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AlSb/GaAs(001)失配位错的高分辨电子显微学研究

邹进 温才 李方华 陈弘

AlSb/GaAs(001)失配位错的高分辨电子显微学研究

邹进, 温才, 李方华, 陈弘
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  • 用200 kV 六硼化镧光源的高分辨透射电子显微镜观察了AlSb/GaAs(001)外延薄膜的失配位错,结合解卷处理方法把[110]高分辨电子显微像转换为试样的结构投影图,其分辨率接近电子显微镜的信息极限.根据赝弱相位物体近似像衬理论,通过分析AlSb薄膜完整区解卷像的衬度随试样厚度的变化,确定了哑铃原子对中Al和Sb原子的位置.在此基础上构建出失配位错的结构模型,再结合模拟像与实验像的匹配,确定了AlAs型界面以及Lomer和60°两类失配全位错的核心结构.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50672124)资助的课题.
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  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-21
  • 修回日期:  2009-12-29
  • 刊出日期:  2010-03-15

AlSb/GaAs(001)失配位错的高分辨电子显微学研究

  • 1. (1)Centre for Microscopy and Microanalysis and Materials Engineering,The University of Queensland,St. Lucia Queensland 4072,Australia; (2)中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京 100190
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50672124)资助的课题.

摘要: 用200 kV 六硼化镧光源的高分辨透射电子显微镜观察了AlSb/GaAs(001)外延薄膜的失配位错,结合解卷处理方法把[110]高分辨电子显微像转换为试样的结构投影图,其分辨率接近电子显微镜的信息极限.根据赝弱相位物体近似像衬理论,通过分析AlSb薄膜完整区解卷像的衬度随试样厚度的变化,确定了哑铃原子对中Al和Sb原子的位置.在此基础上构建出失配位错的结构模型,再结合模拟像与实验像的匹配,确定了AlAs型界面以及Lomer和60°两类失配全位错的核心结构.

English Abstract

参考文献 (25)

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