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1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计

彭红玲 韩 勤 杨晓红 牛智川

1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计

彭红玲, 韩 勤, 杨晓红, 牛智川
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-05-15
  • 修回日期:  2006-08-09
  • 刊出日期:  2007-01-05

1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计

  • 1. 中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036603),国家重点基金资助项目(批准号:60137020)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312080)资助的课题.

摘要: 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3 dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3 μm量子点VCSEL结构.

English Abstract

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