搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型

刘乃漳 姚若河 耿魁伟

引用本文:
Citation:

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型

刘乃漳, 姚若河, 耿魁伟

Gate capacitance model of AlGaN/GaN high electron mobility transistor

Liu Nai-Zhang, Yao Ruo-He, Geng Kui-Wei
PDF
HTML
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4183
  • PDF下载量:  130
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2021-04-13
  • 修回日期:  2021-06-21
  • 上网日期:  2021-08-15
  • 刊出日期:  2021-11-05

/

返回文章
返回