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红光量子点掺杂PVK体系的发光特性研究

刘志民 赵谡玲 徐征 高松 杨一帆

红光量子点掺杂PVK体系的发光特性研究

刘志民, 赵谡玲, 徐征, 高松, 杨一帆
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  • 无热处理制备了红光CdSe/ZnS量子点掺杂PVK的ITO/PVK:QDs/Alq3/Al结构电致发光器件. 测试器件的发光光谱和电学特性等,研究了掺杂浓度(质量分数)对体系发光特性的影响,将非掺杂与掺杂体系做了比较,提出了优化掺杂体系的一些可行方案. 量子点掺杂浓度较低时,主要为Alq3的发光;掺杂浓度为20%时,Alq3的发光得到抑制,红光发射最佳;继续增大掺杂浓度,QDs发光峰发生微弱红移,器件性能变差. 与非掺杂体系相比,掺杂浓度合适的PVK:QDs体系大大提高了器件的稳定性.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2010CB327704)、国家自然科学基金(批准号:51272022)、国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2013AA032205)、教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-10-0220)、高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20120009130005,20130009130001)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2012JBZ001)资助的课题.
    [1]

    Colvin V L, Schlamp M C, Alivisatos A 1994 Nature 370 354

    [2]

    Steckel J S, Snee P, Coe-Sullivan S, Zimmer J P, Halpert J E, Anikeeva P, Kim L A, Bulovi V, Bawendi M G 2006 Angew. Chem. Int. Ed. 45 5796

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    Steckel J S, Zimmer J P, Coe-Sullivan S, Stott N E, Bulovi V, Bawendi M G 2004 Angew. Chem. Int. Ed. 43 2154

    [4]

    O’Connor E, O’Riordan A, Doyle H, Moynihan S, Cuddihy A, Redmond G 2005 Appl. Phys. Lett. 86 201114

    [5]

    Steckel J S, Coe-Sullivan S, Bulovi V, Bawendi M G 2003 Adv. Mater. 15 1862

    [6]

    Bakueva L, Musikhin S, Hines M A, Chang T-WF, Tzolov M, Scholes G D, Sargent E H 2003 Appl. Phys. Lett. 82 2895

    [7]

    Murray C B, Kagan C R, Bawendi M G 1995 Science 270 1335

    [8]

    Lin X M, Jaeger H M, Sorensen C M, Klabunde K J 2001 J. Phys. Chem. B 105 3353

    [9]

    Santhanam V, Andres R P 2004 Nano Lett. 4 41

    [10]

    Dabbousi B O, Murray C B, Rubner M F, Bawendi M G 1994 Chem. Mater. 6 216

    [11]

    Collier C P, Saykally R J, Shiang J J, Henrichs S E, Heath J R 1997 Science 277 1978

    [12]

    Kong Y C, Zhou D Y, Lan Q, Liu J L, Miao Z H, Feng S L, Niu Z C 2003 Chin. Phys. 12 97

    [13]

    Sun Q J, Wang Y A, Li L S, Wang D Y, Zhu T, Xu J, Yang C H, Li Y F 2007 Nat. Photonics 1 717

    [14]

    Gordan K C, Walsh P J, McGale E M 2004 Curr. Appl. Phys. 4 331

    [15]

    Anikeeva P O, Halpert J E, Bawendi M G, Bulovi V 2009 Nano Lett. 9 2532

    [16]

    Wu C C, Wu C I, Sturm J C, Kahn A 1997 Appl. Phys. Lett. 70 1348

    [17]

    Chen W B, Xu Z X, Li K, Chui S Y, Roy V A L, Lai P T, Che C M 2012 Chin. Phys. B 21 78401

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    Coe-Sullivan S, Steckel J S, Woo W K, Bawendi M G, Bulovi V 2005 Adv. Funct. Mater. 15 1117

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    Chen B J, Liu S Y 1997 Synth. Met. 91 169

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    Zhu H N, Xu Z, Zhao S L, Zhang F J, Kong C, Yan G, Gong W 2010 Acta Phys. Sin. 59 8093 (in Chinese)[朱海娜, 徐征, 赵谡玲, 张福俊, 孔超, 闫光, 龚伟 2010 物理学报 59 8093]

    [21]

    Dong W F, Yang Q Q, Li J, Wang Q M, Cui Q, Zhou J M, Huang Q 1996 Chin. Phys. 5 456

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    Dabbousi B O, Bawendi M G, Onitsuka O, Rubner M F 1995 Appl. Phys. Lett. 66 1316

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    Nie H, Zhang B, Tang X Z 2007 Chin. Phys. 16 730

  • [1]

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  • [1] 刘文姝, 高润亮, 冯红梅, 刘悦悦, 黄怡, 王建波, 刘青芳. 真空磁场热处理温度对不同厚度的Ni88Cu12薄膜畴结构及磁性的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191942
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-12-20
  • 修回日期:  2014-01-20
  • 刊出日期:  2014-05-05

红光量子点掺杂PVK体系的发光特性研究

  • 1. 北京交通大学光电子技术研究所, 发光与光信息技术教育部重点实验室, 北京 100044
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2010CB327704)、国家自然科学基金(批准号:51272022)、国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2013AA032205)、教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-10-0220)、高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20120009130005,20130009130001)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2012JBZ001)资助的课题.

摘要: 无热处理制备了红光CdSe/ZnS量子点掺杂PVK的ITO/PVK:QDs/Alq3/Al结构电致发光器件. 测试器件的发光光谱和电学特性等,研究了掺杂浓度(质量分数)对体系发光特性的影响,将非掺杂与掺杂体系做了比较,提出了优化掺杂体系的一些可行方案. 量子点掺杂浓度较低时,主要为Alq3的发光;掺杂浓度为20%时,Alq3的发光得到抑制,红光发射最佳;继续增大掺杂浓度,QDs发光峰发生微弱红移,器件性能变差. 与非掺杂体系相比,掺杂浓度合适的PVK:QDs体系大大提高了器件的稳定性.

English Abstract

参考文献 (23)

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