Vol. 32, No. 10 (1983)
1983年05月20日
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1983, 32 (10): 1237-1246.
doi: 10.7498/aps.32.1237
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本文利用动功率定理求解静磁场中运动的相对论性电子束与波导中电磁行波的相互作用问题。引入电子群聚函数这一概念,它有利于分析放大器中电子群聚过程。通过数值计算分析了互作用区中回旋电子与行波场之间能量交换全过程。计算结果表明:纵向波数的虚部不为常量,因此增益特性并非线性;在高效率、高功率输出下要求静磁场B0高度稳定;调整工作参量降低输出功率值,则对磁场稳定度要求也降低。这些性质可通过对电子群聚过程的分析得到解释。
1983, 32 (10): 1247-1254.
doi: 10.7498/aps.32.1247
摘要 +
本文先采用波动法对缓变截面波导型回旋共振放大器进行理论分析,推导出它的色散方程,这仅适用于小信号情况。另外还利用场与电子流的动功率守恒定理对这类放大器进行理论计算,它可不受小信号限制,可用来计算放大器的饱和输出功率和效率。针对由三段角锥组成的变截面波导系统,对这放大器进行了具体计算。理论计算表明:这种结构的放大器的突出优点是在高功率输出下磁场变化对输出功率影响较小。此外,与均匀波导的同类放大器相比,在相同的输出功率与增益下有更宽的工作频带,互作用长度则有所缩短。
1983, 32 (10): 1255-1262.
doi: 10.7498/aps.32.1255
摘要 +
本文根据微裂纹的随机演化及其长大需要堆积位错群进一步滑移以将领首位错挤入微裂纹中的机理,导出了微裂纹扩展力和断裂韧性及其统计分布函数,讨论了影响因素。
1983, 32 (10): 1263-1272.
doi: 10.7498/aps.32.1263
摘要 +
木文在文献[5,6]所发展的在位缺陷势格林函数方法基础上,进一步讨论Si中短程缺陷势引入的T2对称深能级波函数性质。第一次给出了Si禁带中部很宽能量范围之内T_2对称波函数的完整数据。波函数在缺陷最近邻四个格点的占据几率P1有一高达50％以上峰值。该部分相当于四个最近邻格点指向缺陷的杂化轨道准悬键的T2组合。第0,1,2三个格点壳层波函数占据几率之和约为70％。波函数其余部分较平缓地分布在一相当大空间。波函数的以上特征与禁带中部能量位置关系不灵敏。但在靠近导带Ec和满带E_v的浅能量区,以上P1峰趋于消失,整个波函数在空间的分布趋于平坦。Si空位在禁带引入一个T2对称深能级,位于Ev以上0.51eV处。
1983, 32 (10): 1273-1280.
doi: 10.7498/aps.32.1273
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应用实空间重正群方法于一维具L-近邻键的点-渗流及键-渗流模型,得到类-温度标度率与类-场标度率,再利用普适标度律得到全部临界指数的精确结果。对于点-渗流模型有αp=2-L,βp=0,γp=L,δp=∞,ηp=1及vp=L。这与生成函数方法结果一致;对于键-渗流模型有αp=2-(L(L+1))/2,βp=0,γp=(L(L+1))/2,δp=∞,ηp=1及vp=(L(L+1))/2,其中的“热”临界指数与转移矩阵方法结果一致,磁临界指数是新的结果。由点-渗流及键-渗流模型求出Suzuki的弱普适律的重正化临界指数为φ≡(2-α)/v=1,β≡β/v=0,γ≡γ/v=1,δ≡δ=∞及η≡η=1。即重正化的临界指数不仅与L无关,而且也不依赖于是点抑键的渗流模型,即普适律对Suzuki重正化临界指数仍得以保持。
1983, 32 (10): 1281-1291.
doi: 10.7498/aps.32.1281
摘要 +
我们应用突变论:(Catastrophe theory)讨论了均匀各向同性和均匀非各向同性Ising晶格系统可容纳相数的问题。d=3的Ising晶格系统至少可容纳三个相。
1983, 32 (10): 1292-1301.
doi: 10.7498/aps.32.1292
摘要 +
基于Balseiro和Falicov的概念,我们用一个简单模型计算了电荷密度波(CDW)与超导共存系统中被电声子相互作用重整化的CDW振幅模式的谱函数A(ω),所得的A(ω)在ω≤2G(G为CDW带隙)区域有一个权重相当大的δ函数型的峰,而在ω>2(G2十△2)1/2(△为超导能隙)区域是比较宽的连续谱,固定G,当△减少时峰的强度显著降低,但其位置仅有较小的变化;与此同时连续谱的权重增加,这些特点与Sooryakumar和Klein在电荷密度波超导体2H-Nbse2中发现的喇曼出线的能隙模式的行为是一致的。
1983, 32 (10): 1302-1310.
doi: 10.7498/aps.32.1302
摘要 +
分别沿a,b,c轴三种取向用提拉法生长了BeAl2O4:Cr3+晶体,用X射线和光学方法测定了各个显露面,确定了其密勒指数,并根据PBC理论计算了各显露面的重要性,计算结果与实验结果相符。
1983, 32 (10): 1311-1318.
doi: 10.7498/aps.32.1311
摘要 +
本文报道了用CdS/CdTe光敏薄膜异质结和扭曲向列相液晶所构成的交流图像转换光阀的研制结果,讨论了组成光阀的各膜层参数对光阀性能的影响,分析表明,光阀性能的提高不仅有赖于各膜层的参数,而且和这些参数之间的匹配密切相关。
研究简报
1983, 32 (10): 1319-1322.
doi: 10.7498/aps.32.1319
摘要 +
在βi《1的条件下,人们曾得到电磁效应可以稳定离子-离子束不稳定性的判据Vd/VAe)1/2。本文研究了等离子体的有限βE、β1效应对离子-离子束不稳定性的影响,在所研究的参数范围内,随着βe的增加,增长率上升,并且流速比Vd/VA所允许的不稳定区域变宽,而随着βi的增加,依赖于流速比Vd/VA的不同,增长率的变化也有所不同,但流速比Vd/VA所允许的不稳定区域变窄。
1983, 32 (10): 1323-1327.
doi: 10.7498/aps.32.1323
摘要 +
本文探讨了准光学接收系统用于等离子体诊断时其隔离度的理论极限问题,推出了在真空室和接收系统之间存在弱耦合时隔离度的近似计算公式。
1983, 32 (10): 1328-1332.
doi: 10.7498/aps.32.1328
摘要 +
用XPS研究了清洁无序GaAs表面沉积超薄Al膜后的界面反应,结果表明,原沉积于GaAs表面的Al能进入GaAs衬底取代Ga形成AlAs,而通过Al-Ga替位反应释放出来的Ga则残留在衬底表面,提出了Ga/AlAs+GaAs/GaAs三层结构模型。
1983, 32 (10): 1333-1338.
doi: 10.7498/aps.32.1333
摘要 +
本文用UPS,XPS研究了贮氢材料MlNi5(Ml=La,Ce,Pr,Nd)的CO,O2和H2O的中毒,在UPS谱中,我们观察到在EF以下峰α(0.3eV)和峰b(1.2eV)强度随中毒气体暴露量增加有显著变化,并向低动能端位移,逐渐形成肩峰,与此同时,峰c(6eV)和峰d(9.5eV)的强度随暴露量增加而增加,并有能量位移,配合XPS分析,分别确定相应的化学态。氧中毒后的MlNi5,经300℃加氢还原,从UPS谱可以看到峰α,b强度增加;H2O和CO中毒后,在超高真空条件下,分别经300℃加热处理,和Ar+剥离方法,均获得类似的效果,XPS分析进一步证实了这些结果。实验给出了贮氢材料MlNi5中过渡金属镍的d电子与气体自由分子轨道间电荷转移的信息,为在实际应用中认识此类贮氢合金的表面催化中毒和再生提供了依据。
1983, 32 (10): 1339-1343.
doi: 10.7498/aps.32.1339
摘要 +
用偏振的紫外光源测量了GaAs(100)表面(4×1)结构的UPS谱,从清洁表面和吸附氧以后UPS的差谱中辨别出了在价带顶以下2eV以内的表面态峰,根据用偏振光所得到的谱和跃迁选择定则的讨论,认为表面态包含了三个峰,价带顶以下0.5eV处有一个对应于表面Ga原子桥键态的峰,在0.7eV处有对应于表面As原子桥键态的峰,而在1.3eV处的峰则同表面原子的悬键态相联系。
1983, 32 (10): 1344-1348.
doi: 10.7498/aps.32.1344
摘要 +
本文讨论一种新的低气压放电型粒子源,用这种装置可以产生能量达70keV,电流密度超过106A/cm2,电流为几百安培的脉冲电子流和安培级的脉冲离子流,作者建议用“电场递增效应”来解释这种多极板放电室的放电机制,由于它造价低、结构简单、重复频率高、寿命长,可以预期,这一装置将会得到广泛应用。
1983, 32 (10): 1349-1356.
doi: 10.7498/aps.32.1349
摘要 +
研究了化学反应中远离平衡的定常态的形成机制,证明了双变量化学系统的非平衡定态可能有细致平衡存在,但这种定态是不稳定的。
