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等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中的表面生长机理

杨杭生

等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中的表面生长机理

杨杭生
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-19
  • 修回日期:  2006-03-23
  • 刊出日期:  2006-08-20

等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中的表面生长机理

  • 1. 浙江大学材料与化学工程学院,杭州 310027
    基金项目: 

    浙江省自然科学基金(批准号:Y405051)资助的课题.

摘要: 利用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法以Ar,He,N2和B2H6为反应气体制备了高纯立方氮化硼薄膜.用四极质谱仪对等离子体状况进行了系统的分析,发现B2H6完全被电离而N2只是部分被电离.H2和过量的N2在等离子体中生成大量中性的H原子和活化的N*2,它们与表面的相互作用严重地阻碍了立方

English Abstract

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