Deposition of p-type nc-SiC：H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells

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Abstract
This paper presents a detailed study on the effects of carbon incorporation and substrate temperature on structural, optical, and electrical properties of p-type nanocrystalline amorphous silicon films. A p-nc-SiC：H thin film with optical gap of 1.92eV and activation energy of 0.06eV is obtained through optimizing the plasma parameters. By using this p-type window layer, single junction diphasic nc-SiC：H /a-Si：H solar cells have been successfully prepared with a Voc of 0.94eV.

Keywords:
Infrared absorption spectra /

optical band gap /

nanocrystalline silicon films /

solar cells
Authors and contacts
Xu Ying⁴,

Diao Hong-Wei³,

Zhang Shi-Bin²,

Li Xu-Dong¹,

Zeng Xiang-Bo³,

Wang Wen-Jing¹,

Liao Xian-Bo³

(1)北京市太阳能研究所有限公司，北京 100083; (2)葡萄牙里斯本大学材料中心，里斯本2829-516 葡萄牙; (3)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室，凝聚态物理中心，北京 100083; (4)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室，凝聚态物理中心，北京 100083；北京市太阳能研究所有限公司，北京 100083
References

Cited By

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