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立方氮化硼薄膜生长过程中的界面控制

杨杭生 谢英俊

立方氮化硼薄膜生长过程中的界面控制

杨杭生, 谢英俊
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-23
  • 修回日期:  2007-01-12
  • 刊出日期:  2007-09-20

立方氮化硼薄膜生长过程中的界面控制

  • 1. (1)浙江大学材料与化学工程学院,杭州 310027; (2)浙江大学流体传动及控制国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    浙江省自然科学基金(批准号:Y405051)和浙江省教育厅(批准号:20061365)资助的课题.

摘要: 在立方氮化硼薄膜气相生长过程中生成的无定形初期层和乱层结构氮化硼中间层,一直是阻碍立方氮化硼薄膜外延生长的主要原因.系统地分析了硅衬底预处理对立方氮化硼薄膜中无定形初期层成分的影响,发现在等离子体化学气相生长法制备薄膜时,硅衬底上形成无定形初期层的可能原因有氧的存在、离子轰击以及高温下硅的氮化物的形成.在H2气氛中1200K热处理硅衬底可以有效地减少真空室中残留氧浓度,除去硅表面的自然氧化层,保持硅衬底表面晶体结构.控制衬底温度不超过900 K,就能防止硅的氮化物的形成,成功地除去无

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