搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的吸附

徐永年 张开明

Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的吸附

徐永年, 张开明
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  2565
  • PDF下载量:  359
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1983-12-26
  • 刊出日期:  2005-03-28

Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的吸附

  • 1. 复旦大学现代物理研究所
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 本文用原子集团模型和电荷自洽的EHT方法研究了Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的化学吸附。利用能量极小的原则确定了各元素的化学吸附构型。对于Cl,在这两个表面均是顶位吸附。对于Ⅰ,都呈三度空位吸附。对Br,顶位及三度空位吸附均能发生,但是在Si(111)表面顶位吸附要优于三度空位,而在Ge(111)表面则三度空位吸附优于顶位。最后对Ⅶ族元素原子在这两种表面的吸附行为作了讨论,并与实验作了比较。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回