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V形GaAs/AlGaAs量子线结构的微区光致发光谱研究

H.H.TAN C.JAGADISH Y.FU M.WILLANDER 李志锋 陆 卫 刘兴权 沈学础

V形GaAs/AlGaAs量子线结构的微区光致发光谱研究

H.H.TAN, C.JAGADISH, Y.FU, M.WILLANDER, 李志锋, 陆 卫, 刘兴权, 沈学础
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-12-18
  • 修回日期:  2000-02-19
  • 刊出日期:  2000-09-20

V形GaAs/AlGaAs量子线结构的微区光致发光谱研究

  • 1. (1)Department of Electronic Material Engineering,Research School of Physical Scien ce and Engineering,the Australian National University,Canberra 0200,A.C.T.,Austr alia; (2)Microelectronic Center at Chalmers,Physical Electronics and Photonics,Departmen t of Physics,University of Gteborg and Chalmers University of Technology,Fysik grnd 3,S-412 96 Gteborg,Sweden; (3)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海 200083
    基金项目: 

    上海市青年科技启明星项目(批准号:98QA14004)与国家重点基础研究发展规划项目(批准号 :G1998061404)资助的课题.

摘要: 在室温下用显微光致发光的方法对单根V形GaAs/AlGaAs量子线进行了沿垂直于量子线方向的 空间分辨扫描测试,观察到各种量子结构的光致发光谱随空间位置的变化.在量子线区域附 近观察到来自量子线(QWR)、颈部量子阱(NQWL)和垂直量子阱(VQWL)等各种结构的发光,而 在距离量子线约1μm以远的发光光谱表现出侧面量子阱(SQWL)的发光.对全部发光光谱用高 斯线形进行了拟合,发现QWR和SQWL的发光包含了两个荧光峰,将它们分别归诸为电子到轻 、重空穴的跃迁.拟合后发光强度的空间变化直接确定了与量子线

English Abstract

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