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快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

J.Wang WeikunGe 卢励吾 张砚华 王占国 徐仲英 徐遵图

快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

J.Wang, WeikunGe, 卢励吾, 张砚华, 王占国, 徐仲英, 徐遵图
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-19
  • 修回日期:  2001-08-28
  • 刊出日期:  2002-01-05

快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

  • 1. (1)香港科技大学物理系,香港九龙清水湾; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京100083; (3)中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083; (4)中国科学院半导体研究所光电子工程中心,北京100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 76 0 0 8)

    国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83)

    香港科技大学HKUST6 135 97P资助的课题~

摘要: 研究分子束外延(MBE)生长的应变In0.2Ga0.8AsGaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了InGaAsGaAs界面非辐射中心,提高77K光致发光效率和有源层电子发射.同时Al和Ga原子互扩散,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度.RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加.这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一.

English Abstract

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