| [1] |
刘乃漳, 姚若河, 耿魁伟. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型. 物理学报,
2021, 70(21): 217301.
doi: 10.7498/aps.70.20210700
|
| [2] |
陈睿, 梁亚楠, 韩建伟, 王璇, 杨涵, 陈钱, 袁润杰, 马英起, 上官士鹏. 氮化镓基高电子迁移率晶体管单粒子和总剂量效应的实验研究. 物理学报,
2021, 70(11): 116102.
doi: 10.7498/aps.70.20202028
|
| [3] |
刘静, 王琳倩, 黄忠孝. 基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应. 物理学报,
2019, 68(24): 248501.
doi: 10.7498/aps.68.20191311
|
| [4] |
刘燕丽, 王伟, 董燕, 陈敦军, 张荣, 郑有炓. 结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响. 物理学报,
2019, 68(24): 247203.
doi: 10.7498/aps.68.20191153
|
| [5] |
席晓文, 柴常春, 刘阳, 杨银堂, 樊庆扬. 外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响. 物理学报,
2017, 66(7): 078401.
doi: 10.7498/aps.66.078401
|
| [6] |
刘阳, 柴常春, 于新海, 樊庆扬, 杨银堂, 席晓文, 刘胜北. GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理. 物理学报,
2016, 65(3): 038402.
doi: 10.7498/aps.65.038402
|
| [7] |
李志鹏, 李晶, 孙静, 刘阳, 方进勇. 高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理. 物理学报,
2016, 65(16): 168501.
doi: 10.7498/aps.65.168501
|
| [8] |
任舰, 闫大为, 顾晓峰. AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究. 物理学报,
2013, 62(15): 157202.
doi: 10.7498/aps.62.157202
|
| [9] |
吕玲, 张进成, 李亮, 马晓华, 曹艳荣, 郝跃. 3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响. 物理学报,
2012, 61(5): 057202.
doi: 10.7498/aps.61.057202
|
| [10] |
余晨辉, 罗向东, 周文政, 罗庆洲, 刘培生. 新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究. 物理学报,
2012, 61(20): 207301.
doi: 10.7498/aps.61.207301
|
| [11] |
马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型. 物理学报,
2012, 61(4): 047301.
doi: 10.7498/aps.61.047301
|
| [12] |
毛维, 杨翠, 郝跃, 张进成, 刘红侠, 马晓华, 王冲, 张金风, 杨林安, 许晟瑞, 毕志伟, 周洲, 杨凌, 王昊. 场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究. 物理学报,
2011, 60(1): 017205.
doi: 10.7498/aps.60.017205
|
| [13] |
王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维. 增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究. 物理学报,
2010, 59(10): 7333-7337.
doi: 10.7498/aps.59.7333
|
| [14] |
魏 巍, 郝 跃, 冯 倩, 张进城, 张金凤. AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析. 物理学报,
2008, 57(4): 2456-2461.
doi: 10.7498/aps.57.2456
|
| [15] |
林若兵, 王欣娟, 冯 倩, 王 冲, 张进城, 郝 跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究. 物理学报,
2008, 57(7): 4487-4491.
doi: 10.7498/aps.57.4487
|
| [16] |
李 潇, 张海英, 尹军舰, 刘 亮, 徐静波, 黎 明, 叶甜春, 龚 敏. 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4117-4121.
doi: 10.7498/aps.56.4117
|
| [17] |
刘红侠, 郝 跃, 张 涛, 郑雪峰, 马晓华. AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究. 物理学报,
2003, 52(4): 984-988.
doi: 10.7498/aps.52.984
|
| [18] |
吕永良, 周世平, 徐得名. 光照下高电子迁移率晶体管特性分析. 物理学报,
2000, 49(7): 1394-1399.
doi: 10.7498/aps.49.1394
|
| [19] |
沈文忠, 唐文国, 沈学础, A.Dimoulas. δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究. 物理学报,
1995, 44(5): 779-787.
doi: 10.7498/aps.44.779
|
| [20] |
卢励吾, 周洁, 梁基本, 孔梅影. 分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究. 物理学报,
1993, 42(5): 817-823.
doi: 10.7498/aps.42.817
|
下载:
