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中国物理学会期刊
    有重位点阵关系两相的复合点阵(Ⅰ)——重位点阵
    杨奇斌
    1980, 29(12): 1517-1525. DOI: 10.7498/aps.29.1517
    摘要 PDF
    有重位点阵关系两相的复合点阵(Ⅱ)——两相空间点阵及其点阵平面的重合系数
    杨奇斌
    1980, 29(12): 1526-1534. DOI: 10.7498/aps.29.1526
    摘要 PDF
    马氏体相变过程中低频内耗的研究
    王业宁, 邹一峰, 张志方
    1980, 29(12): 1535-1544. DOI: 10.7498/aps.29.1535
    摘要 PDF
    铝-铜-镓三元系合金相图
    潘毓英, 郑建宣
    1980, 29(12): 1545-1550. DOI: 10.7498/aps.29.1545
    摘要 PDF
    标定粉末照相指数的一个新图解法
    陆学善
    1980, 29(12): 1551-1557. DOI: 10.7498/aps.29.1551
    摘要 PDF
    Y3-xBixFe5O12的晶体生长
    徐孝贞, 贾惟义, 刘朝信
    1980, 29(12): 1558-1563. DOI: 10.7498/aps.29.1558
    摘要 PDF
    三维Ising模型的封闭近似解(Ⅱ)——Q近似的局限性
    石赫, 郝柏林
    1980, 29(12): 1564-1569. DOI: 10.7498/aps.29.1564
    摘要 PDF
    激光束在漫射表面上的散射(Ⅱ)
    程路, 张炳泉
    1980, 29(12): 1570-1580. DOI: 10.7498/aps.29.1570
    摘要 PDF
    利用表面波的差频以产生远红外辐射
    霍崇儒, 黄锡毅
    1980, 29(12): 1581-1587. DOI: 10.7498/aps.29.1581
    摘要 PDF
    一种新型激光调频原理——自注入调频
    许祖彦, 潘少华, 邓道群, 郭东升, 李秀芳
    1980, 29(12): 1588-1595. DOI: 10.7498/aps.29.1588
    摘要 PDF
    CI在Si和Ge(111)面上的化学吸附
    张开明, 叶令
    1980, 29(12): 1596-1603. DOI: 10.7498/aps.29.1596
    摘要 PDF
    非平衡情况Josephson电流的Harris奇点
    茅德强, 顾一鸣, 周子舫, 吴杭生
    1980, 29(12): 1604-1607. DOI: 10.7498/aps.29.1604
    摘要 PDF
    散射光干涉图样的一种计算方法
    詹达三
    1980, 29(12): 1608-1612. DOI: 10.7498/aps.29.1608
    摘要 PDF
    AI在GaAs(110)面上的吸附
    张开明, 叶令
    1980, 29(12): 1613-1616. DOI: 10.7498/aps.29.1613
    摘要 PDF
    Dirac粒子的Hawking蒸发
    刘辽, 许殿彦
    1980, 29(12): 1617-1624. DOI: 10.7498/aps.29.1617
    摘要 PDF
    用赝势方法计算五种简单金属的Hugoniot曲线
    李树山, 林光海
    1980, 29(12): 1625-1628. DOI: 10.7498/aps.29.1625
    摘要 PDF
    铌酸锂晶体中多畴层带区倍频光的研究
    王业宁, 朱劲松, 谈云鹏
    1980, 29(12): 1629-1635. DOI: 10.7498/aps.29.1629
    摘要 PDF
    应用反射光双折射貌相法观察旋光性晶体锗酸铋中的位错及亚晶界
    徐秀荫, 冯端
    1980, 29(12): 1636-1639. DOI: 10.7498/aps.29.1636
    摘要 PDF
    层状结构铁电材料热压择优取向度的X射线测定法
    郭常霖, 吴毓琴
    1980, 29(12): 1640-1644. DOI: 10.7498/aps.29.1640
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    静电场对α-LiIO3单晶透射光的影响
    王琇, 罗桂芸
    1980, 29(12): 1645-1648. DOI: 10.7498/aps.29.1645
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