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垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性

邢艳辉 韩 军 刘建平 邓 军 牛南辉 沈光地

垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性

邢艳辉, 韩 军, 刘建平, 邓 军, 牛南辉, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-25
  • 修回日期:  2007-06-05
  • 刊出日期:  2007-06-05

垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性

  • 1. 
    基金项目: 

    北京市自然科学基金(批准号: D0404003040221)资助的课题.

摘要: 利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长InGaN/GaN多量子阱结构.对多量子阱垒层掺In和非掺In进行了比较研究,结果表明,垒掺In 的样品界面质量变差,但明显增加了光致发光谱的峰值强度和积分强度,带边峰与黄光峰强度之比增大,降低了表面粗糙度.利用这两种结构制备了相应的发光二极管(LED)样品.通过电荧光测量可知,垒掺In的LED比非掺In的LED有较高的发光强度和相对均匀的波长,这主要是由于垒掺In后降低了阱与垒之间晶格失配的应力,从而降低了极化电场,提高了辐射复合效率.

English Abstract

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