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温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响

杨双波

温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响

杨双波
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  • 本文在有效质量近似下,通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=273 K,磁感应强度B=25 T,Si均匀掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱系统的电子态结构. 研究了温度与外磁场对子带能量,本征包络函数,自洽势,电子密度分布,及费米能量的影响. 发现在给定磁感应强度B≠0下,随温度升高子带能量单调增加,费米能量单调递减,自洽势的势阱变深变陡,电子密度分布变宽,峰值降低;在给定温度下,随磁感应强度的增加子带能量及费米能量单调递增,自洽势阱变浅变宽,电子密度分布变窄,峰值升高.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-04
  • 修回日期:  2013-11-22
  • 刊出日期:  2014-03-05

温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响

  • 1. 南京师范大学物理科学与技术学院, 南京 210023

摘要: 本文在有效质量近似下,通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=273 K,磁感应强度B=25 T,Si均匀掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱系统的电子态结构. 研究了温度与外磁场对子带能量,本征包络函数,自洽势,电子密度分布,及费米能量的影响. 发现在给定磁感应强度B≠0下,随温度升高子带能量单调增加,费米能量单调递减,自洽势的势阱变深变陡,电子密度分布变宽,峰值降低;在给定温度下,随磁感应强度的增加子带能量及费米能量单调递增,自洽势阱变浅变宽,电子密度分布变窄,峰值升高.

English Abstract

参考文献 (27)

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