1991年 40卷 第3期
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1991, 40(3): 329-336.
doi: 10.7498/aps.40.329
摘要:
本文讨论一种q畸变振子系统在畸变参数q为实数或k次单位根时的SUq(2)及SUq(1,1)对称性,并指出当k为不同值时,q畸变振子具有非玻色型激发,特别地,当k=4和6时,q振子的激发是费密型的和2阶仲费密型的,本文指出文献[6]中的部分结论是平庸的。
本文讨论一种q畸变振子系统在畸变参数q为实数或k次单位根时的SUq(2)及SUq(1,1)对称性,并指出当k为不同值时,q畸变振子具有非玻色型激发,特别地,当k=4和6时,q振子的激发是费密型的和2阶仲费密型的,本文指出文献[6]中的部分结论是平庸的。
1991, 40(3): 337-344.
doi: 10.7498/aps.40.337
摘要:
通常所谓的量子包络代数可以在经典Poisson括号的意义下实现,以谐振子系统为例,给出Uq(SU(2))的这种经典实现,指出这种q变形伴随着相空间复坐标的Beltrami变形。并讨论了这种经典q变形谐振子系统的?量子化,得到在Lie括号意义下的Uq(SU(2))代数。
通常所谓的量子包络代数可以在经典Poisson括号的意义下实现,以谐振子系统为例,给出Uq(SU(2))的这种经典实现,指出这种q变形伴随着相空间复坐标的Beltrami变形。并讨论了这种经典q变形谐振子系统的?量子化,得到在Lie括号意义下的Uq(SU(2))代数。
1991, 40(3): 345-352.
doi: 10.7498/aps.40.345
摘要:
本文将绝热过程中的Berry相因数的概念推广到简并系统,并且研究了量子Hall效应与Berry相因数之间的关系,证明了不论是整数还是分数量子Hall电导率都对应于特殊的Berry相因数。
本文将绝热过程中的Berry相因数的概念推广到简并系统,并且研究了量子Hall效应与Berry相因数之间的关系,证明了不论是整数还是分数量子Hall电导率都对应于特殊的Berry相因数。
1991, 40(3): 353-358.
doi: 10.7498/aps.40.353
摘要:
本文指出整体磁单极引力效应是立体欠缺角加上一个排斥力,而不是新近文献中讨论的立体欠缺角加上一个吸引力,并讨论了整体磁单极的引力透镜性质和磁单极反磁单极对的湮没机制。
本文指出整体磁单极引力效应是立体欠缺角加上一个排斥力,而不是新近文献中讨论的立体欠缺角加上一个吸引力,并讨论了整体磁单极的引力透镜性质和磁单极反磁单极对的湮没机制。
1991, 40(3): 359-364.
doi: 10.7498/aps.40.359
摘要:
本文提供一个简捷的方法求解相对论性的耦合标量场中的精确孤子解,所得结果扩充了以前的有关结果,并指出所提供的方法可以求解其它类型的非线性耦合方程及类似的非线性微分方程。
本文提供一个简捷的方法求解相对论性的耦合标量场中的精确孤子解,所得结果扩充了以前的有关结果,并指出所提供的方法可以求解其它类型的非线性耦合方程及类似的非线性微分方程。
1991, 40(3): 365-374.
doi: 10.7498/aps.40.365
摘要:
本文报道在具有竞争相互作用的混合光学系统中,反馈强度对振荡模式的影响。观察到锁频,相邻模式间的频率跳变及滞后等现象。计算与实验结果表明,反馈强度是竞争相互作用源。
本文报道在具有竞争相互作用的混合光学系统中,反馈强度对振荡模式的影响。观察到锁频,相邻模式间的频率跳变及滞后等现象。计算与实验结果表明,反馈强度是竞争相互作用源。
1991, 40(3): 375-385.
doi: 10.7498/aps.40.375
摘要:
本文讨论在良腔情况下吸收与色散混合型受驱动光学系统多光子过程的透射光谱,由于失谐量θ和△的作用,组成谱的各项峰值不全在ω=ω0处,同时各项峰的权重也不同,所以透射光谱可出现单峰、多峰或左右不对称等各种情况。
本文讨论在良腔情况下吸收与色散混合型受驱动光学系统多光子过程的透射光谱,由于失谐量θ和△的作用,组成谱的各项峰值不全在ω=ω0处,同时各项峰的权重也不同,所以透射光谱可出现单峰、多峰或左右不对称等各种情况。
1991, 40(3): 386-392.
doi: 10.7498/aps.40.386
摘要:
本文研究了奇偶相干态的高阶压缩和它们的各种准概率分布函数,结果表明,这两个态的高阶压缩性质是相互排斥的,特征函数和Wigner函数都不是高斯型,而且Wigner函数也不恒为正定,准概率密度(QPD)图形既不是椭圆,也不是月牙状,而是两叶花瓣状,显示出态的QPD图形不能说明态的压缩类型。
本文研究了奇偶相干态的高阶压缩和它们的各种准概率分布函数,结果表明,这两个态的高阶压缩性质是相互排斥的,特征函数和Wigner函数都不是高斯型,而且Wigner函数也不恒为正定,准概率密度(QPD)图形既不是椭圆,也不是月牙状,而是两叶花瓣状,显示出态的QPD图形不能说明态的压缩类型。
1991, 40(3): 393-398.
doi: 10.7498/aps.40.393
摘要:
推导了双光子Jaynes-Cummings模型中光子统计分布函数的一般表示式,该式适用于任何初始光场和任何初始原子状态,详细研究了严格双光子共振情况下,初始为相干态和压缩态的光场在该模型中光子分布曲线的演化特征。两者呈现很大的差异。
推导了双光子Jaynes-Cummings模型中光子统计分布函数的一般表示式,该式适用于任何初始光场和任何初始原子状态,详细研究了严格双光子共振情况下,初始为相干态和压缩态的光场在该模型中光子分布曲线的演化特征。两者呈现很大的差异。
1991, 40(3): 399-406.
doi: 10.7498/aps.40.399
摘要:
建立在介质内部均匀发热基础上的板条激光器热效应理论与器件实际相差甚大,本文根据介质对光的吸收规律建立介质内部非均匀发热模型,计算与实验结果表明,新的理论模型更接近于实际激光器件。
建立在介质内部均匀发热基础上的板条激光器热效应理论与器件实际相差甚大,本文根据介质对光的吸收规律建立介质内部非均匀发热模型,计算与实验结果表明,新的理论模型更接近于实际激光器件。
1991, 40(3): 407-413.
doi: 10.7498/aps.40.407
摘要:
本文发展了变换圆图解处理方法,并运用它求得了热不敏感腔的一般解:σ1圆与πf圆相切,清晰地阐明了它的主要特征;同时,澄清了有关它的特证的若干不确切的看法,进而,还求得了最佳热不敏感腔的特别解:g1*g2*=1/2;L2=0或L2=R2。
本文发展了变换圆图解处理方法,并运用它求得了热不敏感腔的一般解:σ1圆与πf圆相切,清晰地阐明了它的主要特征;同时,澄清了有关它的特证的若干不确切的看法,进而,还求得了最佳热不敏感腔的特别解:g1*g2*=1/2;L2=0或L2=R2。
1991, 40(3): 414-423.
doi: 10.7498/aps.40.414
摘要:
本文将我们建立的非相干光时延四波混频(TDFWM-IL)的多能级理论由均匀加宽情形发展到非均匀加宽情形,得到吸收带同时存在均匀和非均匀加宽时,TDFWM-IL多能级理论给出的信号强度随两束泵光相对延时的一般关系式,讨论非均匀加宽占绝对优势时,非相干光光子回波的多能级理论结果,及其与二能级理论结果的差异,论证等效二能级模型同样适用于近似分析存在非均匀加宽影响时,吸收带TDFWM-IL的实验结果,报道在红宝石零声子线和甲酚紫固体膜吸收边上的实验结果,并与上述理论做了比较。
本文将我们建立的非相干光时延四波混频(TDFWM-IL)的多能级理论由均匀加宽情形发展到非均匀加宽情形,得到吸收带同时存在均匀和非均匀加宽时,TDFWM-IL多能级理论给出的信号强度随两束泵光相对延时的一般关系式,讨论非均匀加宽占绝对优势时,非相干光光子回波的多能级理论结果,及其与二能级理论结果的差异,论证等效二能级模型同样适用于近似分析存在非均匀加宽影响时,吸收带TDFWM-IL的实验结果,报道在红宝石零声子线和甲酚紫固体膜吸收边上的实验结果,并与上述理论做了比较。
1991, 40(3): 424-432.
doi: 10.7498/aps.40.424
摘要:
本文根据实验和数值模拟给出的信息,解析研究激光加热柱形腔靶(简称“腔靶”)X射线温度与激光转换的X射线能之间的定标规律,推断了1989年在神光激光器上做的系列腔靶实验,对于每束激光能量为300—500J,脉冲宽度为0.7—1.0ns,波长λ为1.06μm的高斯型激光源,双束靶的X射线转换效率约为(50—55)%,X射线温度为(1.5—1.7)×106K。
本文根据实验和数值模拟给出的信息,解析研究激光加热柱形腔靶(简称“腔靶”)X射线温度与激光转换的X射线能之间的定标规律,推断了1989年在神光激光器上做的系列腔靶实验,对于每束激光能量为300—500J,脉冲宽度为0.7—1.0ns,波长λ为1.06μm的高斯型激光源,双束靶的X射线转换效率约为(50—55)%,X射线温度为(1.5—1.7)×106K。
1991, 40(3): 433-440.
doi: 10.7498/aps.40.433
摘要:
本文应用X射线在畸变晶体中的动力学衍射理论,分析了超晶格衍射峰强度分布的规律,计算了应变超晶格中界面变化,层厚波动对双晶摇摆曲线的影响,并初步探讨了超晶格衍射峰之间的小峰消失以及衍射峰宽化的原因,研究表明,衍射峰强度分布依赖于超晶格周期中层厚、成份及应变的综合效果,界面和层厚波动将对摇摆曲线产生一定影响,而晶格弯曲是使衍射峰宽化的主要原因。
本文应用X射线在畸变晶体中的动力学衍射理论,分析了超晶格衍射峰强度分布的规律,计算了应变超晶格中界面变化,层厚波动对双晶摇摆曲线的影响,并初步探讨了超晶格衍射峰之间的小峰消失以及衍射峰宽化的原因,研究表明,衍射峰强度分布依赖于超晶格周期中层厚、成份及应变的综合效果,界面和层厚波动将对摇摆曲线产生一定影响,而晶格弯曲是使衍射峰宽化的主要原因。
1991, 40(3): 441-448.
doi: 10.7498/aps.40.441
摘要:
本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的GexSi1-x/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整GexSi1-x/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。
本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的GexSi1-x/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整GexSi1-x/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。
1991, 40(3): 449-453.
doi: 10.7498/aps.40.449
摘要:
研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=。
研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=。
1991, 40(3): 454-458.
doi: 10.7498/aps.40.454
摘要:
本文报道从吸收光谱观察到分子吸附在银表面上所出现的电荷转移效应,着重研究分子与表面之间电荷转移随时间的变化过程,并且对其机理进行初步分析。
本文报道从吸收光谱观察到分子吸附在银表面上所出现的电荷转移效应,着重研究分子与表面之间电荷转移随时间的变化过程,并且对其机理进行初步分析。
1991, 40(3): 459-468.
doi: 10.7498/aps.40.459
摘要:
考虑到应力对超薄层(GaP)1/(InP)1(111)结构中Ga-P和In-P键长的作用为均匀分布的情况,本文提出在紧束缚近似下,将应力的影响直接反映到Harrison的交迭积分项中,并利用Recursion方法全面计算了由Keating模型确定的稳定(GaP)1/(InP)1(111)超晶格体内和表面的电子结构,结果表明,这种材料的带隙为1.88eV,它比体材料GaP(2.91eV)和InP(1.48eV)的平均值小
考虑到应力对超薄层(GaP)1/(InP)1(111)结构中Ga-P和In-P键长的作用为均匀分布的情况,本文提出在紧束缚近似下,将应力的影响直接反映到Harrison的交迭积分项中,并利用Recursion方法全面计算了由Keating模型确定的稳定(GaP)1/(InP)1(111)超晶格体内和表面的电子结构,结果表明,这种材料的带隙为1.88eV,它比体材料GaP(2.91eV)和InP(1.48eV)的平均值小
1991, 40(3): 469-475.
doi: 10.7498/aps.40.469
摘要:
数值计算结果表明,一维无公度系统Aubry模型存在扩展态、中间态和局域态。由扩展态向局域态的转变,要经过处于势强度v=2t附近的一段过渡区。这个新的结果不同于用对偶性理论证明给出的结论,即当势强度V2t时都是局域态,在V=2t存在Anderson转变。
数值计算结果表明,一维无公度系统Aubry模型存在扩展态、中间态和局域态。由扩展态向局域态的转变,要经过处于势强度v=2t附近的一段过渡区。这个新的结果不同于用对偶性理论证明给出的结论,即当势强度V2t时都是局域态,在V=2t存在Anderson转变。
1991, 40(3): 476-482.
doi: 10.7498/aps.40.476
摘要:
本文研究了热靶条件下注Si+的磷化铟材料的电学特性和低温光致荧光特性,发现Si+单注入样品的薄层载流子浓度随注入剂量的增加而趋于饱和,共P+注入后薄层载流子浓度大大增加,低温光致荧光谱研究表明,注Si+的磷化铟中存在Sip-Vp络合物缺陷,共P+注入能抑制其形成,表明Si+注入磷化铟中呈双性行为,还对Si++P
本文研究了热靶条件下注Si+的磷化铟材料的电学特性和低温光致荧光特性,发现Si+单注入样品的薄层载流子浓度随注入剂量的增加而趋于饱和,共P+注入后薄层载流子浓度大大增加,低温光致荧光谱研究表明,注Si+的磷化铟中存在Sip-Vp络合物缺陷,共P+注入能抑制其形成,表明Si+注入磷化铟中呈双性行为,还对Si++P
1991, 40(3): 483-489.
doi: 10.7498/aps.40.483
摘要:
本文采用两种极端情况的梯形势垒模型对上电极分别为Au,Ag和Cu的三种Al-Al2O3-M隧道结势垒参数进行了研究,通过用上述模型对77K温度下结的伏安特性进行拟合计算表明:这两种模型都能很好地解释实验结果;所得到的势垒参数表现出与结上电极金属的原子半径、金属材料的脱出功以及Al2O3绝缘介质的电子亲合势有关。
本文采用两种极端情况的梯形势垒模型对上电极分别为Au,Ag和Cu的三种Al-Al2O3-M隧道结势垒参数进行了研究,通过用上述模型对77K温度下结的伏安特性进行拟合计算表明:这两种模型都能很好地解释实验结果;所得到的势垒参数表现出与结上电极金属的原子半径、金属材料的脱出功以及Al2O3绝缘介质的电子亲合势有关。
1991, 40(3): 490-497.
doi: 10.7498/aps.40.490
摘要:
本文用X射线粉末衍射法研究了在600—1200℃范围内煅烧制成的纯ZnS,以及掺杂有不同浓度激活剂Cu和Mn的ZnS微晶结构,用X射线绝标法确定ZnS中α相(六角)和β相(立方)的重量比,并标定ZnS的绝标法常数Kβα,结果表明,低温β相到高温α相的相变温度对纯ZnS为1020℃,与公认的一致,当加入Cu量超过1×10-3后,相变温度明显向高温移动;当Cu量为2×10-3时,相变温度已高于1200℃,这可被解释为当在Z
本文用X射线粉末衍射法研究了在600—1200℃范围内煅烧制成的纯ZnS,以及掺杂有不同浓度激活剂Cu和Mn的ZnS微晶结构,用X射线绝标法确定ZnS中α相(六角)和β相(立方)的重量比,并标定ZnS的绝标法常数Kβα,结果表明,低温β相到高温α相的相变温度对纯ZnS为1020℃,与公认的一致,当加入Cu量超过1×10-3后,相变温度明显向高温移动;当Cu量为2×10-3时,相变温度已高于1200℃,这可被解释为当在Z
1991, 40(3): 498-504.
doi: 10.7498/aps.40.498
摘要:
在A(BB0.51B0.52)O3钙钛矿型铁电陶瓷材料中,除了在较高温度下都能有稳定的型超格子有序结构外,在室温和-150℃情况下,还分别观察到1/2和1/2型超格子有序结构,本文引入长程相互作用,并利用8点集团变分模型,在不同温度范围内分析了前面三种有序态的稳定性,所得结论与实验结果一致。
在A(BB0.51B0.52)O3钙钛矿型铁电陶瓷材料中,除了在较高温度下都能有稳定的型超格子有序结构外,在室温和-150℃情况下,还分别观察到1/2和1/2型超格子有序结构,本文引入长程相互作用,并利用8点集团变分模型,在不同温度范围内分析了前面三种有序态的稳定性,所得结论与实验结果一致。
