物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2019, Vol. 68 Issue (22): .      DOI: 10.7498/aps.68.20191501
专题:拓扑物理前沿与应用 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
拓扑半金属ZrSiSe器件中面内霍尔效应的观测
韦博元, 步海军, 张帅, 宋凤麒
南京大学物理学院, 固体微结构国家重点实验室, 人工微结构科学与技术协同创新中心, 南京 210093
Observation of planar Hall effect in topological semimetal ZrSiSe device
Wei Bo-Yuan, Bu Hai-Jun, Zhang Shuai, Song Feng-Qi
Center of Artificial Microstructure Science and Technology Innovation, National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China


版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn