1995年 44卷 第5期
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1995, 44(5): 673-677.
doi: 10.7498/aps.44.673
摘要:
对于2+1维的可积的Khokhlov-Zabolotskaya方程,利用形式级数对称的方法,得到了一包含无穷多任意时间函数的无穷多截断对称。由这些对称构成的无限维李代数是W_(?)代数的推广。
对于2+1维的可积的Khokhlov-Zabolotskaya方程,利用形式级数对称的方法,得到了一包含无穷多任意时间函数的无穷多截断对称。由这些对称构成的无限维李代数是W_(?)代数的推广。
1995, 44(5): 678-684.
doi: 10.7498/aps.44.678
摘要:
用偏振激光两步激发得到Yb原子不同|m|值的里德伯态和4f~(13)5d6s6p价态,采用脉冲场电离方法测定了6sns~1S_0(n=21—28),m=0和6snd~1D_2(n=20—27),|m|=0,1各里德伯态及4f~(13)5d6s6p价态的电离阈值。引入stark有效量子数n_s对电离阈值作了计算。对实验和计算结果作了对比分析。讨论了场电离过程中价态与里德伯态之间的相互作用及其对电离阈值的影响。
用偏振激光两步激发得到Yb原子不同|m|值的里德伯态和4f~(13)5d6s6p价态,采用脉冲场电离方法测定了6sns~1S_0(n=21—28),m=0和6snd~1D_2(n=20—27),|m|=0,1各里德伯态及4f~(13)5d6s6p价态的电离阈值。引入stark有效量子数n_s对电离阈值作了计算。对实验和计算结果作了对比分析。讨论了场电离过程中价态与里德伯态之间的相互作用及其对电离阈值的影响。
1995, 44(5): 685-692.
doi: 10.7498/aps.44.685
摘要:
研究Eu原子束通过六极、二极磁铁选态系统时的偏转特性,主要考察如何合理选取选态系统参量以获得较高的选择性和较大的原子穿透立体角。本文结果,对磁偏转法浓缩非碱同位素等要求选态系统同时具备较高的选择性和较大的原子穿透立体角的实验有应用价值。
研究Eu原子束通过六极、二极磁铁选态系统时的偏转特性,主要考察如何合理选取选态系统参量以获得较高的选择性和较大的原子穿透立体角。本文结果,对磁偏转法浓缩非碱同位素等要求选态系统同时具备较高的选择性和较大的原子穿透立体角的实验有应用价值。
1995, 44(5): 693-699.
doi: 10.7498/aps.44.693
摘要:
用原子捕获膜技术结合卢瑟福背散射谱,测定了具有相同原子能量(16keV/原子)的~(25)Si_m~-(n=1,2)离子冲击Ag靶的溅射原子角分布。结果表明,~(26)Si_1~-冲击引起的Ag原子角分布较~(25)Si_2~-冲击在小发射角θ(Ag原子发射方向与靶表面法线方向之间的夹角)区有更大的增强。结合扫描电子显微镜对靶点表面的分析,我们认为这种角分布变化,可能暗示必须考虑靶点表面形貌特征差别的影响。
用原子捕获膜技术结合卢瑟福背散射谱,测定了具有相同原子能量(16keV/原子)的~(25)Si_m~-(n=1,2)离子冲击Ag靶的溅射原子角分布。结果表明,~(26)Si_1~-冲击引起的Ag原子角分布较~(25)Si_2~-冲击在小发射角θ(Ag原子发射方向与靶表面法线方向之间的夹角)区有更大的增强。结合扫描电子显微镜对靶点表面的分析,我们认为这种角分布变化,可能暗示必须考虑靶点表面形貌特征差别的影响。
1995, 44(5): 700-707.
doi: 10.7498/aps.44.700
摘要:
研究了宽带压缩真空库中与激光场作用的V型三能级原子的稳态行为,在原于的偶极矩阵元取不同的方向时讨论了原子的稳态柱子布居值与库场特性之间的关系。
研究了宽带压缩真空库中与激光场作用的V型三能级原子的稳态行为,在原于的偶极矩阵元取不同的方向时讨论了原子的稳态柱子布居值与库场特性之间的关系。
1995, 44(5): 708-714.
doi: 10.7498/aps.44.708
摘要:
研究了关联双模SU(1,1)相干态场与V型三能级原子的相互作用对原子动力学行为的影响及双模场的量子统计性质随时间的演化,证明了在双模SU(1,1)相干态光场作用下,原子的拉比振荡表现出与光场初态为双模压缩真空态或SU(2)相干态时的完全不同的特征。
研究了关联双模SU(1,1)相干态场与V型三能级原子的相互作用对原子动力学行为的影响及双模场的量子统计性质随时间的演化,证明了在双模SU(1,1)相干态光场作用下,原子的拉比振荡表现出与光场初态为双模压缩真空态或SU(2)相干态时的完全不同的特征。
1995, 44(5): 715-725.
doi: 10.7498/aps.44.715
摘要:
介绍利用等离子体磁面的傅里叶及边缘泰勒展开的解析表达式,得到非圆截面托卡马克等离子体边缘磁面结构的快速mapping方法。最后作为例子给出在TEXT-U装置实验中上的mapping图。
介绍利用等离子体磁面的傅里叶及边缘泰勒展开的解析表达式,得到非圆截面托卡马克等离子体边缘磁面结构的快速mapping方法。最后作为例子给出在TEXT-U装置实验中上的mapping图。
1995, 44(5): 726-733.
doi: 10.7498/aps.44.726
摘要:
提出了δ束入射到平面晶体时边界条件的处理方法,进而求得了δ束入射到平行平面板晶体时,布拉格情况的束流强度二维解析解。利用上述结果讨论了有限宽入射束的Fankuchen效应。
提出了δ束入射到平面晶体时边界条件的处理方法,进而求得了δ束入射到平行平面板晶体时,布拉格情况的束流强度二维解析解。利用上述结果讨论了有限宽入射束的Fankuchen效应。
1995, 44(5): 745-754.
doi: 10.7498/aps.44.745
摘要:
采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。
采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。
1995, 44(5): 763-771.
doi: 10.7498/aps.44.763
摘要:
用原子簇团模拟人工金刚石膜生长过程中的一些生长核,采用从头自治的DV-X_n方法对这些簇团和与生长过程有关的一些气相分子和基团(CH,CH_2,CH_3,·CH_3,CH_4·H,C_2H,C_2H_2,C_2H_4)进行了电子结构计算,从化学反应活性的角度探讨金刚石膜生长过程中这些气相分子和基团与生长核的反应活性,结果表明,CH,CH_2,CH_3,CH_4·H和变形的C_2H_2更易于与金刚石表面发生化学吸附。另外,通过分析簇团的电子态密度和前线分子轨道的组成情况,提出了人工金刚石膜生长中生长核长大的
用原子簇团模拟人工金刚石膜生长过程中的一些生长核,采用从头自治的DV-X_n方法对这些簇团和与生长过程有关的一些气相分子和基团(CH,CH_2,CH_3,·CH_3,CH_4·H,C_2H,C_2H_2,C_2H_4)进行了电子结构计算,从化学反应活性的角度探讨金刚石膜生长过程中这些气相分子和基团与生长核的反应活性,结果表明,CH,CH_2,CH_3,CH_4·H和变形的C_2H_2更易于与金刚石表面发生化学吸附。另外,通过分析簇团的电子态密度和前线分子轨道的组成情况,提出了人工金刚石膜生长中生长核长大的
1995, 44(5): 772-778.
doi: 10.7498/aps.44.772
摘要:
测量了高质量的GdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的电阻及磁阻曲线,应用Lawrence-Doniach理论对实验曲线进行了拟合,得到了一组自洽且合理的参数值,由ln(σ—σ_(?))-Int曲线可以明显地看到存在一个二维向三维的转变。
测量了高质量的GdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的电阻及磁阻曲线,应用Lawrence-Doniach理论对实验曲线进行了拟合,得到了一组自洽且合理的参数值,由ln(σ—σ_(?))-Int曲线可以明显地看到存在一个二维向三维的转变。
1995, 44(5): 779-787.
doi: 10.7498/aps.44.779
摘要:
报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。
报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。
1995, 44(5): 788-794.
doi: 10.7498/aps.44.788
摘要:
利用Muffin-Tin轨道线性组合法(LMTO),采用Slab模型,不仅计算了CdTe(111)表面两类模型四种表面的电子结构,给出了总态密度,包括表面态在内的局域及分波态密度,而且与同步辐射实验结果比较分析了这些模型表面结构的稳定性;阐明了清洁理想CdTe(111)表面存在时,表层原子可能存在状态,该结果与Wu等的实验结果符合。
利用Muffin-Tin轨道线性组合法(LMTO),采用Slab模型,不仅计算了CdTe(111)表面两类模型四种表面的电子结构,给出了总态密度,包括表面态在内的局域及分波态密度,而且与同步辐射实验结果比较分析了这些模型表面结构的稳定性;阐明了清洁理想CdTe(111)表面存在时,表层原子可能存在状态,该结果与Wu等的实验结果符合。
1995, 44(5): 795-805.
doi: 10.7498/aps.44.795
摘要:
纯的TlSrCaCuO体系难以制备1223型超导铜氧化物,报道了合成和用粉末X射线衍射、电子衍射鉴定了一大类新型1223相高T_c超导层型铜氧化物(Tl_(1_x)M_s)(Sr_(2_y)Ba_y)Ca_2Cu_3O_x,其中M为Cr或V,包括(Tl_(0.75)Cr_(0.25)(Sr_(2_y)Ba_y)Ca_2Cu_3O_x,(Tl_(0.75)V_(0.25))(Sr_(2_y)Ba_y)Ca_2Cu_3O_x,(Tl_(1_x)Cr_x)Sr_2Ca_2Cu_3O_x和(Tl_(1_x)V_x
纯的TlSrCaCuO体系难以制备1223型超导铜氧化物,报道了合成和用粉末X射线衍射、电子衍射鉴定了一大类新型1223相高T_c超导层型铜氧化物(Tl_(1_x)M_s)(Sr_(2_y)Ba_y)Ca_2Cu_3O_x,其中M为Cr或V,包括(Tl_(0.75)Cr_(0.25)(Sr_(2_y)Ba_y)Ca_2Cu_3O_x,(Tl_(0.75)V_(0.25))(Sr_(2_y)Ba_y)Ca_2Cu_3O_x,(Tl_(1_x)Cr_x)Sr_2Ca_2Cu_3O_x和(Tl_(1_x)V_x
1995, 44(5): 806-810.
doi: 10.7498/aps.44.806
摘要:
报道了YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)(0≤x≤0.15)体系的超导电性和正常态输运性质的测量。实验结果表明随着Pr在Ba晶位替代量的增加,超导转变临界温度T_c和由Hall系数推算的荷电载流子浓度P_H均单调下降。通过与Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)和Nd_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_(7-δ)体系的比较研究,作者发现上述三个体系的T_c变化均与载流子浓度的变化相关联。作者进而提出,在YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中Pr的空穴填充效应
报道了YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)(0≤x≤0.15)体系的超导电性和正常态输运性质的测量。实验结果表明随着Pr在Ba晶位替代量的增加,超导转变临界温度T_c和由Hall系数推算的荷电载流子浓度P_H均单调下降。通过与Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)和Nd_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_(7-δ)体系的比较研究,作者发现上述三个体系的T_c变化均与载流子浓度的变化相关联。作者进而提出,在YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中Pr的空穴填充效应
1995, 44(5): 811-817.
doi: 10.7498/aps.44.811
摘要:
应用我们提出的对近似和离散路径积分技术相结合的方法,研究了具有单轴各向异性场的无规横场伊辛模型(自旋s=1)的临界行为,并且讨论了单轴各向异性场和横场无规分布对系统相图结构的影响。
应用我们提出的对近似和离散路径积分技术相结合的方法,研究了具有单轴各向异性场的无规横场伊辛模型(自旋s=1)的临界行为,并且讨论了单轴各向异性场和横场无规分布对系统相图结构的影响。
1995, 44(5): 818-824.
doi: 10.7498/aps.44.818
摘要:
研究了以部分非磁性元素Cu取代Fe对非晶态(?)合金的基本磁性和晶化特性的影响,对实验所得样品中FeZr原子的平均磁矩(?)FeZr,居里温度T_c和晶化温度T_cc,随Cu元素含量x的变化特性进行了分析讨论,结果表明这些变化特性必须综合考虑几个方面因素才能得到解释。
研究了以部分非磁性元素Cu取代Fe对非晶态(?)合金的基本磁性和晶化特性的影响,对实验所得样品中FeZr原子的平均磁矩(?)FeZr,居里温度T_c和晶化温度T_cc,随Cu元素含量x的变化特性进行了分析讨论,结果表明这些变化特性必须综合考虑几个方面因素才能得到解释。
1995, 44(5): 825-831.
doi: 10.7498/aps.44.825
摘要:
报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。
报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。
