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AI在GaAs(110)面上的吸附

张开明 叶令

AI在GaAs(110)面上的吸附

张开明, 叶令
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出版历程
  • 收稿日期:  1980-04-28
  • 刊出日期:  1980-06-05

AI在GaAs(110)面上的吸附

  • 1. 复旦大学现代物理研究所

摘要: 用电荷自洽的EHMO方法研究了Al在GaAs(110)面上的吸附问题。比较了两种吸附构型,从能量极小的观点定出了稳定的吸附应为Al取代表面Ga原子,使Ga落在表面As的悬挂键上。还计算了电荷转移、成键情况和状态密度。

English Abstract

参考文献 (1)

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