物理学报
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ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
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物理学报  
   物理学报--1984, 33 (11)   发布日期: 1984-11-15
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Al-I(102?)-nGaAs势垒二极管中载流子的输运
CARRIER TRANSPORT IN METAL-THIN INSULATOR n GaAs BARRIER DIODES

周勉, 王渭源
物理学报. 1984, 33 (11): 1485-1494      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1485
全文: [PDF 473 KB] 下载:(576)
摘要
在金属-高掺杂nGaAs之间加入薄氧化层(约102?)后,器件的I-V特性不再能用经典的金属-半导体接触理论来描述,而必须计入如下修正:电子由量子力学中的隧道效应穿过界面层势垒,由此引进透射系数P;反向偏置时,有效势垒高度因界面层及界面态的存在而有所改变,并且随外加电压而变化;正向偏置时,界面层的影响可以用理想因子n来描述。经过上述修正后推得的理论I-V,I-1/T关系式(表1)与实测曲线符合较好。文中讨论了透射系数与有效势垒高度提高的关系。

刚壁附近氢原子的精确解
THE EXACT SOLUTION OF PROBLEM OF HYDROGEN ATOM NEAR HARD WALL

丁涪江
物理学报. 1984, 33 (11): 1495-1500      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1495
全文: [PDF 241 KB] 下载:(517)
摘要
在旋转椭球坐标系中得到了刚壁附近氢原子的精确波函数,并讨论了激子的某些性质。

简单金属在[100]单轴应力下的理论强度
THEORETICAL STRENGTH FOR SIMPLE METALS UNDER [100] UNIAXIAL STRESS

李树山
物理学报. 1984, 33 (11): 1501-1511      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1501
全文: [PDF 452 KB] 下载:(537)
摘要
本文讨论了利用赝势理论,按照Born稳定性判据,计算简单金属理论强度的方法。然后计算了六种简单金属(Li,Na,K,Rb,Cs和Pb)在0K和[100]单轴应力下的理论拉伸与压缩强度。

高气压快放电XeCl准分子激光器的放电特性
DISCHARGE CHARACTERASTICS OF HIGH PRESSURE FAST DISCHARGE XeCl EXCIMER LASER

刘达伟
物理学报. 1984, 33 (11): 1512-1519      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1512
全文: [PDF 630 KB] 下载:(511)
摘要
基于快放电(毫微秒)XeCl激光器电极两端电压和电流的精确测量和计算机分析,给出高气压(3—8大气压力)激光放电等离子体的动态阻抗特性。在几毫微秒内,阻抗降到欧姆量级。研究了放电峰值电流和平均阻抗与充电电压和气体压力的关系。结果显示,放电等离子体阻抗与传输线阻抗精确匹配并不是十分重要和实际的。

时间分辨简并四波混频中的量子拍频效应
QUANTUM BEAT IN TIME-RESOLVED DEGENERATE FOUR-WAVE MIXING

傅盘铭, 叶佩弦
物理学报. 1984, 33 (11): 1520-1528      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1520
全文: [PDF 346 KB] 下载:(406)
摘要
本文严格处理了准简并二能级系统中时间分辨简并四波混频问题。指出在这种简并四波混频中同样可能存在量子拍频效应。分析了这种量子拍频效应的产生条件和特点。讨论了可能的应用。

确定SF6-CO2预放电参数的激光脉冲方法
A LASER PULSE METHOD FOR DETERMINATION OF ELECTRON SWARM PARAMETERS IN SF6-CO2

李正瀛
物理学报. 1984, 33 (11): 1529-1537      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1529
全文: [PDF 738 KB] 下载:(1357)
摘要
在均匀电场中,用高能激光脉冲释放初始电子以研究负电性气体的电子崩的发展,决定预放电过程的基本参数(游离系数α,吸附系数η和漂移速度v等)是一个有用的方法,本文对此方法做了详细的分析。采用这种方法对SF6-CO2混合气体做了研究,获得了108个以上的初始电子及其分布,并给出了α/P,η/P和ν与E/P(E=电场强度,P=气体压力)的关系。本文还对所用的测量系统做了讨论,提出了改进办法。

CT-6B托卡马克装置等离子体电子迴旋辐射中热辐射和非热辐射的观测
OBSERVATION OF THERMAL EMISSION AND NON-THERMAL EMISSION FROM ELECTRON CYCLOTRON EMISSION IN CT-6B TOKAMAK PLASMA

崔滨生, 匡龙海, 马丹波, 刘事明
物理学报. 1984, 33 (11): 1538-1545      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1538
全文: [PDF 558 KB] 下载:(488)
摘要
本文中利用在基波(35GHz)或二次谐波(70GHz)混频工作的等离子体微波辐射(PME)测量仪,进行了CT-6B托卡马克装置等离子体电子迴旋辐射的实验。实验结果表明:当装置低逃逸放电时,二次谐波混频接收到的信号是与电子温度有关的热辐射信号。装置逃逸放电时,基波混频接收到的信号是与逃逸电子行为有关的非热辐射信号。

含第二稳定区的环流器微观气球模分析
KINETIC BALLOONING MODE ANALYSIS OF TOKAMAK PLASMAS WITH THE SECOND STABILITY REGIME INCLUDED

石秉仁, 隋国芳
物理学报. 1984, 33 (11): 1546-1555      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1546
全文: [PDF 444 KB] 下载:(453)
摘要
本文导出了可用于研究含第二稳定区的环流器微观气球模的本征方程,其中保留了各种最重要的动力效应。对圆截面环流器,相应的本征方程中保留了对第二稳定区中模的特性有重大影响的磁面位移效应及极向场曲率效应。采用数值打靶法求解本征方程,详细分析了各种位形参数对模的结构及稳定性的影响。与理想磁流体理论结果对比,发现在第二稳定区参数范围内,存在一类新的弱不稳定模式。此外,在各种参数范围内都存在临界稳定模式。详细考察了这些模式的存在形式及结构,以及剪切和极向场参数对它们的影响。

室温快离子导体Rb4Cu16I7Cl13的电导率和热容研究
STUDY ON ELECTRICAL CONDUCTIVITY AND HEAT CAPACITY OF FAST IONIC CONDUCTOR Rb4Cu16I7Cl13

赵宗源, 陈立泉, 倪泳明, 马明荣
物理学报. 1984, 33 (11): 1556-1562      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1556
全文: [PDF 368 KB] 下载:(566)
摘要
在-170-100℃的温度范围内,研究了室温快离子导体Rb4Cu16I7Cl13的电导率和热容随温度的变化,结果表明该材料在-50℃和-107℃附近各有一个二级相变存在。

热电弛豫效应
THE PYROELECTRIC RELAXATION EFFECT

李景德
物理学报. 1984, 33 (11): 1563-1568      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1563
全文: [PDF 281 KB] 下载:(713)
摘要
经过人工极化的铁电陶瓷中存在的同极性和异极性电荷导致热电弛豫效应。观察到唯象理论所给出的三种类型的弛豫过程。由于同极或异极性电荷的激发需要能量,故当陶瓷的温度发生变化相当长时间之后,热释电荷按ΔQ(t)=(1+r±e(-(α±t)1/2)ΔQ缓慢地衰减。曾经测量过的数十种陶瓷的所有实验数据都和理论很好地一致。

考虑胶子质量的重夸克偶素位模型(续)
A QUARKONIUM POTENTIAL MODEL WITH A NON-ZERO GLUON EFFECTIVE MASS

林大航, 谢凤仙
物理学报. 1984, 33 (11): 1569-1580      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1569
全文: [PDF 463 KB] 下载:(448)
摘要
本文采用经典禁闭场论的方法,利用一个特殊的口袋模型导出了计及胶子质量效应后的重夸克偶素长程势,从而得到一个新的有效位势:Veff=-4/3αs(e-μr)/r +(gv+gs)r(th((μr)/2)/((μr)/2))1/2+V0。从这一位势模型出发,推导了Breit-Fermi项。并通过数值解薛定谔方程,利用多因素优选法,分别对μ=0.2GeV,μ=

结合会聚束电子衍射和高分辨电子显微术来测定十四铌酸锂的结构
STRUCTURAL ANALYSIS OF Li2O·14Nb2O5 BY COMBINED CONVERGENT-BEAM ELECTRON DIFFRACTION AND HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY

冯国光, 杨翠英, 周玉清, 唐棣生
物理学报. 1984, 33 (11): 1581-1585      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1581
全文: [PDF 344 KB] 下载:(417)
摘要
我们在一台有0.4nm点分辨率的分析透射电子显微镜上,结合会聚束电子衍射(CBED)和高分辨电子显微术(HREM)研究了十四铌酸锂的结构。CBED结果证明十四铌酸锂的空间群是C2/m,HREM结构象表明十四铌酸锂是由4×4氧八面体方块组成,方块中3×3通道及八面体中心的金属原子可以清楚地看到,其距离是0.38nm。结合CBED和HREM来做结构分析是发展电子晶体学的重要的一步。
研究简报

三铌酸锂空间群的会聚束电子衍射测定
SPACE GROUP DETERMINATION OF Li2O·3Nb2O5 BY CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION

杨翠英, 冯国光, 周玉清, 唐棣生
物理学报. 1984, 33 (11): 1586-1588      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1586
全文: [PDF 140 KB] 下载:(371)
摘要
用会聚束电子衍射图中显现的动力学消光线,测定了三铌酸锂的空间群。结果表明,三铌酸锂有一2次螺旋轴和一垂直它的滑移面,从而空间群是P21/a。同时得出点阵参数a=1.545nm,b=0.503nm,c=0.753nm,β=107°。

电介质损耗理论
A THEORY ON DIELECTRIC LOSS

范希明, 刘福绥
物理学报. 1984, 33 (11): 1589-1592      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1589
全文: [PDF 122 KB] 下载:(459)
摘要
本文用全Wigner函数导出含有两个参数的跃迁几率分布函数,解释了Jonscher的电介质损耗经验公式,改进了Ngai电介质损耗理论。

Fe:LiNbO3晶体简并四波混频(DFWM)在光学图象处理中的应用
APPLICATION OF Fe-DOPED LiNbO3 CRYSTAL DEGENERATE FOUR-WAVE MIXING IN OPTICAL IMAGE PROCESSING

张洪钧, 戴建华, 王鹏业, 高存秀, 吕团孙, 刘文湖, 徐良瑛
物理学报. 1984, 33 (11): 1593-1598      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1593
全文: [PDF 372 KB] 下载:(590)
摘要
本文介绍Fe:LiNbO3晶体在波长为6328?的低功率激光下的简并四波混频(DFWM)现象。给出了在不同泵浦功率下,共轭波强度随照射时间变化的实验曲线。验证了共轭波的位相补偿特性,并利用该特性校正了位相畸变的图象,得到了与理论相一致的实验结果。

利用单个元件实现相干光Walsh变换
OPTICAL REALIZATION OF COHERENT WALSH TRAN-SFORMATION BY A SINGLE ELEMENT

王玉堂, 李秀英, 姜长山, 陈岩松
物理学报. 1984, 33 (11): 1599-1604      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1599
全文: [PDF 481 KB] 下载:(388)
摘要
利用扫描曝光法制备的单个元件实现了二维相干光Walsh变换。其特点是能量利用率高、光路简单。文中给出了原理及实验结果。

通过极化原子束的磁偏转实现激光同位素浓缩
LASER ISOTOPE ENRICHMENT VIA MAGNETIC DEFLECTION OF OPTICALLY POLARIZED ATOMIC BEAM

朱熙文
物理学报. 1984, 33 (11): 1605-1609      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1605
全文: [PDF 342 KB] 下载:(428)
摘要
本文描述一种通过极化原子束的磁偏转实现同位素和同质异能素浓缩的新方法。用具有不同频率和偏振的激光进行选择性光抽运,使束中两同位素的原子分别反向高度极化,然后使这些反向极化的原子在经过自旋选态磁铁后沿不同方向偏转,从而实现同位素浓缩。推算了此法的选择性和产量,与其他方法相比,讨论了其优缺点和可能的应用前景。提出了用锂或钾进行实验的方案。

四层不对称波导的一些近似关系式
THE APPROXIMATE EXPRESSIONS OF THE FOUR LAYER ASYMMETRIC WAVEGUIDE CHARACTERISTICS

王德宁, 潘慧珍
物理学报. 1984, 33 (11): 1610-1618      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1610
全文: [PDF 313 KB] 下载:(452)
摘要
本文在四层不对称波导的归一化电场方程和本征方程基础上,导出了归一化有效折射b表达式和限制因子Γx等的近似关系式,并提出了不对称近场和远场高斯分布的近似表达式。应用上述分析,研究了四层不对称波导的动态特性。文中导出了注入载流子分布,增益分布的解析表达式,可方便地计算模增益,阈值电流密度,最佳有源区厚度和最佳阈值电流密度。并进一步研究了结构参数对器件的影响。

Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的吸附
THE GROUP Ⅶ ELEMENTS CHEMISORPTION ON Si(111) AND Ge (111) SURFACES

徐永年, 张开明
物理学报. 1984, 33 (11): 1619-1623      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1619
全文: [PDF 211 KB] 下载:(359)
摘要
本文用原子集团模型和电荷自洽的EHT方法研究了Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的化学吸附。利用能量极小的原则确定了各元素的化学吸附构型。对于Cl,在这两个表面均是顶位吸附。对于Ⅰ,都呈三度空位吸附。对Br,顶位及三度空位吸附均能发生,但是在Si(111)表面顶位吸附要优于三度空位,而在Ge(111)表面则三度空位吸附优于顶位。最后对Ⅶ族元素原子在这两种表面的吸附行为作了讨论,并与实验作了比较。

3Cu(IO3)2·2H2O晶体的电子结构研究
ELECTRONIC STRUCTURE STUDY OF 3Cu(IO3)2·H2O CRYSTAL

张永锋, 李健民, 徐元植, 李晓平, 孙琼丽
物理学报. 1984, 33 (11): 1624-1628      http://dx.doi.org/10.7498/aps.33.1624
全文: [PDF 921 KB] 下载:(601)
摘要
本文测定了3Cu(IO3)2·2H2O球晶的电子吸收光谱,吸收峰位于9140cm-1和15250cm-1。首次观察到了高达6110cm-1的低对称晶场分裂。吸收曲线经Gauss分解可得到八个Gauss型吸收峰,分别位于8590,10690,10870,12190,13500,14510,15330和16500cm-1。测量其EPR谱可得g=2.141±0

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