物理学报

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准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜(PO₂)₄(WO₃)_{2 m}(m=6)的磁电阻研究
 MAGNETORESISTANCE PROPERTIES IN QUASI-TWO DIMENSIONAL CHARGE-DENSITY WAVE COMPOU ND (PO₂)₄(WO₃)_2m(m=6)

田明亮, 石兢, 李世燕, 曹强, 乐松, 张裕恒

物理学报. 2000, 49 (9): 1892-1896 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1892
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摘要

对准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜(PO₂)₄(WO₃)_2m(m=6)在2—300K温区内的磁电阻及在2K时的Δρ/ρ_０-B关系进行了实验研究.利用电子磁击穿模型对其低温端的磁阻增强行为进行了分析解释，理论和实验相符合，并估算出高温端第一个Peierls能隙的大小为3.0meV，电子在低温下的迁移率为0.0 42m²V^-1s^-1

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Fe/Al₂O₃/Fe隧道结特性分析
 STUDING ON ELECTROMAGNETIC CHARACTERS OF Fe/Al₂O₃/Fe TUNNE LING JUNCTIONS

刘存业, 徐庆宇, 倪刚, 桑海, 都有为

物理学报. 2000, 49 (9): 1897-1900 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1897
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摘要

用离子束溅射方法制备磁性隧道结(MTJ). 研究MTJ样品的隧道结磁电阻(TMR)效应.用X射线光电子能谱分析了MTJ的软、硬磁层和非磁层及其界面的化学组成与微结构.研究了MTJ的微结构对氧化铝势垒高度与有效宽度和TMR效应的影响.

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利用Miura型不可逆变换得到高维可积模型
 OBTAIN HIGH DIMENSIONAL INTEGRABLE MODELS BY MEANS OF MIURA TYPE NONINVERTIBLE T RANSFORMATION

楼森岳

物理学报. 2000, 49 (9): 1657-1662 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1657
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摘要

寻找高维可积模型(特别是3+1维可积模型)是非线性物理中的一个非常重要的问题.建立了一种利用不可逆形变关系系统寻求高维可积模型的方法.不可逆形变既可以使可积模型成为不可积模型，也可以使不可积模型成为可积模型.利用一种不可逆的Miura型形变关系和线性波动方程，得到了一个非平庸的Painlevé可积的高维非线性模型.

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含时调制的Jaynes-Cummings模型的Pancharatnam相位
 THE PANCHARATNAM PHASE FOR THE JAYNES-CUMMINGS MODEL WITH TIME-DEPENDENT MODULAT ION

侯邦品

物理学报. 2000, 49 (9): 1663-1666 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1663
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摘要

基于含时调制的Jaynes-Cummings模型的SU(2)群结构，求得它的Pancharatnam相位，并分析了该模型从绝热开启直到关闭原子与场的相互作用的整个过程的相位变化.讨论了该模型在半经典近似条件下的情况.

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商函数运算与Mller变换
 THE QUOTIENT FUNCTION AND MLLER TRANSFORMATION

张永照, 张淑艳

物理学报. 2000, 49 (9): 1667-1669 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1667
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摘要

利用商函数的运算性质推导了加速系的洛仑兹变换式，进而推出了Mller变换.

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Sen时空中的陀螺进动效应
 THE EFFECT OF GYROSCOPIC PRECESSION IN SEN SPACETIME

彭毅, 梁志彬, 荆继良, 黄亦斌

物理学报. 2000, 49 (9): 1670-1678 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1670
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摘要

采用Frenet-Serret形式研究了Sen时空中的陀螺进动效应，得出了沿圆轨迹以任意常数角速度运动的轨道陀螺进动的一般公式，当陀螺在赤道平面上沿短程线运动时，由一般公式出发可得到精确的轨道周期进动角公式.作为特例，研究了静态dilaton时空中的陀螺进动效应. 将所得结果分别与Kerr-Newman和Reissner-Nordstrm时空中的情形相比较，发现dilaton 耦合使陀螺进动速率减慢，轨道周期进动角减小.

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一个二维分段光滑映象中的边界激变
 BOUNDARY CRISIS IN A 2D PIECE-WISE SMOOTH MAP^*

马明全, 王文秀, 何大韧

物理学报. 2000, 49 (9): 1679-1682 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1679
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摘要

解析地讨论一个冲击振子模型中的边界激变特征，证明了这类分段光滑二维映象中激变的生存时间标度律为τ-ε^-γ，而γ=ln|β₂|ln|β₁β2|(β₁，β₂分别是混沌吸引子吸引域边界上鞍点的不稳定和稳定本征值)，这与处处光滑二维映象中相应的规律完全不同.

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新型槽栅PMOSFET热载流子退化机理与抗热载流子效应研究
 STUDY ON THE HOT-CARRIER-DEGRADATION MECHANISM AND HOT-CARRIER-EFFECT IMMUNITY I N ADVANCED GROOVED-GATE PMOSFET

任红霞, 郝跃

物理学报. 2000, 49 (9): 1683-1688 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1683
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摘要

分析了槽栅器件中的热载流子形成机理，发现在三个应力区中，中栅压附近热载流子产生概率达到最大.利用先进的半导体器件二维器件仿真器研究了槽栅和平面PMOSFET的热载流子特性，结果表明槽栅器件中热载流子的产生远少于平面器件，且对于栅长在深亚微米和超深亚微米情况下尤为突出.为进一步探讨热载流子加固后对器件特性的其他影响，分别对不同种类和浓度的界面态引起的器件栅极和漏极特性的漂移进行了研究，结果表明同样种类和密度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件.为开展深亚微米和亚0.1微米新型槽栅

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脉冲电压电流沿偶极天线传播过程的等效电路法分析
 ANALYSIS OF THE PROPAGATING PROPERTIES OF PULSE VOLTAGE AND CURRENT ON DIPOLE AN TENNAS BY EQUIVALENT CIRCUIT METHOD

王均宏

物理学报. 2000, 49 (9): 1696-1701 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1696
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摘要

首先用差分方法求解了偶极天线上的静态电容分布，并分析了分布电容与天线结构参数之间的关系.然后用分布电容构造了可用于分析时域特性的偶极天线的等效电路，给出了该电路的时域求解方法.通过这一方法，可以求解任何脉冲源馈入偶极天线输入端时，天线上任意点、任意时刻的电压、电流值，从而可以分析脉冲电压、电流沿天线的传播特性，解释脉冲电压、电流传播过程中的各种现象.

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广义传播矩阵法分析分层各向异性材料对电磁波的反射与透射
 ELECTROMAGNETIC WAVE REFLECTION AND TRANSMISSION OF ANISOTROPIC LAYERED MEDIA BY GENERALIZED PROPAGATION MATRIX METHOD

郑宏兴, 葛德彪

物理学报. 2000, 49 (9): 1702-1705 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1702
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摘要

在实验室坐标系下由Maxwell旋度方程出发构造了横向场的状态矢量和耦合矩阵，讨论了各向异性介质中的特征波.通过引入横向场的传播矩阵，进而得到分层各向异性介质的反射系数和透射系数的解析表达式.该式可以适用于一般情况，包括分层单轴各向异性材料和回旋介质，以及半空间各向异性介质的反射和透射问题.

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光场与级联三能级原子相互作用时的熵特性和薛定谔猫态
 ENTROPY PROPETIES AND SCHRODINGER-CAT STATES OF THE FIELD INTERACTING WITH A Ξ TYPE THREE-LEVEL ATOM

刘翔, 方卯发, 刘安玲

物理学报. 2000, 49 (9): 1706-1713 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1706
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摘要

研究了光场与级联三能级原子相互作用时的熵特性，导出了场(原子)熵的计算公式，讨论了原子初始态和单光子失谐量对场(原子)熵的影响，借助于场的准概率分布Q函数，分析了场态的统计性质，结果表明，原子初始处于中能级时，光场将在t=12T_R(T_{R< /sub>为单光子回复周期)时出现薛定谔猫态.}

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附加Kerr介质非关联双模相干态场与V型三能级原子的相互作用系统中原子(场)的熵特性
 ENTROPY PROPERTIES OF THE FIELD OR THE ATOM IN THE INTERACTING SYSTEM OF TWO-MOD E FIELD WITH THE V-TYPE THREE-LEVEL ATOM IN A KERR-LIKE MEDIUM

赖振讲, 刘自信

物理学报. 2000, 49 (9): 1714-1718 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1714
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摘要

利用附加克尔介质非关联双模相干态场与V型三能级原子相互作用系统的态矢量导出了原子(场)熵的计算公式，通过数值计算，绘出并讨论了克尔介质对场熵特性的影响，结果表明强的克尔效应可以使原子呈现布居俘获，且使熵的时间演化周期性变化，弱的克尔效应使原子和光场的关联改善，减小关联起伏.

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开放的无粒子数反转激光系统中原子响应的时间演化和光放大机制
 TIME EVOLUTION OF ATOMIC RESPONSE AND LIGHT AMPLIFICATION MECHANISM IN AN OPEN I NVERSIONLESS LASING SYSTEM

樊锡君, 田淑芬, 李健, 刘杰, 白成杰

物理学报. 2000, 49 (9): 1719-1725 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1719
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摘要

研究了开放的Λ型无粒子数反转激光系统中原子响应的时间演化规律，阐明了该系统产生无粒子数反转光放大的机制.发现开放系统中原子响应的时间演化特征与封闭系统有显著的差别.认为时间演化过程中振荡频率的改变和振荡的非谐性来源于系统中原子振子的随机相干性.

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Ge-As-S体系玻璃中光学二次谐波发生及其极化机理分析
 SECOND HARMONIC GENERATION IN THE SYSTEM Ge-As-S ADN ANALYSIS OF THE POLING MECH ANISM

刘启明, 赵修建, 干福熹

物理学报. 2000, 49 (9): 1726-1730 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1726
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摘要

采用Maker条纹法，在电子束辐射极化条件下的Ge-As-S体系玻璃中观察到二次谐波发生效应 .通过热诱导去极化电流法(TSDC)进行极化机理分析得出，极化区域位于玻璃表面很薄的一层区域内，与理论计算结果相符.

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基于单个光纤光栅的Sagnac干涉仪的理论与实验研究
 THEORETICAL AND EXPERIMENTAL INVESTIGATIONS ON SAGNAC INTERFEROMETER BASED ON SI NGLE OPTICAL FIBER GRATING

舒学文, 黄德修, 邓桂华, 施伟, 江山

物理学报. 2000, 49 (9): 1731-1735 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1731
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摘要

提出了一种结构新颖的Sagnac干涉仪，分析计算了所含光纤光栅分别为均匀Bragg光栅和线性啁啾光栅时的透射响应，得到了均匀光栅Sagnac环的解析解，发现含均匀光栅时可得到间隔均匀的通带结构，而含啁啾光纤光栅时只能得到间隔非均匀的通带结构.这两种结构都可能有应用价值，前者可用在密集波分复用系统中，后者可用在光纤传感领域中.实验制作了两种通带间隔不同的、通带数分别为8和16的多通带滤波器，实验证实了理论计算得到的结果.

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考虑次近邻相互作用下一维单原子链中的孤立波
 SOLITARY WAVE IN ONE-DIMENSIONAL MONOATOMIC CHAIN UNDER THE CONSIDERATION OF THE SECOND-NEIGHBORS INTERACTION

王登龙, 颜晓红, 唐翌

物理学报. 2000, 49 (9): 1736-1740 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1736
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摘要

利用多重尺度法结合准不连续性近似，研究了涉及次近邻相互作用下的一维单原子链中的波动问题，得到了其新的色散关系.结果表明，在同时考虑次近邻相互作用和非谐相互作用的情况下，一维单原子链中不仅存在包络孤立波、扭状和反扭状孤立波，而且存在另一种孤立波形式的元激发——呼吸子.

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射流冷却AlO自由基B²Σ⁺—X²Σ⁺光谱研究
 FLUORESCENCE EXCITATION SPECTRUM OF B²Σ^＋—X² Σ⁺ OF AlO RADICAL IN A SUPERSONIC JET

金瑾, 陈旸, 裴林森, 胡长进, 马兴孝, 陈从香

物理学报. 2000, 49 (9): 1689-1691 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1689
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摘要

利用铝电极放电产生的Al原子与O₂反应生成AlO自由基，在超声射流冷却下在43 0—480nm波长范围观测到AlO自由基B—X跃迁的激光诱导荧光激发谱.光谱振动结构分析表明所有的谱带属于V′-V″=1,2,3跃迁，并获得基态和激发态的振动频率与非谐性常数.另外还对其中(1，4)谱带的转动结构进行标识，并得到相应的转动常数和离心畸变系数.对从基态振动能级V″=5向上跃迁的谱带强度增强进行了讨论.

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铁的原子间相互作用及声子谱
 THE INTERATOMIC INTERACTION AND PHONON DISPERSIONS IN IRON

李泌

物理学报. 2000, 49 (9): 1692-1695 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1692
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摘要

根据近年发展起来的Mbius变换方法，从铁的结合能出发，反演计算出铁中原子间的相互作用势.利用得到的相互作用势直接计算了原子力常数，并进而计算了铁的声子谱.计算中发现，在研究铁中原子间相互作用时，仅考虑二体相互作用是不够的，还必须考虑三体相互作用，采用Slater-Kirkwood型三体势，计算结果表明，在考虑三体势后，在三个主要对称方向［1００］，［11０］，［111］上，计算结果与实验值得到了满意的符合.

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一维金刚石结构晶格的非线性局域模
 NONLINEAR LOCALIZED MODES IN A ONE-DIMENSIONAL DIAMOND-STRUCTURE LATTICE

周光辉, 夏庆林, 颜家壬

物理学报. 2000, 49 (9): 1741-1746 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1741
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摘要

用多重尺度法研究了质量均匀相互作用力交替变化的原子链形成的非线性局域振动模式，这种原子链模拟了金刚石结构晶格沿〈111〉晶向或一维分子链的振动，通过多重尺度展开分析得出，原子位移分布服从微扰的非线性Schrdinger方程，求得了相应的定态解和传播解，其结果与相互作用力相同质量交替分布的另一种形式的一维双原子晶格的结果有所不同，其原因是金刚石结构晶格的对称性相对差些.

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Sb/Si(001)表面的半经验研究
 A SEMIEMPIRICAL STUDY OF THE Sb/Si(001) SURFACE

何垚, 车静光

物理学报. 2000, 49 (9): 1747-1755 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1747
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摘要

用基于Chadi模型和格林函数方法的一种计算表面应力的半经验方法研究了Sb吸附在Si(001) 衬底上的性质.结果显示，Sb原子在Si(001)表面形成对称的dimer，其键长为0.293nm，表面以下层的弛豫很小.Sb/Si(001)2×1表面沿着dimer方向的张应力为1.0eV/(1×1cell)，而沿垂直于dimer方向的压应力为-1.1eV/(1×1cell).Sb/Si(001)表面应力的主要贡献来自于最上面三层表面.

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氮气氛下(100)织构金刚石薄膜的成核与生长研究
 THE NUCLEATION AND GROWTH OF (100) TEXTURED DIAMOND FILMS IN PRESENCE OF NITROG EN

李灿华, 廖源, 常超, 王冠中, 方容川

物理学报. 2000, 49 (9): 1756-1763 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1756
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摘要

利用热丝化学气相沉积法研究了氮气浓度对金刚石薄膜成核和生长的影响.实验发现氮气的加入对金刚石成核密度影响不大，但促进了已形成的金刚石核的长大.适量的氮气不仅使金刚石生长速率得到很大的提高，而且稳定了金刚石薄膜(100)面的生长，使金刚石薄膜具有更好的(100)织构.利用原位光发射谱对衬底附近的化学基团进行了研究.研究表明，氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化.含氮基团的萃取作用提高了金刚石表面氢原子的脱附速率，从而提高了金刚石膜的生长速率.而含氮基团的选择吸附使金刚石

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磁镜场对射频等离子体中离子能量分布的影响
 EFFECT OF THE MAGNETIC MIRROR FIELD ON THE ION ENERGY DISTRIBUTIONS IN A RADIO F REQUENCY PLASMA

刘洪祥, 魏合林, 刘祖黎, 刘艳红, 王均震

物理学报. 2000, 49 (9): 1764-1768 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1764
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摘要

运用阻碍栅极型能量分析器，在不同磁镜场参数下测量了低温等离子体中离子的能量分布. 结果表明，在放电管中心处离子能量分布，随磁镜场强度的增加而向低能方向偏移，但离子能量分布宽度却没有明显的变化；而随着磁镜比的增加离子能量分布却向高能方向偏移，并且离子能量分布宽度也将变宽.由此可见，磁镜场参数对离子能量分布有很大影响.

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T_1uh_g Jahn-Teller系统中的频率约化矩阵
 THE REDUCED MATRICES OF VIBRATIONAL FREQUENCIES IN THE T_1uh_{g JAHN-TELLER SYSTEM}

袁乃荣, 邬鸿彦, 李铮, 邱庆春

物理学报. 2000, 49 (9): 1769-1777 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1769
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摘要

在研究C₆₀的电声相互作用中，最重要的应是T_1u电子态与h_{g< /sub>振动模式的偶合，俗称作T_1uh_g Jahn-Teller(JT)系统.线性的T_1uh_g JT系统的势能面上只有势槽的存在，而当非线性耦合项加入后，势能面将被扭曲成具有Ｄ_3d或Ｄ_5d对称性的势阱.在振动频率的各向同性假设下，势阱中h}

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高分子中激子和双激子的极化率(解析计算)
THE POLARIZABILITY OF EXCITON AND BIEXCITON IN POLYMER(ANALYTICAL CALCULATION)

陈科, 赵二海, 孙鑫, 付柔励

物理学报. 2000, 49 (9): 1778-1785 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1778
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摘要

高分子的电致发光是载流子在电场中的输运和复合，为了阐明它的机理，需要研究高分子中激子的极化性质，首先求得了激子和双激子的解析解，然后用线性响应的Green函数方法计算了两者的极化率，解析地证明了一个重要的结论：激子的极化率为正，双激子的极化率为负.从激子跃迁至双激子，高分子的电偶极矩要反转方向.

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6H-SiC电子输运的Monte Carlo模拟
 MONTE CARLO SIMULATION OF ELECTRON TRANSPORT IN 6H-SiC

尚也淳, 张义门, 张玉明

物理学报. 2000, 49 (9): 1786-1791 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1786
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摘要

从实际测量和单粒子Monte Carlo模拟两个方面研究了6H-SiC的电子输运规律，在模拟中考虑了6H-SiC主要的散射机理，模拟的结果体现了6H-SiC具有良好的高温和高场特性以及迁移率的各向异性，其横向迁移率和纵向迁移率相差近5倍.模拟结果和实验数据的对比说明了对 6H-SiC输运特性的模拟是正确的.

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石英光纤中二次非线性级联波长转换的理论分析
 THEORETICAL ANALYSIS OF WAVELENGTH CONVERSION FOR CASCADING SECOND-ORDER NONLINE ARITIES IN SILICA FIBER

刘雪明, 刘琳, 孙小菡, 张明德

物理学报. 2000, 49 (9): 1792-1797 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1792
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摘要

提出了利用周期性热及电场诱导D型光纤光栅的二次非线性级联(χ⁽²⁾∶χ⁽²⁾)，实现在波分复用网中波长转换的方法，并进行了理论分析.推导出χ⁽²⁾∶χ⁽²⁾的耦合模方程，得出了小信号条件下转换产生光波的场强振幅和功率，以及转换效率η的解析式，该式与数值计算相吻合.解析式和数值结果都表明，在近似满足相位匹配条件下，η与抽运光功率平方、光栅总长度L和二次非线性系数d的四次方分别成对数关系.计算结果表明，这种光纤光

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纳米硅薄膜的低温电输运机制
 THE TRANSPORT MECHANISM IN NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS AT LOW TEMPERATURE

徐刚毅, 王天民, 何宇亮, 马智训, 郑国珍

物理学报. 2000, 49 (9): 1798-1803 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1798
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摘要

在很宽的温度范围(500—20K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象.发现原先的异质结量子点隧穿(HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下(500—200K)的电导曲线，但明显偏离低温下的实验值.低温电导(100—20K)具有单一的激活能W，并与k_BT值大小相当(W～1—3k_BT)，呈现出Hopping电导的特征.对HQD模型做了修正，认为纳米硅同时存在两种输运机制：热激发辅助的电子隧穿和费米能级附近定域态之间的Hoppin g电导.高温时(T

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n-Hg_0.80Mg_0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究
 STUDY ON TRANSPORT PROPERTIES OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GASES IN n-Hg_0.80Mg_0.20Te INTERFACE ACCUMULATION LAYER

蒋春萍, 桂永胜, 郑国珍, 马智训, 李标, 郭少令, 褚君浩

物理学报. 2000, 49 (9): 1804-1808 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1804
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摘要

通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg_0.80Mg_0.20Te薄膜在15 —250K温度范围内的输运特性.采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程(MCF)相结合的方法对实验数据进行了分析，由该方法获得的结果和Shubnikov de Hass(SdH)振荡测量的结果都证明材料中存在二维(2D)电子和三维(3D)电子.其中2D电子主要来自于Hg_1-xMgxTe-CdTe的界面积累层或Hg_1-x

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V形GaAs/AlGaAs量子线结构的微区光致发光谱研究
 THE MICRO-PHOTOLUMINESCENCE OF A SINGLE V-GROOVE GaAs/AlGaAs QUANTUM WIRE

李志锋, 陆卫, 刘兴权, 沈学础, Y.FU, M.WILLANDER, H.H.TAN, C.JAGADISH

物理学报. 2000, 49 (9): 1809-1813 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1809
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摘要

在室温下用显微光致发光的方法对单根V形GaAs/AlGaAs量子线进行了沿垂直于量子线方向的空间分辨扫描测试，观察到各种量子结构的光致发光谱随空间位置的变化.在量子线区域附近观察到来自量子线(QWR)、颈部量子阱(NQWL)和垂直量子阱(VQWL)等各种结构的发光，而在距离量子线约1μm以远的发光光谱表现出侧面量子阱(SQWL)的发光.对全部发光光谱用高斯线形进行了拟合，发现QWR和SQWL的发光包含了两个荧光峰，将它们分别归诸为电子到轻、重空穴的跃迁.拟合后发光强度的空间变化直接确定了与量子线

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磁量子结构中二维自旋电子的隧穿输运
 TUNNELING TRANSPORT OF TWO-DIMENSIONAL SPIN-ELECTRONS THROUGH MAGNETIC QUANTUM S TRUCTURES

郭永, 顾秉林, 川添良幸

物理学报. 2000, 49 (9): 1814-1820 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1814
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摘要

研究了零偏压和偏置电压作用下磁量子结构中自旋电子的隧穿输运性质. 结果表明电子自旋输运的性质不仅取决于磁量子结构的构型、入射电子的能量和波矢, 而且取决于偏置电压. 在零偏压下, 由等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构不具有自旋过滤的特点, 而由不等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构却具有较好的自旋过滤特点. 偏置电压极大地改变了磁量子结构中电子的极化程度, 使得电子隧穿等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构的输运性质也显著地依赖于电子的自旋指向.

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SIN⁺ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究
 FOURIER TRANSFORMATION STUDY OF THE FRANZ-KELDYSH OSCILLATION IN SIN⁺ GaAs STRUCTURES

金鹏, 潘士宏, 梁基本

物理学报. 2000, 49 (9): 1821-1828 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1821
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摘要

利用傅里叶变换(FT)方法，对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟，并用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层-n型重掺杂层(SIN⁺)结构的GaAs样品的FKO. PR谱的FT分析表明，一部分样品的FT谱，包括其实部、虚部和模，与理论线性符合得比较好，由此求出轻空穴(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之比μ_l/μ_h对不同样品在0805—0816之间，同时也可以求出

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非理想第二类超导体局域磁弛豫的计算模拟：非均匀钉扎势和表面势垒影响
 SIMULATION ON LOCAL FLUX CREEP IN NON-IDEAL TYPE-Ⅱ SUPERCONDUCTORS:THE EFFECT O F NON-UNIFORM PINNING POTENTIAL AND SURFACE POTENTIAL

刘峰, 阎守胜

物理学报. 2000, 49 (9): 1829-1837 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1829
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摘要

从热激活模型出发，对非理想第二类超导的局域磁行为进行了计算模拟.讨论了超导体体内非均匀钉扎势和表面势垒对局域磁通运动的影响.计算结果表明，体内非均匀钉扎势对磁通线的运动产生大的阻碍,表面势垒明显抑制了磁通线的进入和离开样品.相对于样品的平均磁弛豫行为和平均磁滞回线，非均匀钉扎以及扫场速率的差异更强地显示在样品的局域磁行为.

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金属间化合物RMn₂Ge₂(R=La,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb和Y)中的自发磁相变及相变时的磁弹性异常
 SPONTANEOUS MAGNETIC PHASE TRANSITION AND MAGNETOELASTIC ANOMALIES AT TRANSITION S IN INTERMETALLIC COMPOUNDS RMn₂Ge₂ (R=La,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb, Y)

郭光华, R.Z.LEVITIN

物理学报. 2000, 49 (9): 1838-1845 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1838
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摘要

在10—800K的温度范围内用X射线衍射方法测量了RMn₂Ge₂(R=La,Pr ,Nd,Sm,Gd,Tb和Y)的晶格常数与温度的变化关系.在各种类型的自发磁相变观察到晶格常数的磁弹性异常现象.实验得出，自发磁相变时的磁弹性异常主要由Mn次晶格引起，并且Mn-Mn 交换相互作用能不仅与晶格常数a有关，而且与晶格常数c有关.用Kittle的交换反转模型讨论了低温时的铁磁—反铁磁一阶相变.

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钙钛矿Mn基氧化物的电子顺磁共振行为的实验研究
 ELECTRONIC SPIN RESONANCE STUDY OF PEROVSKITE-TYPE MANGANITES

姜勇, 李广, 曾祥勇, 杨应平, 袁松柳, 金嗣昭

物理学报. 2000, 49 (9): 1846-1851 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1846
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摘要

借助电子顺磁共振技术，对Mn³⁺/Mn⁴⁺=2∶1和1∶1的两个典型体系在居里温度T_C以上温区的顺磁行为进行了实验研究.实验表明，存在一特征温度 T_min，通过该温度将T_C以上的磁行为分成两个明显可区分的温区：在T_min以上，共振谱由一对称的单线构成，Lande 因子g值与温度无关且接近自由电子的值(～20023)，线宽随温度呈线性变化等；而在T_min

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Pb(Zr,Sn,Ti)O₃反铁电陶瓷场诱相变性能的改进
 ELECTRIC FIELD INDUCED ANTIFERROELECTRIC TO FERROELECTRIC PHASE TRANSITION OF Pb (Zr,Sn,Ti)O₃ CERAMICS AND TAILORING OF PROPERTIES THROUGH COMPOSITION MODIFICATION

刘鹏, 杨同青, 徐卓, 张良莹, 姚熹

物理学报. 2000, 49 (9): 1852-1858 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1852
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摘要

为了获得场诱反铁电(AFE_t)—铁电(FE_Ｒ)相变临界电场E_{f小、电滞ΔE小、场致应变x适当的反铁电陶瓷，对Pb(Zr, Sn, Ti)O₃采用Ba ^2＋置换Pb^2＋，同时在四方反铁电相AFE_t—三方铁电F E_Ｒ相界附近调节Ti/Sn比，来控制FE_Ｒ-AFE_t,AFE_t}

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光谱探针法确定Eu³⁺:ThO₂的格位对称性及选择激发下样品的光致发光研究
 SITE SYMMETRY DETERMINATION AND SELECTIVE EXCITATION SPECTROSCOPY OF Eu^{3+:ThO₂ CRYSTAL}

尹民, J.C. KRUPA

物理学报. 2000, 49 (9): 1859-1866 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1859
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摘要

测量和分析了不同温度下Eu³⁺:ThO₂的激发光谱、发射光谱和荧光衰减曲线.Eu³⁺:ThO₂晶体是用熔融法生长的.通过12K下格位选择激发下的发射光谱测量，利用晶场理论，确定了Eu³⁺在ThO₂占据Oh和C_3v两种格位.列表给出了两种格位Eu³⁺离子的晶场能级和室温及12K下的荧光寿命.讨论了温度对能

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ZnS型薄膜电致发光器件输运过程的解析能带模拟
 ANALYTICAL BAND SIMULATION OF ELECTRIC TRANSPORT IN ZnS THIN FILM ELECTROLUMINES CENT DEVICES

赵辉, 何大伟, 王永生, 徐叙瑢

物理学报. 2000, 49 (9): 1867-1872 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1867
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摘要

采用解析能带模型对ZnS型薄膜电致发光器件的输运过程进行了Monte Carlo模拟.利用分段的多项式拟合了ZnS的实际导带结构，计算了能态密度和散射速率.以这些结果为基础，模拟了ZnS中的电子输运过程.通过比较，这一模型既具有非抛物多能谷能带模型运算速度快、使用方便的优势，又具有与采用全导带模型相近的计算精度.进而，讨论了能带模型对模拟结果的影响，发现色散关系与能态密度均对模拟结果有较大影响.

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TGS晶体生长多形性和其表面扩散生长机制
 TGS CRYSTAL GROWTH POLYMORPHISM AND SURFACE DIFFUSION GROWTH MECHANISM

孙大亮, 于锡玲, 王燕, 顾庆天

物理学报. 2000, 49 (9): 1873-1877 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1873
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摘要

选取了TGS晶体的(001)，(110)，(010)和(100)四个面为研究对象，分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制，发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比，前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用；同时，在较高的相对过饱和度下，观察到了TGS自结体的两种简单晶形.

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激光分子束外延BaTiO₃薄膜最顶层表面原子平面与薄膜生长机理
 TOPMOST SURFACE AND GROWTH MECHANISM OF BaTiO₃ THIN FILM GROWN BY LAS ER MOLECULAR BEAM EPITAXY

崔大复, 陈凡, 赵彤, 师文生, 陈正豪, 周岳亮, 吕惠宾, 杨国桢, 黄惠忠, 张宏霞

物理学报. 2000, 49 (9): 1878-1882 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1878
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摘要

用激光分子束外延技术在SrTiO₃(001)衬底上外延生长了高质量的BaTiO_{3< /sub>薄膜，薄膜的生长过程由反射式高能电子衍射仪(RHEED)原位实时监测，表明薄膜具有二维层状生长模式.薄膜的晶体结构和表面形貌分别由X射线衍射和原子力显微镜表征，显示该薄膜为完全c轴取向四方相晶体结构，其表面具有原子尺度光滑性.采用角分辨X射线光电子谱技术(ARXPS)，研究了BaTiO₃薄膜表面最顶层原子种类和排列状况.结果表明，BaTiO₃}

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软X射线辐照引起的铟锡氧化物表面光化学反应
 PHOTOCHEMICAL REACTION ON ITO SURFACE INDUCED BY SOFT X-RAY IRRADIATION

刘黎明, 熊玉卿, 郭云, 李冠斌, 杨得全

物理学报. 2000, 49 (9): 1883-1885 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1883
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摘要

利用XPS原位研究了Mg Kα X射线辐照对ITO表面的影响.结果表明，随着X射线辐射时间的延长，表面辐照区域In，Sn相对含量增加，而O则逐渐减少，同时，In，Sn3d光电子峰随X射线辐射的增强而变化.分析说明X射线的辐照导致了ITO表面光化学反应，氧的脱离使In，Sn有被还原的趋势，受损较重的In明显存在亚氧化态.In，Sn俄歇参数的变化进一步证实ITO表面发生了光化学反应.并讨论了X射线引起ITO表面光化学反应的机制.

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微晶纤维素电流变液在挤压流中的粘弹性
 SQUEEZE FLOW VISCOELASTICITY OF ELECTRORHEOLOGICAL FLUIDS BASED ON MICROCRYSTAL LINE CELLULOSE

刘立伟, 王作维, 周鲁卫, 王治金, 高广君, 刘晓军

物理学报. 2000, 49 (9): 1886-1891 http://dx.doi.org/10.7498/aps.49.1886
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摘要

测量了微晶纤维素/蓖麻油悬浮体构成的电流变液在挤压流中的动态粘弹性.给出了平行于电场方向的储能模量G′和损耗模量G″对电场和应变幅度的依赖关系.实验显示，当电场超过临界电场后，随着应变幅度增加, 电流变液的粘弹性从线性变到非线性，电流变液出现了应变导致的“类固体”和流体之间的转变过程. 还研究了应变幅度和振荡频率对电流变液粘弹性非线性的影响.