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Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4赝三元系相图的研究

车广灿 唐棣生

Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4赝三元系相图的研究

车广灿, 唐棣生
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  • 本文用差热分析法和高温、室温X射线衍射法对Li3VO4,Li4SiO4的相变过程,Li3VO4-Li4SiO4,Li3O4-Li-4GeO4赝二元系相图以及Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4赝三元系相图室温截面进行了研究。发现在Li3VO4-Li4SiO4,Li3VO4-Li4GeO4赝二元系中,由于Li4SiO4或Li4GeO4的加入而使Li3VO4的高温γII相稳定存在于室温,从而得到一种新的具有高电导率的锂离子导体。作者认为探寻使高温态稳定存在于室温的方法是探索新的离子导体研究中有效途径之一。
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-07-28
  • 刊出日期:  1983-04-05

Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4赝三元系相图的研究

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 本文用差热分析法和高温、室温X射线衍射法对Li3VO4,Li4SiO4的相变过程,Li3VO4-Li4SiO4,Li3O4-Li-4GeO4赝二元系相图以及Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4赝三元系相图室温截面进行了研究。发现在Li3VO4-Li4SiO4,Li3VO4-Li4GeO4赝二元系中,由于Li4SiO4或Li4GeO4的加入而使Li3VO4的高温γII相稳定存在于室温,从而得到一种新的具有高电导率的锂离子导体。作者认为探寻使高温态稳定存在于室温的方法是探索新的离子导体研究中有效途径之一。

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