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亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱

J. M. Hvam 贾国治 孙 亮 姚江宏 许京军 徐章程 王占国

亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱

J. M. Hvam, 贾国治, 孙 亮, 姚江宏, 许京军, 徐章程, 王占国
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-02-02
  • 修回日期:  2005-03-14
  • 刊出日期:  2005-11-20

亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱

  • 1. (1)丹麦技术大学通讯、光学和材料研究中心,Lyngby,DK-2800,丹麦; (2)弱光非线形光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,南开大学物理科学学院和泰 达应用物理学院,天津 300457; (3)弱光非线形光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,南开大学物理科学学院和泰 达应用物理学院,天津 300457;丹麦技术大学通讯、光学和材料研究中心,Lyngby,DK-2800,丹麦; (4)弱光非线形光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,南开大学物理科学学院和泰 达应用物理学院,天津 300457;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60444010,60476042),丹麦国家技术科学委(STVF)和南开大学 人事处科研启动经费资助的课题.

摘要: 测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量 子点的辐射寿命在500 ps 至 800 ps之间,随量子点尺寸的增大而增大,与量子点中激子的 较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈 依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下,上升时间为 35 ps,纵光学声子发射为主要的 载流子俘获机理.在强激发强度密度下,上升时间随激发强度密度的增加而减小,俄歇过程 为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用.

English Abstract

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