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硅中三空位V3-的超精细相互作用的理论计算

范希庆 申三国 张德萱 任尚元

硅中三空位V3-的超精细相互作用的理论计算

范希庆, 申三国, 张德萱, 任尚元
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-08-26
  • 刊出日期:  2005-07-08

硅中三空位V3-的超精细相互作用的理论计算

  • 1. (1)郑州大学物理系; (2)中国科学技术大学物理系

摘要: 利用Koster-Slater的格林函数方法,计算了硅中三空位V3-的电子态能级和波函数.结果表明,V3-在禁带中有五条能级:E(A2)=0.417eV,E(B1)=0.492eV,E(B21)=0.512ev, E(A1)=0.532eV,E(B22)=0.608eV.根据算得的超精细相互作用常数同实验值的比较,定出V3-处于B1态.V3-的B1态点据第1壳层的几率为60.2%,但主要集中在三空位所确定的平面内的二个原子上.

English Abstract

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