉图实时观察铌酸钡钠(BNN)晶体中的铁弹相变,实验表明从室温至300℃范围内相变是连续变化的,且呈弥散型转变,较快的区域在250±20℃范围内,升、降温曲线存在热滞约20—40℃,在相变过程中实时观察到孪晶(铁弹畴)的消失和再现均与相变同步,还发现孪晶的存在对相变转折点Ts有很大影响,它使Ts降低,热滞变大,缺陷和局域的组份不均匀是造成相变弥散型的主要原因。
高压下半磁半导体Cd1-xMnxSe的相变研究
姜山, 沈学础, 胡静竹
1990, 39(10): 1619-1623. doi: 10.7498/aps.39.1619
摘要:
利用金刚石对顶砧高压装置,并分别用光吸收和X射线衍射实验方法测量了Cd1-xMnxSe样品在高压下的相变,发现该样品的高压相变是不可逆,常压下Cd1-xMnxSe具有纤维锌矿结构,高压下变为NaCl结构,而卸压后成为闪锌矿结构,同时给出了Cd1-xMnxSe样品的相变压力及其与组分x的关系。
封闭系统中的浸润相变
丁鄂江
1990, 39(10): 1624-1634. doi: 10.7498/aps.39.1624
摘要:
本文讨论了两平行墙之间的流体在温度、体积和粒子数固定的条件下发生的浸润相变,所得结果表明,封闭系统与开放系统的浸润相变现象不同,本文的理论讨论与Monte-Carlo模拟所得结论一致。
磁场-微波等离子体与大面积金刚石薄膜
宋汝安, 程先安, 周忠毅
1990, 39(10): 1635-1639. doi: 10.7498/aps.39.1635
摘要:
在磁场辅助下电子回旋共振(ECR)效应在大的空间范围形成高密度的等离子体,为大面积金刚石薄膜的淀积提供有利条件,以CH4-H2为原料气体,在Si基片上,在比其他制备方法更低的压强(3Torr附近)下已制备出直径约为5cm的金刚石薄膜,从空间等离子体范围来看且有可能达更大的面积,在分析等离子体发射光谱的基础上,对0.5到50Torr压强的金刚石气相生长条件作了讨论。
(Si)n/(Ge)n超晶格几何结构
资剑, 张开明
1990, 39(10): 1640-1646. doi: 10.7498/aps.39.1640
摘要:
本文用Keating模型计算了Si1-xGex(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)n/(Ge)n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)n/(Ge)n超晶格,用适当的Si1-xGex作衬底有利于超晶格的生长。
插层化合物LiV2O4的制备与实验研究
刘在海, 张文彬, 王刚
1990, 39(10): 1647-1652. doi: 10.7498/aps.39.1647
摘要:
用化学方法从层状化合物LiVO2中引出0.5个Li后得到Li0.5VO2,再经过低温真空热处理制备出尖晶石结构化合物LiV2O4,类似地处理Li0.465VO2,得到缺Li的Li0.93V2O4,LiV2O4和Li0.93V
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构
申三国, 范希庆
1990, 39(10): 1653-1660. doi: 10.7498/aps.39.1653
摘要:
本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精细相互作用常数α和b,同实验符合得很好。
反应溅射制备a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷的研究
王印月, 张仿清, 陈光华
1990, 39(10): 1661-1664. doi: 10.7498/aps.39.1661
摘要:
本文通过电导率σ(T)和异质结电容-电压关系(C-V)的测量,研究了反应溅射制备的a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷。
氧在GaP(111)上的初级吸附阶段
肖撼宇, 卢学坤, 董国胜, 丁训民, 陈平
1990, 39(10): 1665-1670. doi: 10.7498/aps.39.1665
摘要:
采用多种表面分析手段,系统地研究了氧在GaP(111)上的吸附,发现氧的初级吸附在1×104L时就已饱和,获得了有关这一阶段表面电子结构的变化、表面能带弯曲、化学吸附反应等方面的信息,发现这一吸附阶段与表面缺陷有关,适当地加热处理则可能将缺陷和氧一同去除,因此这有可能成为一种有效的、去除缺陷的表面工程手段。
稀磁体系相变的相界关系
郑茂盛, 刘云鹏, 罗恩泽
1990, 39(10): 1671-1675. doi: 10.7498/aps.39.1671
摘要:
本文将纯键和纯座逾渗的普适关系作了推广,建立了键座混合逾渗的相界关系,并讨论了稀磁体系相变问题,给出了稀磁体系相变的相界关系,与以往文献中所给出的级数展开、有限集团近似,以及数值模拟等方法相比较,本文所给出的关系式简单、直观、物理概念清晰,且较为精确。
重费密子体系的磁化率反常
张裕恒, 张伟杰
1990, 39(10): 1676-1683. doi: 10.7498/aps.39.1676
摘要:
作者之一提出重费密子体系是一种f电子可以随温度变化的Kondo体系,f电子被束缚在费密面附近的一个窄带上,由此模型,本文在理论上给出磁化率随温度的变化关系,统一地解释了磁化率的各种反常,理论的数值计算给出了八种重费密子的磁化率,它们都与实验曲线较好地符合,同时讨论了重费密子体系的磁化率对样品的依赖性。
实验室EXAFS测量中单色器晶体二级衍射的应用
王文采, 杨春来, 陈玉
1990, 39(10): 1684-1690. doi: 10.7498/aps.39.1684
摘要:
本文研究了实验室EXAFS测量中,应用单色器晶体二级衍射的有关问题,当测定的能量范围内,X射线连续谱上存在杂质发射线时,将导致测定吸收谱精细结构的畸变,研究了对这种谱线畸变进行修正的方法,并对采用晶面二级衍射测定时,EXAFS谱振幅降低的情况下如何求得正确的结构参数进行了讨论。
CO和K在Fe(110)面共吸附的高分辨电子能量损失谱研究
朱立, 鲍世宁, 徐亚伯, 王浭
1990, 39(10): 1691-1696. doi: 10.7498/aps.39.1691
摘要:
本工作用高分辨电子能量损失谱(HREELS)对Fe(110)面CO和K的共吸附进行了研究,发现存在三种CO吸附状态,表现为不同的C—O振动频率,当θk=0.03时,存在与K近程、中程和远程三种不同相互作用的CO,当θk=0.06时,与K远程作用的CO吸附状态消失,近程作用的CO占据主要地位,所有CO的C—O振动频率均随CO暴露量的增加向高波数方向移动,随着表面K的增多,CO—Fe振动损失峰消失。