搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

肖细凤 康俊勇

AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

肖细凤, 康俊勇
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2813
  • PDF下载量:  511
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2001-01-12
  • 修回日期:  2001-06-27
  • 刊出日期:  2005-04-11

AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

  • 1. 厦门大学物理系,厦门361005
    基金项目: 

    国家“8 63”计划 (批准号 :715 0 10 0 0 2 2 )

    国家自然科学基金 (批准号 :699760 2 3)

    福建省自然科学基金 (批准号 :A0 0 2 0 0 0 1)资助的课题

摘要: 采用定电容电压法,测量了n型Al026Ga074As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态;并对瞬态数据进行数值Laplace变换,得到其Laplace缺陷谱(LDS).通过分析LDS谱,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系,从而得到热俘获系数对温度依赖关系,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构;通过第一原理赝势法计算表明,Sn附近的AlGa原子的不同配置是电子热俘获势垒精细结构产生的主要原因

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回